半導(dǎo)體資料丨化學(xué)鍍鎳沉積，鈣鈦礦薄膜，III 族氮化物半導(dǎo)體

通過化學(xué)鍍鎳沉積增強(qiáng)納米多孔硅光電陰極的光電化學(xué)性能

可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關(guān)鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學(xué)行為。這些方法包括將Ni涂層應(yīng)用于NPSi，這是一個旨在增強(qiáng)催化活性、光吸收和載流子傳輸?shù)倪^程。掃描電子

使用顯微鏡分析了由于Ni涂層引起的NPSi表面的形態(tài)變化。結(jié)果表明，Ni涂層在NPSi表面形成了獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，在15分鐘的涂層時間和60?C.發(fā)現(xiàn)這些條件促進(jìn)電子-空穴對分離和均勻的Ni覆蓋。連續(xù)50分鐘的白光照射實(shí)驗(yàn)證實(shí)了穩(wěn)定的PEC波動，顯示了NPSi的特性和Ni的催化效應(yīng)的相互作用。該研究為高效水分解催化劑的設(shè)計(jì)提供了實(shí)用指導(dǎo)

鹵化物鈣鈦礦是下一代清潔能源收集的有力候選者

光伏技術(shù)由于功率轉(zhuǎn)換效率的空前提高及其低成本、易于制造和卓越的半導(dǎo)體性能。通過了解鈣鈦礦的基礎(chǔ)科學(xué)，如結(jié)晶動力學(xué)和電荷載流子動力學(xué)，并從元素周期表中找到各種新的鈣鈦礦組合，已經(jīng)確定了鈣鈦礦材料的潛力。目前的證據(jù)表明，用于沉積鹵化物鈣鈦礦層的合成方法是決定器件效率和穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。在這篇綜述中，我們的目的是研究沉積鈣鈦礦多晶膜和單晶層所遵循的各種合成程序。我們將總結(jié)目前對使用這些合成方法影響材料性能的理解和能力，并探索

本文綜述了實(shí)現(xiàn)垂直器件技術(shù)的III族氮化物均外延生長的一些基本問題。重點(diǎn)介紹了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長GaN，并探討了天然襯底特性對材料的影響

質(zhì)量、接口組成和設(shè)備性能。還包括對理解超寬III族氮化物半導(dǎo)體AlN和BN中摻雜劑的理論工作的回顧，以供未來將該技術(shù)擴(kuò)展到這些材料中。

關(guān)鍵詞：光電化學(xué)，納米多孔，化學(xué)鍍鎳沉積，鈣鈦礦薄膜，鈣鈦礦單晶合成方法，氮化鎵，AlN，同質(zhì)外延，MOCVD，二極管，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，垂直器件

審核編輯 黃宇