負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54 284 濕電子化學(xué) 品屬于電子化學(xué) 品領(lǐng)域的一個(gè)分支，是微電子、光電子濕法 工藝制程（主要包括濕法 蝕刻 、清洗、顯影、互聯(lián)等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03 239 該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報(bào)告 預(yù)測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:24 87 根據(jù)已公開的研究報(bào)告 ，東京電子的新式蝕刻 機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 蝕刻 時(shí)間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究 的目的是確定蝕刻 ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻 ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45 306 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué) 機(jī)械研磨、濕法 蝕刻 和等離子體干法化學(xué) 蝕刻 。
2024-01-26 09:59:27 547 氮化 鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究 人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中，氮化 鎵芯片的研發(fā)過程至關(guān)重要。下面將詳細(xì)介紹氮化
2024-01-10 10:11:39 264 氮化 鎵是一種無機(jī)化合物，化學(xué) 式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化 鎵具有許多重要的物理和化學(xué) 性質(zhì)，使其在科學(xué)研究 和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化 鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于
2024-01-10 10:05:09 346 氮化鋁 （AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結(jié)構(gòu)，與氧化鎵、氮化 硼、金剛石等半導(dǎo)體材料被并稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，與氮化 鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料相比具有更優(yōu)異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:38 183 AlN單晶 襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究 興趣. 物理氣相輸運(yùn)（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22 316 轉(zhuǎn)自：存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲研究報(bào)告 （2023）》，詳細(xì)闡釋分布式融合存儲概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01 270 世界各國不僅把6G作為構(gòu)筑未來數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點(diǎn)。全球主要國家的多。個(gè)研究 機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書和研究報(bào)告 ，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36 151 基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué) 穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24 294 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化 物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué) 和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法 蝕刻 是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻 速率和各向同性的蝕刻 輪廓。
2023-12-05 14:00:22 220 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究 。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39 259 存儲研究報(bào)告 》（以下簡稱：《報(bào)告 》）正式發(fā)布。《報(bào)告 》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場景，為融合存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院領(lǐng)導(dǎo)表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化 物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻 已經(jīng)被用于去除III族氮化 物材料中干法蝕刻 引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58 166 單晶 硅光伏板是一種基于單晶 硅材料制造的太陽能光電設(shè)備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶 硅光伏板由多個(gè)單晶 硅太陽能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:06 1005 濕法 刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17 452 目前，大多數(shù)III族氮化 物的加工都是通過干法等離子體蝕刻 完成的。干法蝕刻 有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻 側(cè)壁。干法蝕刻 產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30 241 氮化 鎵是什么材料提取的 氮化 鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué) 性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化 鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20 719 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:13 0 蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻 液都會對蝕刻 因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué) 成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10 217 GaN材料的研究 與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究 的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化 鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53 434 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
2023-11-07 16:37:39 0 蝕刻 液的化學(xué) 成分的組成：蝕刻 液的化學(xué) 組分不同，其蝕刻 速率就不相同，蝕刻 系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻 液的蝕刻 系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻 液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻 液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻 后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35 553 由于碳纖維表面沒有催化活性,通常在鍍銀前要進(jìn)行敏化、活化處理。傳統(tǒng)的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑，這些試劑不僅價(jià)格昂貴，還會產(chǎn)生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46 482 氮化 鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué) 穩(wěn)定性，在室溫下用濕法 化學(xué) 蝕刻 來蝕刻 或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32 244 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化 物的濕法 化學(xué) 蝕刻 結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進(jìn) 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報(bào)告 。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 好消息再次傳來！ 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認(rèn)可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告 》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17 376 近日，中國信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告 （2023年）》 （以下簡稱“報(bào)告 ”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 濕法 腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué) 的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:04 1705 近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁 （AlN）襯底，展示了公司生長氮化鋁 塊狀單晶 工藝的可擴(kuò)展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29 847 氮化鋁 基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導(dǎo)效率，對uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的需求，4英寸基板的使用率超過80%。
2023-08-16 11:08:29 603 半導(dǎo)體蝕刻 設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué) 溶液通過將晶片浸入化學(xué) 溶液（蝕刻 劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué) 溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58 319 以氮化 鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化 物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57 742 氧化鋁 陶瓷基材 機(jī)械強(qiáng)度高，絕緣性好，和耐光性.它已廣泛應(yīng)用于多層布線陶瓷基板、 電子封裝 和 高密度封裝基板 。 1. 氧化鋁 陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)、分類及性能 氧化鋁 有許多均勻的晶體
2023-08-02 17:02:46 752 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應(yīng)用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 預(yù)登記展會領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報(bào)告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報(bào)告 》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32 525 電源模塊是電子設(shè)備中用于提供穩(wěn)定電壓和電流的關(guān)鍵組件，在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，而高效能量轉(zhuǎn)換是實(shí)現(xiàn)可持續(xù)和高性能電源的關(guān)鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁 陶瓷電路板的先進(jìn)電源模塊技術(shù)
2023-07-27 16:22:10 287 近日，氮化 鎵行業(yè)新增了4個(gè)項(xiàng)目，涉及單晶 襯底、器件等環(huán)節(jié)。
2023-07-24 10:35:34 921 自己的模板
研究 報(bào)告 《 容、感、阻被動元器件市場
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2023-07-17 17:15:04 246 40多年來，設(shè)計(jì)和制造傳統(tǒng)混合電路的首選基板一直是氧化鋁 。它提供了正確電路操作所需的機(jī)械強(qiáng)度、電阻率和熱性能。然而，在過去幾年中，我們經(jīng)歷了混合技術(shù)向具有高度復(fù)雜、密集電路配置的電子設(shè)備的轉(zhuǎn)變，
2023-07-13 17:02:32 506 金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶 金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于 異質(zhì)外延單晶 金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對異質(zhì)外延單晶 金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23 843 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告 》。報(bào)告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費(fèi)者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24 321 氮化鋁 具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化 硅高得多。這使得氮化鋁 在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:23 1061 氧化鋁 是一種化學(xué) 化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué) 式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點(diǎn)、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁 廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領(lǐng)域。在工業(yè)上，氧化鋁 常用于制備金屬鋁的原料。
2023-07-05 16:30:15 4542 氧化鋁 陶瓷通常以基體中氧化鋁 的含量來分類，例如一般把氧化鋁 含量在99%、95%、90%左右的依次稱為“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按顏色可分為白色、紫色、黑色氧化鋁 等。
2023-07-04 10:01:15 852 自己的模板
研究 報(bào)告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
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2023-07-03 17:25:02 283 氮化鋁 陶瓷（AlN）因其優(yōu)越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應(yīng)用于IGBT模塊的研究 進(jìn)行深入探討。
2023-07-01 11:08:40 580 電子等領(lǐng)域。然而，高溫下氧化鋁 陶瓷電路板的穩(wěn)定性問題也備受關(guān)注。 本文旨在研究 高溫下氧化鋁 陶瓷電路板的穩(wěn)定性問題，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。首先，本文將介紹高溫下氧化鋁 陶瓷電路板的制備方法和性能特點(diǎn)，接著重點(diǎn)討論高溫下
2023-06-29 14:12:13 352 目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁 （Al2O3）、氮化鋁 （AlN）、氮化 硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56 543 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué) 性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻 時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低，濕法 化學(xué) 也會有問題。
2023-06-26 13:32:44 1053 基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁 AlN/藍(lán)寶石模板，藍(lán)寶石氮化 預(yù)處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁 AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯(cuò)threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11 359 氮化 鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于 氮化 鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于 氮化 鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
氮化鋁 陶瓷基板的導(dǎo)熱系數(shù)在170-230 W/mK之間，是氧化鋁 陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是鈦基板的10-20倍。這種高導(dǎo)熱系數(shù)的優(yōu)異性能是由于氮化鋁 陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和化學(xué) 成分決定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27 510 氮化 鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化 鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化 鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化 鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化 鎵單晶 薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化 鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
% 化學(xué) 物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化 鎵的環(huán)保優(yōu)勢，將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化 鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化 鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
雖然低電壓氮化 鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究 ，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化 鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化 鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化 鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化 鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
研究報(bào)告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進(jìn)行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 發(fā)展研究報(bào)告 1.0版》，總計(jì)192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進(jìn)行了詳盡研究 和分析。 以下為報(bào)告 內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報(bào)告 預(yù)覽 后臺回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 等離子體蝕刻 是氮化 鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實(shí)質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化 鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究 中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究 蝕刻 過程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的，并使用氟化化學(xué) 。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 （壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 過去利用堿氫氧化物水溶液研究 了硅的取向依賴蝕刻 ，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻 劑，研究 了單晶 硅球和晶片的各向異性蝕刻 過程，測量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻 速率，用單晶 球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻 面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40 618 氮化 鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化 鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化 鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué) 鍵是高度離子化的氮化 鎵化學(xué) 鍵，該化學(xué) 鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41 758 微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué) 蝕刻 硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51 846 休斯頓大學(xué)研究 團(tuán)隊(duì)之前開發(fā)出了III-N壓電傳感器，該傳感器由單晶 氮化 鎵薄膜制成，但在溫度高于350℃時(shí)，其靈敏度會降低。
2023-05-25 12:49:19 362 蝕刻 可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻 率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻 化學(xué) ，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31 575 蝕刻 是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法 蝕刻 和干法蝕刻 ，濕法 蝕刻 進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻 。硅濕法 各向異性蝕刻 廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12 700 ，且熱膨脹不匹配導(dǎo)致的高熱應(yīng)力會導(dǎo)致永久的結(jié)構(gòu)層面的機(jī)械故障。AlN的熔點(diǎn)高達(dá)2500℃，可用作高溫耐熱材料。同時(shí)，氮化鋁 的熱膨脹系數(shù)(CTE,4.5×10–6/℃)相對較低，接近于Si及SiC，能夠提供更好的熱可靠性。因此，基于氮化鋁 陶瓷芯片級封裝的超高溫(500℃以上)微電子器件成為有效方案。
2023-05-17 15:34:32 418 拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué) 工藝制備的。首先，硅單晶 錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻 消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻 之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00 584 以上這些問題和挑戰(zhàn)，對于氮化鋁 陶瓷的應(yīng)用和發(fā)展都是有一定影響的，但隨著斯利通技術(shù)的不斷進(jìn)步，相信這些問題都可以得到逐步解決。
2023-05-11 17:35:22 768 探討這個(gè)問題前，我們先來了解下什么是99%氧化鋁 陶瓷：99.6%的氧化鋁 陶瓷是一種高純度、高硬度、高溫度抗性和高耐腐蝕性的工程陶瓷材料，其中氧化鋁 含量高達(dá)99.6%以上。它具有良好的物理、化學(xué)
2023-05-11 11:02:13 955 減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué) 機(jī)械平面化，(3)濕法 蝕刻 (4)等離子體干法化學(xué) 蝕刻 (ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻 。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué) 漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻 則使用化學(xué) 物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06 979 隨著新能源汽車的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁 陶瓷基板作為絕緣導(dǎo)熱材料得到了很大的應(yīng)用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價(jià)格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價(jià)格就要實(shí)惠
2023-05-07 13:13:16 408 隨著新能源汽車的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁 陶瓷基板作為絕緣導(dǎo)熱材料得到了很大的應(yīng)用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價(jià)格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價(jià)格就要實(shí)惠很多。那他們的散熱表現(xiàn)差別有多少？先說結(jié)論：差別很小，考慮裝配應(yīng)用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36 301 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶 的濕法 蝕刻 和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法 腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究 了物理氣相色譜法生長AlN單晶 的缺陷
2023-04-23 11:15:00 118 【摘要】 在半導(dǎo)體濕法 工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法 清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對比研究 ，論述不同藥液與機(jī)臺的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性。【關(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00 823 自己的模板
研究 報(bào)告 《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報(bào)告 》，如需領(lǐng)取
報(bào)告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法 蝕刻 之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來制作電子芯片，是液體（濕法 蝕刻 ）還是氣體（干法蝕刻 ）
2023-04-12 14:54:33 1004 濕法 蝕刻 工藝的原理是使用化學(xué) 溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10 453 全國普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競賽研究報(bào)告 鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競賽中的表現(xiàn)情況是評估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué) 氣相沉積或干法蝕刻 ，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對于濕法 化學(xué) 工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48 408 濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報(bào)告 （以下簡稱《報(bào)告 》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19 314 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué) 反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻 進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07 886 已全部加載完成
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