負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協(xié)會藍牙技術聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍牙物聯(lián)網(wǎng)設備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設備。
2024-03-11 15:08:54
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該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報告預測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協(xié)會藍牙技術聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:2487 
摘要：功率半導體器件已廣泛應用于多個戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，而散熱問題是影響其性能、可靠性和壽命的關鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導率等優(yōu)點，被廣泛認為是用于制備半導體功率器件用陶瓷基板的優(yōu)良材料。本文檢索
2024-03-06 08:09:0876 
根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國混合動力汽車研究報告》。
2024-01-25 13:54:501270 
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現(xiàn)代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關重要。下面將詳細介紹氮化
2024-01-10 10:11:39264 氮化鎵是一種半導體材料，由氮氣和金屬鎵反應得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學傳感器等領域有著廣泛的應用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應用等方面進行詳細介紹
2024-01-10 10:06:30194 氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業(yè)應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導體材料，其晶體結構屬于
2024-01-10 10:05:09346 氮化鋁（AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結構，與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導體材料被并稱為超寬禁帶半導體，與氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料相比具有更優(yōu)異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:38183 
轉自：存儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術標準化研究院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲研究報告（2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術要求
2023-12-21 18:05:01270 
世界各國不僅把6G作為構筑未來數(shù)字經(jīng)濟與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究機構和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術趨勢、網(wǎng)絡架構等方面的白皮書和研究報告，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術思考。
2023-12-19 11:23:36151 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
存儲研究報告》（以下簡稱：《報告》）正式發(fā)布?！?b class="flag-6" style="color: red">報告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術架構和應用場景，為融合存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術標準化研究院領導表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01172 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報告.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13
0 蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報告
2023-11-07 16:37:390 亞甲藍溶液測試儀是一種用于檢測密封性的重要工具，通過負壓法來評估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍溶液抽入測試室，然后將測試室密封，觀察測試室內(nèi)的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 由于碳纖維表面沒有催化活性,通常在鍍銀前要進行敏化、活化處理。傳統(tǒng)的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑，這些試劑不僅價格昂貴，還會產(chǎn)生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46482 
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報告。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 好消息再次傳來！ 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報告》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17376 
近日，中國信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報告（2023年）》 （以下簡稱“報告”），全面介紹了在數(shù)字化轉型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488 
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
高純氧化鋁如何更好地應用在電子陶瓷領域？從理論角度、實際應用的角度考慮，首先是從微觀形貌上講，關注電子陶瓷領域核心的應用，業(yè)內(nèi)會關注兩個方向：高純氧化鋁的燒結活性和高純氧化鋁的應用特性（即粉體在下游使用的過程當中能更便于加工制造）。
2023-08-21 15:30:34910 
、化學、建材、研究所、大學等行業(yè)單位品管檢測之用。-70℃可程式恒溫恒濕試驗箱主要技術參數(shù)：型號：TH-80/120/150/225/408/800/1000H（M、
2023-08-21 15:13:32
氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質濃度、超寬帶差距及高熱傳導效率，對uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的需求，4英寸基板的使用率超過80%。
2023-08-16 11:08:29603 半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 氧化鋁陶瓷基材 機械強度高，絕緣性好，和耐光性.它已廣泛應用于多層布線陶瓷基板、 電子封裝 和 高密度封裝基板 。 1. 氧化鋁陶瓷基板的晶體結構、分類及性能 氧化鋁有許多均勻的晶體
2023-08-02 17:02:46752 
佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡接口芯片行業(yè)研究報告》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401 
預登記展會領取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業(yè)報告之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報告》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報告》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報告
2023-07-31 11:14:32525 
電源模塊是電子設備中用于提供穩(wěn)定電壓和電流的關鍵組件，在現(xiàn)代電子設備中起著至關重要的作用，而高效能量轉換是實現(xiàn)可持續(xù)和高性能電源的關鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進電源模塊技術
2023-07-27 16:22:10287 自己的模板
研究 報告《 容、感、阻被動元器件市場
報告》，如需領取
報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 元器件? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04246 
前不久，國家無線電監(jiān)測中心與全球移動通信系統(tǒng)協(xié)會（GSMA）共同發(fā)布了關于未來寬帶移動通信與頻譜高效利用的合作研究報告。
2023-07-17 09:56:00976 
40多年來，設計和制造傳統(tǒng)混合電路的首選基板一直是氧化鋁。它提供了正確電路操作所需的機械強度、電阻率和熱性能。然而，在過去幾年中，我們經(jīng)歷了混合技術向具有高度復雜、密集電路配置的電子設備的轉變，
2023-07-13 17:02:32506 
年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告》。報告結果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24321 氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氧化鋁是一種化學化合物，由鋁和氧元素組成，化學式為Al2O3。它是一種非導電的陶瓷材料，具有高熔點、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領域。在工業(yè)上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。
2023-07-05 16:30:154542 氧化鋁陶瓷通常以基體中氧化鋁的含量來分類，例如一般把氧化鋁含量在99%、95%、90%左右的依次稱為“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按顏色可分為白色、紫色、黑色氧化鋁等。
2023-07-04 10:01:15852 
自己的模板
研究 報告《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
報告》，如需領取
報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 虛擬人? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02283 
氮化鋁陶瓷（AlN）因其優(yōu)越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應用于IGBT模塊的研究進行深入探討。
2023-07-01 11:08:40580 
電子等領域。然而，高溫下氧化鋁陶瓷電路板的穩(wěn)定性問題也備受關注。 本文旨在研究高溫下氧化鋁陶瓷電路板的穩(wěn)定性問題，并進行實驗驗證。首先，本文將介紹高溫下氧化鋁陶瓷電路板的制備方法和性能特點，接著重點討論高溫下
2023-06-29 14:12:13352 目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56543 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍寶石模板，藍寶石氮化預處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鋁陶瓷基板的導熱系數(shù)在170-230 W/mK之間，是氧化鋁陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是鈦基板的10-20倍。這種高導熱系數(shù)的優(yōu)異性能是由于氮化鋁陶瓷基板的結構和化學成分決定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27510 通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號處理器（DSP），也可以用來實現(xiàn)目前軟開關電路拓撲結構，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環(huán)氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區(qū)別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區(qū)別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
發(fā)展研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究和分析。 以下為報告內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報告預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
氮化鋁為大功率半導體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41758 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
休斯頓大學研究團隊之前開發(fā)出了III-N壓電傳感器，該傳感器由單晶氮化鎵薄膜制成，但在溫度高于350℃時，其靈敏度會降低。
2023-05-25 12:49:19362 以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越來越得到國?nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
? ? 傳感新品 【美國休斯頓大學：開發(fā)出一種新型氮化鋁傳感器，并證實其可以在高達900℃的高溫下工作】 航空航天、能源、運輸和國防等關鍵行業(yè)需要能在極端環(huán)境下工作的傳感器，以測量和監(jiān)測多種
2023-05-23 08:39:45596 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
，且熱膨脹不匹配導致的高熱應力會導致永久的結構層面的機械故障。AlN的熔點高達2500℃，可用作高溫耐熱材料。同時，氮化鋁的熱膨脹系數(shù)(CTE,4.5×10–6/℃)相對較低，接近于Si及SiC，能夠提供更好的熱可靠性。因此，基于氮化鋁陶瓷芯片級封裝的超高溫(500℃以上)微電子器件成為有效方案。
2023-05-17 15:34:32418 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
以上這些問題和挑戰(zhàn)，對于氮化鋁陶瓷的應用和發(fā)展都是有一定影響的，但隨著斯利通技術的不斷進步，相信這些問題都可以得到逐步解決。
2023-05-11 17:35:22768 探討這個問題前，我們先來了解下什么是99%氧化鋁陶瓷：99.6%的氧化鋁陶瓷是一種高純度、高硬度、高溫度抗性和高耐腐蝕性的工程陶瓷材料，其中氧化鋁含量高達99.6%以上。它具有良好的物理、化學
2023-05-11 11:02:13955 
隨著新能源汽車的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠
2023-05-07 13:13:16408 
隨著新能源汽車的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠很多。那他們的散熱表現(xiàn)差別有多少？先說結論：差別很小，考慮裝配應用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301 
[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統(tǒng)。 由于半導體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:0074 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環(huán)處理 編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學處理過程中的表面形貌。在SC-1清洗過程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00129 
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研究 報告《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
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2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
全國普通高校大學生計算機類競賽研究報告鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計算機類競賽中的表現(xiàn)情況是評估相關高校計算機
2023-04-10 10:16:15
PCB制作中干膜和濕膜可能會帶來哪些品質不良的問題？以及問題如何解決呢？
2023-04-06 15:51:01
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告（以下簡稱《報告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗
2023-03-28 09:02:36
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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