行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變?cè)S多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè),自動(dòng)蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39823 金航標(biāo)和薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說(shuō),中國(guó)還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是有全世界最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng),有超過(guò)1萬(wàn)億人民幣的規(guī)模,全球占比34%,領(lǐng)先美國(guó)(27%),更大幅領(lǐng)先歐洲和日韓,金航標(biāo)電子是在的中國(guó)的連接器市場(chǎng)也
2024-03-18 11:39:25
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué),掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝,和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor(www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
為了避免違反美國(guó)的規(guī)定,SK海力士最近雖然出售了一些淘汰的半導(dǎo)體設(shè)備,但非常謹(jǐn)慎地選擇了買家,確保不包括那些受美國(guó)控制的核心設(shè)備,比如晶圓減薄機(jī)和蝕刻機(jī)。
2024-03-13 16:08:24267 想問一下,半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺(tái)有沒有用到,具體要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
State Switch,簡(jiǎn)稱TSS。它是一種用于快速開關(guān)高電壓、高電流的半導(dǎo)體器件。TSS最早由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員于20世紀(jì)60年代初期發(fā)明,并在隨后的幾十年中得到了廣泛的應(yīng)用和發(fā)展。目前
2024-03-06 10:07:51
、高電流的半導(dǎo)體器件。TSS最早由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員于20世紀(jì)60年代初期發(fā)明,并在隨后的幾十年中得到了廣泛的應(yīng)用和發(fā)展。目前,TSS已經(jīng)成為電子領(lǐng)域中的重要組成部分,被廣泛應(yīng)用于電力電子、通訊
2024-03-06 10:03:11
2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)負(fù)增長(zhǎng)10%左右市場(chǎng)研究公司Gartner公布的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率趨勢(shì)(2003-2024)。2003年至2022年的實(shí)際結(jié)果。2023年是估計(jì)(初步數(shù)據(jù)),2024年是預(yù)測(cè)
2024-03-05 08:14:18145 共讀好書 張?chǎng)?苑明星 楊小渝 (重慶市聲光電有限公司) 摘 要: 對(duì)半導(dǎo)體封裝工藝的研究,先探析半導(dǎo)體工藝概述,能對(duì)其工作原理有一定的了解與掌握;再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程,目的是在作業(yè)階段嚴(yán)謹(jǐn)
2024-02-25 11:58:10275 N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫(H2O2
2024-02-02 17:56:45306 廣泛,第三個(gè)是中國(guó)企業(yè)跟國(guó)外同類企業(yè)相比,在高中低壓的MOS管、橋堆、可控硅中低端產(chǎn)品我們有一定的價(jià)格優(yōu)勢(shì),在產(chǎn)品交付、售后服務(wù)等方面都有優(yōu)勢(shì),我們?cè)谶@個(gè)市場(chǎng)努力還是大有可為的。深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體
2024-02-02 09:52:12
來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯 根據(jù) IDC 的最新研究,隨著全球?qū)θ斯ぶ悄?(AI) 和高性能計(jì)算 (HPC) 的需求呈爆炸式增長(zhǎng),加上對(duì)智能手機(jī)、個(gè)人電腦、基礎(chǔ)設(shè)施的需求趨于穩(wěn)定,以及汽車行業(yè)的彈性增長(zhǎng)
2024-01-23 11:09:32277 我用ADN8831做半導(dǎo)體激光器的溫度控制電路,現(xiàn)在問題是溫度不能完全控制好,溫度不穩(wěn)定,溫度鎖定指示燈閃爍,電路圖是完全按照ADI官網(wǎng)下載的應(yīng)用手冊(cè)上的電路圖,不是用的數(shù)據(jù)手冊(cè)上的,請(qǐng)問下我設(shè)計(jì)的時(shí)候需要注意哪些問題,謝謝!
2024-01-09 08:13:31
的運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。與導(dǎo)體相比,半導(dǎo)體的電子密度較低,而與絕緣體相比,半導(dǎo)體具有較高的電子流動(dòng)性。半導(dǎo)體的電導(dǎo)率可以通過(guò)控制半導(dǎo)體中摻雜的雜質(zhì)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。不同類型的雜質(zhì)可以增加或減少電子的流動(dòng)性,使半導(dǎo)體具有不同
2023-12-25 14:04:451457 半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì),其導(dǎo)電性能可以通過(guò)控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型:p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481388 在微電子制造領(lǐng)域,光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而,盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨疲诩夹g(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的基礎(chǔ),隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體制造技術(shù)也在不斷進(jìn)步。在這個(gè)過(guò)程中,各種新型材料和技術(shù)不斷涌現(xiàn),為半導(dǎo)體制造提供了更多可能性。PFA花籃作為一種高性能材料,在半導(dǎo)體行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將重點(diǎn)探討PFA花籃在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。
2023-12-14 12:03:40356 本征半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下,自由電子和空穴的數(shù)量很少,因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外,本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān),具有熱敏、光敏特性。
2023-12-13 11:10:05619 根據(jù)不同的誘因,常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體,機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí),設(shè)備由于放電而發(fā)生充電,設(shè)備接地,放電電流將立即流過(guò)電路,導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法,大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 由于其獨(dú)特的材料特性,III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷,并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 【半導(dǎo)體后端工藝:】第一篇了解半導(dǎo)體測(cè)試
2023-11-24 16:11:50484 是什么。半導(dǎo)體是一種材料,具有介于導(dǎo)體(如金屬)和絕緣體(如陶瓷)之間的電導(dǎo)率。半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率可以通過(guò)控制材料中的摻雜(添加)來(lái)改變,從而使得電流通過(guò)材料。這使得半導(dǎo)體在電子和光電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 在
2023-11-22 17:21:252332 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)于連接技術(shù)的要求也越來(lái)越高。傳統(tǒng)的金屬接頭在高溫、高壓和高輻射環(huán)境下存在許多問題,而PFA接頭作為一種高性能的塑料接頭,正逐漸得到廣泛的認(rèn)可和應(yīng)用。本文將圍繞晶圓制造
2023-11-09 17:47:47204 功率半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分,扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,與低功率應(yīng)用中使用的小信號(hào)半導(dǎo)體不同,功率半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27491 管在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)備受關(guān)注。 華林科納是一家專注于生產(chǎn)高性能氟化共聚物材料的公司。其生產(chǎn)的PFA管具有優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、低摩擦系數(shù)和高絕緣性能等特性。在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域,華林科納的PFA管具
2023-10-17 10:19:25199 隨著科技的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工藝步驟,而每個(gè)步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中,華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《意法半導(dǎo)體微控制器EMC設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-07 15:08:570 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
近日,新加坡南洋理工大學(xué)高煒博教授與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張俊研究員合作,利用施主-受主對(duì)(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象,并建立了DAP IX的動(dòng)力學(xué)模型,很好地解釋了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。
2023-09-25 10:14:51379 銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配,這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上,銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案,然后通過(guò)鑲嵌流用Cu填充溝槽來(lái)完成的。
2023-09-22 09:57:23281 載流子則是正空穴。多數(shù)載流子對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能和特性具有重要的影響,因此對(duì)多數(shù)載流子的研究和認(rèn)識(shí)是半導(dǎo)體物理學(xué)的重要內(nèi)容。 n型半導(dǎo)體是指在原本的半導(dǎo)體中,加入了一個(gè)雜質(zhì)元素,使得半導(dǎo)體材料中的帶電粒子變得不平衡。n型半導(dǎo)體材料中,摻
2023-09-19 15:57:042483 將詳細(xì)討論半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng),包括其起源、機(jī)制、應(yīng)用和未來(lái)研究方向。 一、壓阻效應(yīng)的起源 壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在外力或應(yīng)力作用下,導(dǎo)電性能的變化。它最早被發(fā)現(xiàn)于20世紀(jì)60年代,當(dāng)時(shí)主要研究的對(duì)象是Ge和Si等材料。
2023-09-19 15:56:551582 設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器恒定功率驅(qū)動(dòng)電路,采用負(fù)反饋運(yùn)算放大電路構(gòu)成恒流源,電容充放電模塊構(gòu)成穩(wěn)壓環(huán)節(jié),以高精度電流檢測(cè)芯片 MAX4008監(jiān)測(cè) PIN光電探測(cè)器探測(cè)電流,以此為基準(zhǔn),引入功率反饋環(huán)節(jié),穩(wěn)定輸出功率。闡述并分析了電路原理與實(shí)驗(yàn)結(jié)果,表明電路運(yùn)行穩(wěn)定,實(shí)現(xiàn)了精確的自動(dòng)功率控制。
2023-09-19 07:15:15
很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時(shí),都喜歡選擇華林科納的高純PFA管,選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個(gè)重要原因: 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266 2023年9月8日,致力于開發(fā)工業(yè)級(jí)/車規(guī)級(jí)微控制器、高性能模擬芯片及系統(tǒng)級(jí)芯片的集成電路設(shè)計(jì)型企業(yè)珠海極海半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱:Geehy極海半導(dǎo)體)授權(quán)廣東艾矽易信息科技有限公司(簡(jiǎn)稱
2023-09-12 14:18:13541 ·技術(shù)論壇 — 超過(guò)30場(chǎng)分論壇,內(nèi)容圍繞電源與能源、電機(jī)控制和自動(dòng)化應(yīng)用·主題演講 — 超過(guò)25場(chǎng)主題演講,ST及合作伙伴的企業(yè)高管分享半導(dǎo)體前沿資訊及相關(guān)工業(yè)策略
▌三大行業(yè)應(yīng)用·電源與電能:擁有廣泛
2023-09-11 15:43:36
該設(shè)備用途:硅片在加工運(yùn)輸過(guò)程中,需要將硅片從一個(gè)花籃內(nèi),傳送到另一個(gè)花籃內(nèi),提高導(dǎo)片效率,同時(shí)減少人為污染。 我們華林科納研發(fā)的全自動(dòng)晶舟轉(zhuǎn)換器,它是一款用于調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列
2023-09-06 17:23:46416 機(jī)、氟弧焊機(jī)、脈沖焊機(jī)等,本文將介紹武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列單片機(jī)在電弧焊機(jī)中的應(yīng)用。
CW32F030系列MCU在電焊機(jī)的應(yīng)用框圖
方案特色:
●可實(shí)現(xiàn)對(duì)電焊機(jī)的自動(dòng)化控制,可以通過(guò)輸入
2023-09-06 09:14:04
我們華林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù),例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:31317 半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)垂直化分工格局,上游包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造設(shè)備等;中游為半導(dǎo)體生產(chǎn),具體可劃分為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試;半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下 游為各類終端應(yīng)用。
2023-08-29 16:24:59761 半導(dǎo)體芯科技編譯 來(lái)源:SIA 經(jīng)過(guò)18個(gè)月的研究、調(diào)查、工作組會(huì)議和技術(shù)審查,半導(dǎo)體PFAS聯(lián)盟發(fā)布了關(guān)于PFAS在半導(dǎo)體行業(yè)中使用的第十份也是最終的一份白皮書。這些論文確定了不同PFAS化學(xué)物質(zhì)
2023-08-23 15:07:44364 我們華林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻,以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅(a-Si:H)膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué)溶液(蝕刻劑)中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域,化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能,并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法,重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 高純PFA擴(kuò)口接頭作為半導(dǎo)體光伏行業(yè)中不可或缺的管道連接元件,它具有獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),為半導(dǎo)體光伏工藝的穩(wěn)定性和可靠性提供了有力的支持。 在半導(dǎo)體光伏制程中,材料的純度對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有著至關(guān)重要
2023-08-14 16:51:29275 昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導(dǎo)體的超低功耗、獨(dú)立式電量計(jì)IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表,其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29
來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 編輯:感知芯視界 2023的上半年,回暖的風(fēng)還沒有吹到半導(dǎo)體。半導(dǎo)體企業(yè)開始“收緊腰包”,有研究機(jī)構(gòu)表示,依據(jù)各大半導(dǎo)體企業(yè)目前發(fā)布的支出聲明,今年整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的支出會(huì)下
2023-08-08 09:44:43338 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼,常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中,這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594139 萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通和嘉芯半導(dǎo)體攜集成電路離子注入機(jī)、蝕刻、薄膜沉積、高速熱處理等座談會(huì)設(shè)備。芯片半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官(ceo)周偉芳介紹芯片半導(dǎo)體投資興建的109畝產(chǎn)業(yè)園區(qū)僅8個(gè)月完成了新建建筑的屋頂整體竣工驗(yàn)收為即將完成,預(yù)計(jì)下半年開始搬入前道,未來(lái)是華東地區(qū)最大的集成電路設(shè)備研發(fā)制造基地之一。
2023-07-11 09:59:22844 簡(jiǎn)介:蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商,多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī),咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢,歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光!產(chǎn)品描述:品名:塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌:鐳拓
2023-07-06 16:24:04
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會(huì)將在上海如期舉行,華林科納將為您帶來(lái)超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案,并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺(tái)亮相SEMICON China,與上下游企業(yè)進(jìn)行一對(duì)一交流,為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 自1990年代末至2000年代初以來(lái),有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究引起了相關(guān)領(lǐng)域的高度關(guān)注,大大提高了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中有機(jī)半導(dǎo)體器件的制造水平。目前,有機(jī)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域正在進(jìn)入商業(yè)化階段。
2023-06-30 14:51:032226 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
上海伯東日本 Atonarp Aston? Impact 和 Aston? Plasma 是超緊湊型質(zhì)譜儀, 適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝(如沉積和蝕刻)所需的定量氣體分析.
2023-06-21 10:21:08197 GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái),原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(jì)(如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET ))預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 5月18日-5月19日,由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會(huì)第五期:化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會(huì)在江蘇南通市成功召開。會(huì)議共邀請(qǐng)42家企業(yè)參會(huì),參會(huì)人員96人。本期交流會(huì)安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報(bào)告、流體展示及實(shí)操等多種形式的活動(dòng),交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用,并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:34418 通過(guò)測(cè)量晶片上的殘留物得知,晶片上已經(jīng)分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設(shè)有兩種不同的沉積機(jī)制:吸附和蒸發(fā)沉積。
2023-06-08 10:57:43220 根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來(lái)看,目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下,定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵(GaN)設(shè)備,通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝,因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻率就會(huì)變化,因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué),以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 本文以半導(dǎo)體封裝技術(shù)為研究對(duì)象,在論述半導(dǎo)體封裝技術(shù)及其重要作用的基礎(chǔ)上,探究了現(xiàn)階段半導(dǎo)體封裝技術(shù)的芯片保護(hù)、電氣功能實(shí)現(xiàn)、通用性、封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化、散熱冷卻功能等諸多發(fā)展趨勢(shì),深入研究了半導(dǎo)體前端
2023-05-16 10:06:00497 第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體?半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN
2023-05-05 17:46:226173 霍爾傳感器,依據(jù)霍爾效應(yīng)來(lái)制作的。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法,通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的霍爾系數(shù),能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。
2023-04-28 15:55:501031 銻化物半導(dǎo)體激光器是目前能夠覆蓋中紅外波段的主要手段。銻化物半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)多年的研究和發(fā)展,已經(jīng)逐漸走向成熟。
2023-04-26 10:12:10836 試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?
2023-04-23 11:27:04
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:?jiǎn)尉У臐穹?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻和紅外吸收 編號(hào):JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過(guò)程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步,不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過(guò)查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡(jiǎn)化制造中的晶圓截面的過(guò)程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言,二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言,二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻)
2023-04-12 14:54:331004 和不確定的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn),Danny 分享了先楫半導(dǎo)體在國(guó)產(chǎn)高性能 MCU 領(lǐng)域的發(fā)展方向:1. 超強(qiáng)計(jì)算能力。 隨著邊緣計(jì)算、人工智能、機(jī)器人控制等技術(shù)的快速進(jìn)步,行業(yè)應(yīng)用要求MCU擁有更高的算力,能完成
2023-04-10 18:39:28
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非?;顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻,所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下,對(duì)于濕法化學(xué)工藝,使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48408 研究表明,半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化,因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251
評(píng)論
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