國(guó)產(chǎn)SRAM EMI508NL08VM-55IT的特征說明

ISSI IS61WV51216EEBLL是高速和低功耗、8M位SRAM。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。

這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：?jiǎn)渭m錯(cuò)-雙糾錯(cuò)）在內(nèi)的創(chuàng)新電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生高性能和高度可靠的設(shè)備。通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴(kuò)展。有效的低寫入使能（WE#）控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。采用標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP（TYPEII）封裝。EMI國(guó)產(chǎn)SRAM廠家EMI508NL08VM-55IT可替換IS61WV51216EEBLL-10B2I。

8Mbit國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬1MX8bit，電源電壓為2.7V~3.6V，支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的用戶靈活性。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V（Min.），用于以低數(shù)據(jù)保留電流進(jìn)行電池備份操作。采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝形式。

特征

●工藝技術(shù)：90nmFullCMOS

●組織：1MX8bit

●電源電壓：2.7V~3.6V

●低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V（Min.）

●三態(tài)輸出，TTL兼容

●數(shù)據(jù)字節(jié)控制（x8模式）。

●標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2，48FBGA封裝。

●工業(yè)工作溫度

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存儲(chǔ)器(161613) 存儲(chǔ)器(161613)
sram(113778) sram(113778)

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