電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今日（9月13日）凌晨，蘋果在2023秋季發(fā)布會(huì)推出了一系列新品，包括iPhone 系列和Apple Watch等產(chǎn)品線的常規(guī)更新，另外業(yè)界首款3nm芯片A17 Pro
2023-09-13 09:08:56
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目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:0361 、產(chǎn)量、銷量、需求量、銷售收入等數(shù)據(jù)，2019-2030年）
第4章：全球7nm智能座艙芯片主要地區(qū)分析，包括銷量、銷售收入等
第5章：全球7nm智能座艙芯片主要廠商基本情況介紹，包括公司簡(jiǎn)介、7nm
2024-03-16 14:52:46
蘋果M3芯片的晶體管數(shù)量相當(dāng)可觀，相比前代產(chǎn)品有了顯著的提升。這款芯片搭載了高達(dá)250億個(gè)晶體管，比M2芯片多出50億個(gè)，這樣的設(shè)計(jì)使得M3芯片在性能上有了質(zhì)的飛躍。
2024-03-11 16:45:37257 蘋果M3芯片在晶體管數(shù)量上有了顯著的提升。具體來說，標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片內(nèi)部集成了250億個(gè)晶體管，相比前代M2芯片多了50億個(gè)。這一數(shù)量的增加為M3芯片帶來了更為強(qiáng)大的性能，無論是處理日常任務(wù)還是運(yùn)行
2024-03-08 17:00:14409 蘋果M3芯片搭載了250億個(gè)晶體管，相較于前代M2芯片多了50億個(gè)晶體管。這一顯著的提升使得M3芯片在性能上有了更大的飛躍，無論是處理速度、圖形渲染還是多任務(wù)處理，都能展現(xiàn)出更出色的能力。同時(shí)，M3芯片還具備統(tǒng)一內(nèi)存最高可達(dá)24GB的特性，進(jìn)一步增強(qiáng)了其數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)能力。
2024-03-08 16:58:00334 M3芯片的晶體管數(shù)量根據(jù)不同的版本有所差異。具體來說，標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片擁有250億個(gè)晶體管，這一數(shù)量相比前代產(chǎn)品M2有了顯著的提升，使得M3芯片在性能上有了更出色的表現(xiàn)。
2024-03-08 15:43:49190 串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
據(jù)媒體報(bào)道，目前蘋果已經(jīng)在設(shè)計(jì)2nm芯片，芯片將會(huì)交由臺(tái)積電代工。
2024-03-04 13:39:08244 達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53512 
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
有消息人士稱，蘋果期望能夠提前獲得臺(tái)積電1.4nm（A14）以及1nm（A10）兩種更為先進(jìn)的工藝的首次產(chǎn)能供應(yīng)。據(jù)了解，臺(tái)積電2nm技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利，預(yù)期采用GAA（全柵極環(huán)繞）技術(shù)生產(chǎn)2nm制程產(chǎn)品；
2024-01-25 14:10:18158 臺(tái)積電在上月早些時(shí)候的IEDM 2023大會(huì)中宣布，計(jì)劃推出包含高達(dá)1萬億個(gè)晶體管的芯片封裝方案，此舉與英特爾去年公布的規(guī)劃相呼應(yīng)。為達(dá)成這一目標(biāo)，該公司正專注于N2和N2P的2nm級(jí)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)及A14和A10的1.4nm級(jí)制造工藝，預(yù)估將于2030年投入使用。
2024-01-23 10:35:061428 我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
為達(dá)成此目標(biāo)，公司正加緊推進(jìn)N2和N2P級(jí)別的2nm制造節(jié)點(diǎn)研究，并同步發(fā)展A14和A10級(jí)別的1.4nm加工工藝，預(yù)計(jì)到2030年可以實(shí)現(xiàn)。此外，臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)，如CoWoS、InFO、SoIC等會(huì)不斷優(yōu)化升級(jí)，使他們有望在2030年前后打造出超萬億晶體管的大規(guī)模封裝解決方案。
2023-12-28 15:20:10355 上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實(shí)際線寬無法大幅縮小的前提下，通過改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來達(dá)到等效線寬的效果那么新的問題來了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:01239 
此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱為A14。從技術(shù)角度來看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。
2023-12-15 10:23:12264 據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)SemiAnalysis的數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電已將此階段的工作節(jié)點(diǎn)正式命名為A14。盡管該公司未透露A14具體的量產(chǎn)時(shí)間表與規(guī)格參數(shù)，但參照已經(jīng)制定的N2與N2P計(jì)劃，可推測(cè)A14可能將于2027至2028年前引入市場(chǎng)。
2023-12-14 14:16:22200 過去數(shù)十年里，芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)始終專注于小型化。減小晶體管體積，能降低功耗并提升處理性能。如今，2nm及3nm已取代實(shí)際物理尺寸，成為描述新一代芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。
2023-12-12 09:57:10198 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發(fā)布，標(biāo)志著蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，可制造極小的晶體管，一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬個(gè)晶體管。蘋果用這些晶體管來優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:13310 
三星在會(huì)上表示，作為新一代汽車技術(shù)，正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計(jì)劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價(jià)證券組合，2年后升級(jí)為8納米制程。
2023-10-23 09:57:22370 N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 晶體管，作為現(xiàn)代電子設(shè)備的基石，其功能和工作原理一直是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理領(lǐng)域研究的核心。芯片中的每個(gè)晶體管都是一個(gè)微型開關(guān)，負(fù)責(zé)控制電流的流動(dòng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代芯片上可能集成了數(shù)十億甚至數(shù)百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構(gòu)造開始，深入解析其操作機(jī)制。
2023-10-16 10:09:131239 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PZTA14-Q NPN達(dá)林頓晶體管產(chǎn)品手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 10:22:44
0 有多少晶體管組成 A17的晶體管數(shù)量組成可以達(dá)到200億以上，相比于上一代的A16芯片的160億個(gè)晶體管，性能有了顯著增強(qiáng)。 同時(shí)蘋果A17芯片的強(qiáng)大性能出乎業(yè)內(nèi)的預(yù)期，相較于前代A16在單核性能上提升了約60%，多核性能提升了約43%，更加彰顯了蘋果芯片在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。 ? ? ? ? 審核編
2023-09-26 15:06:552682 的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱是由晶體管柵極長度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434477 
?首搭國內(nèi)首款自研車規(guī)級(jí)7nm量產(chǎn)芯片“龍鷹一號(hào)”，魅族車機(jī)系統(tǒng)首發(fā)上車。
2023-09-14 16:12:30484 ； 但是iPhone 15Pro/Pro Max則是采用3nm制程的蘋果A17 Pro芯片。 A16處理器指的是2022年蘋果公司推出的一款新的手機(jī)的處理器。iPhone 14 Pro、
2023-09-13 17:59:138649 
iPhone 15 Pro正式亮相。這次蘋果為其配備了A17 Pro芯片，官方強(qiáng)調(diào)：這是業(yè)界首款3nm手機(jī)芯片。
2023-09-13 11:38:331576 制程的小尺寸可以實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度，讓芯片在相同尺寸內(nèi)集成更多的晶體管，從而提供更好的性能和速度。然而，制程的大小并不是唯一衡量芯片性能的因素。三星的5nm，也未必就一定比英特爾的7nm強(qiáng)。
2023-09-12 15:34:3321655 芯片。 首先，我認(rèn)為這一代的CPU提升會(huì)很大，我們都知道從A14開始，CPU就開始使用臺(tái)積電的5nm工藝，一直到iPhone 14 Pro/ProMax上的A16，依然還是5nm工藝，
2023-09-11 16:17:15727 ? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18537 
蘋果計(jì)劃在今年的iPhone 15系列中搭載一款全新的A17仿生芯片。這款芯片將采用3nm工藝制造，相比之前的A14、A15和A16芯片的5nm工藝，A17芯片在性能和效率方面都將有顯著提升。
2023-09-05 11:33:222097 據(jù)悉，A17 預(yù)計(jì)將成為蘋果首款采用3nm工藝制造的芯片，與A14、A15和A16芯片采用的5nm工藝相比，其性能和效率都有很大提高。
2023-09-05 10:38:331605 首款3nm芯片:蘋果A17性能跑分出爐 近日，有關(guān)蘋果公司首款采用3納米工藝制造的芯片A17的新聞開始在業(yè)界流傳。據(jù)稱，這款芯片的性能跑分已經(jīng)出爐，引起了不少關(guān)注。今天，我們就來詳細(xì)了解一下關(guān)于蘋果
2023-09-02 14:34:582097 的NMN910 5G SoC 芯片，也被稱為麒麟9000。 這款芯片集成了49億個(gè)晶體管，尺寸為 5 納米，成為了全球首個(gè)量產(chǎn)的5nm 5G SoC芯片。這是一個(gè)重要的里程碑，它意味著華為已經(jīng)成為了第一個(gè)推出5nm工藝技術(shù)的芯片制造商，并且在性能方面達(dá)到了全球領(lǐng)先的水平。 首先我們
2023-09-01 16:47:357013 蘋果即將發(fā)布的iPhone 15系列將搭載的芯片已經(jīng)確定，確認(rèn)iPhone 15和iPhone 15 Plus兩款機(jī)型將繼續(xù)采用與iPhone 14 Pro同款的A16芯片。而iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max則將搭載全新蘋果A17芯片，獨(dú)享這顆全球首款3nm芯片。
2023-09-01 10:43:411702 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372444 晶體管和芯片的關(guān)系是什么？ 晶體管和芯片是相互關(guān)聯(lián)的兩個(gè)概念，晶體管是芯片的核心組成部分之一。 晶體管是一種能夠控制電流的電子器件，由美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:051513 由于采臺(tái)積電最先進(jìn) 3 nm制程，A16Bionic 和 A17 Bionic 會(huì)有巨大性能提升?；鶞?zhǔn)檢驗(yàn)時(shí) A17 Bionic 單核和多核速度與前代產(chǎn)品相比提高 31%，傳出 iPhone 15
2023-08-23 16:36:27554 A17芯片預(yù)計(jì)將成為蘋果首款采用3nm工藝制造的芯片，相比于之前采用5nm工藝的A14、A15和A16芯片，A17芯片將在性能和效率方面有顯著提升。
2023-08-11 16:10:3810022 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對(duì)現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推動(dòng)作用。
2023-08-04 09:45:301076 的值范圍為 1A – 100A。功率晶體管有 PNP 和 NPN 形式，而達(dá)林頓晶體管有 PNP 或 NPN 形式。
高頻晶體管
高頻晶體管特別適用于在高頻下工作的小信號(hào)，并用于基于高速的開關(guān)應(yīng)用。這些
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
7月14日消息，根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，盡管市場(chǎng)傳聞蘋果A17 Bionic和 M3 處理器已經(jīng)獲得臺(tái)積電90%的3nm制程產(chǎn)能。
2023-07-21 11:18:17904 在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 逆變器在全球范圍內(nèi)發(fā)揮著重要作用，因?yàn)樗峁┎婚g斷的電力供應(yīng)，并幫助人們滿足能源需求。您可能已經(jīng)使用了制造商生產(chǎn)的現(xiàn)成逆變器，但是如何自己制造一個(gè)。本文將介紹如何使用晶體管制作簡(jiǎn)單的逆變器電路，該晶體管使用一些基本的電子元件（例如晶體管和變壓器）將12V DC轉(zhuǎn)換為120V AC。
2023-07-02 11:44:54624 
MAT14是一款四通道單芯片NPN型晶體管，具有出色的參數(shù)匹配性能，適合精密放大器和非線性電路應(yīng)用。MAT14的性能特征包括：在很寬的集電極電流范圍內(nèi)提供高增益（最小300）、低噪聲（在100 Hz
2023-06-20 18:14:26
當(dāng)finFET被提出時(shí)，相對(duì)于互連層而言，晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復(fù)雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出，這一差別有望延續(xù)至5nm，3nm和更低。
2023-06-16 14:56:461372 
之前發(fā)布的RX 7900和RX 7900 XTX都是用的臺(tái)積電5nm制程工藝，這次RX 7600用的是臺(tái)積電6nm，在204平方毫米的面積上集成了133億晶體管。
2023-06-14 09:22:522159 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:291164 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:481309 
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
我正在嘗試通過 A0 引腳讀取電容器電壓。讀取工作正常，但現(xiàn)在我只想在特定時(shí)間間隔觸發(fā)讀取以避免電容器放電。正電容輸出始終連接到 A0。負(fù)極通過晶體管連接到 ESP8266 - 只有當(dāng)我向這個(gè)
2023-05-25 06:50:20
晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 提供5nm制程MPW服務(wù)后，時(shí)隔4年提供更先進(jìn)MPW服務(wù)，證明了良率的穩(wěn)定化成果。
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2023-05-10 10:54:09
、XL-TO5
應(yīng)用：分光光度計(jì) 1064 nm激光檢測(cè)高速光度法 NIR脈沖光傳感器 激光制導(dǎo)
封裝：金屬封裝 1270NM-1300NM-1350NM 近紅外發(fā)射管 1300NM
主要分類：
1、系列8
2023-05-09 17:10:53
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
其實(shí)就目前的情況（截止2022年）而言，現(xiàn)實(shí)和他們想的相反，在很多軍工領(lǐng)域，我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn)，實(shí)際情況大概率是美國戰(zhàn)斗機(jī)用90nm芯片，我國用45nm。
2023-03-31 09:41:024408 我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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