IGD系列IGBT驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部框電路
2010-02-19 11:17:42
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開(kāi)設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心。該設(shè)計(jì)中心將基于其驅(qū)動(dòng)核開(kāi)發(fā)半定制門(mén)極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，并利用CONCEPT的SCALE-2平臺(tái)為大型項(xiàng)
2013-01-17 16:36:441176 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器出廠提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 現(xiàn)有IGBT 型號(hào)為H20R1202 要設(shè)計(jì)他的驅(qū)動(dòng)電路，在哪里找資料？或者有沒(méi)有設(shè)計(jì)過(guò)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動(dòng)上嗎？
2016-04-01 09:34:58
=oxh_wx3、【周啟全老師】開(kāi)關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法，經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2019-02-03 21:00:00
IGBT、MOS驅(qū)動(dòng)器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無(wú)刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動(dòng)器可用來(lái)直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)。 不過(guò)，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
你好，我正在尋找這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。這款緊湊型新驅(qū)動(dòng)器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時(shí)供貨
2021-09-09 11:00:41
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應(yīng)用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器；交流和無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器；電磁爐頂；工業(yè)變頻器；開(kāi)關(guān)電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法，經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2021-07-26 14:41:12
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)相關(guān)文章資料，大家可以看看，對(duì)大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著
2021-01-22 06:45:02
柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過(guò)具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對(duì)反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過(guò)如下方式評(píng)估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開(kāi)關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問(wèn)mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過(guò)流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過(guò)壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器，用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開(kāi)關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動(dòng)IGBT的驅(qū)動(dòng)器？代碼應(yīng)該怎么寫(xiě)??？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子開(kāi)關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車(chē)載控制器開(kāi)發(fā)及測(cè)試
2023-03-23 16:01:54
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問(wèn)題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運(yùn)行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動(dòng)器
2018-09-30 09:23:41
的額外電壓降。 特性在半橋配置中支持 2 個(gè) IGBT 閘極驅(qū)動(dòng)器推挽式拓?fù)淇赏ㄟ^(guò)單個(gè)控制器實(shí)現(xiàn)適用于三相電源的并行變壓器級(jí)適用于更高功率驅(qū)動(dòng)器的可擴(kuò)展電源可為每個(gè) IGBT 提供兩個(gè)隔離式輸出：+16V
2015-04-27 17:31:57
的額外電壓降。特性在半橋配置中支持 2 個(gè) IGBT 閘極驅(qū)動(dòng)器推挽式拓?fù)淇赏ㄟ^(guò)單個(gè)控制器實(shí)現(xiàn)適用于三相電源的并行變壓器級(jí)適用于更高功率驅(qū)動(dòng)器的可擴(kuò)展電源可為每個(gè) IGBT 提供兩個(gè)隔離式輸出：+16V
2015-03-23 14:35:34
本文介紹了在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中利用IR2110S完成mosfet驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，并給出試驗(yàn)結(jié)果。關(guān)鍵詞 步進(jìn)電機(jī)；mosfet 驅(qū)動(dòng)器
2009-03-31 23:29:46
55 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 當(dāng)今多種MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù)MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對(duì)如何將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說(shuō)明，實(shí)際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:0595 摘要：IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MoSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制，同時(shí)剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:4656 MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時(shí)間將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的
2010-06-11 15:23:20212 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 SCALE驅(qū)動(dòng)是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板，可用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應(yīng)用電路。
2010-10-16 17:29:3144 摘要：SCALE驅(qū)動(dòng)是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板，可用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典
2006-03-11 13:02:111878 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006018 
SCALE驅(qū)動(dòng)器的半橋接線電路
2010-02-18 21:55:541409 
SCALE驅(qū)動(dòng)器接線電路
2010-02-18 22:03:141459 
SCALE系列集成驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框電路
2010-02-18 22:30:561131 
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法，經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2011-09-20 11:55:03245 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44692 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強(qiáng)絕緣技術(shù)，而且還提供最大8 A的驅(qū)動(dòng)電流。
2016-05-10 17:39:341346 雙路智能大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器
2017-03-04 17:50:193 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:09946 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個(gè)中央絕緣主控制(IMC)和一到四個(gè)模塊適配型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門(mén)極驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)可輕松實(shí)現(xiàn)業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯(lián)。
2019-08-01 16:06:132439 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開(kāi)發(fā)。新的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。
2020-03-05 14:27:583784 SCALE-2單通道+15/-10V即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開(kāi)發(fā)。新的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器基于Power
2020-03-08 10:27:072136 近期 Vulkan 勢(shì)頭不小，游戲引擎 Godot 計(jì)劃年中發(fā)布的 4.0 大版本中將支持 Vulkan，Raspberry Pi 也即將迎來(lái) Vulkan 的支持?，F(xiàn)在我們還可以看到 FFmpeg 也將支持 Vulkan。
2020-03-16 09:38:552182 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0049 PI的SIC1182K和汽車(chē)級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門(mén)極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
2020-08-13 15:31:282476 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
SDK 1.2.162.0版本，完整支持新的Vulkan光追擴(kuò)展，包括驗(yàn)證層（Validation Layers），更新版GLSL、HLSL、SPIR-V著色器工具鏈的集成，開(kāi)源的Vulkan實(shí)例
2020-12-16 13:32:296012 根據(jù)英偉達(dá)官方的消息，英偉達(dá)新發(fā)布的 Game Ready 驅(qū)動(dòng)正式支持 Vulkan 光線追蹤，另外英偉達(dá)還更新了《雷神之錘 II》RTX 版游戲 Demo ，支持全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 英偉達(dá)表示
2020-12-25 09:03:582410 Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)集成電路。
2021-02-08 17:38:007374 
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357 
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動(dòng)器可靠、安全地驅(qū)動(dòng) 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGBT 外形尺寸。它非常適合高壓直流輸電和鐵路行業(yè)的高可靠性應(yīng)用。
2021-06-26 18:15:452236 的SCALE-iFlex Single門(mén)極驅(qū)動(dòng)器和新型即插即用型SCALE-iFlex LT雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。 SCALE-iFlex Single SCALE-iFlex Single緊湊型新驅(qū)動(dòng)器支持耐壓
2021-09-22 16:09:463657 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書(shū)中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:390 采用 IGBT 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的噪聲管理
2022-11-15 20:27:511 ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機(jī)IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí)，ACPL-339J使它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)
2022-12-15 13:58:19779 
使它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)額定功率使用一個(gè)硬件平臺(tái)通過(guò)交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開(kāi)關(guān)。這個(gè)概念最大化了門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的可伸縮性電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用范圍從低到高額定功率。
2023-02-22 14:54:521 在對(duì)功率模塊選型的時(shí)候要根據(jù)功率模塊的參數(shù)匹配合適的驅(qū)動(dòng)器。這就要求在特定的條件下了解門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)性能和參數(shù)的計(jì)算方法。 本文將以實(shí)際產(chǎn)品中用到的參數(shù)進(jìn)行計(jì)算說(shuō)明，并且對(duì)比實(shí)際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3912 柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 介紹
在設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34809 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:08232 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)
2023-12-14 11:37:10288 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36580 
電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:3650 
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