日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅動器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:202071 兩個主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們在電源系統(tǒng)設計中已經使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:071290 
中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅動器出廠提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 2KV、超高壓3KV-5KV）1206封裝貼片應用領域：適用于通訊設備之LAN界面；電子安定器（BALLASTER)及背光板逆變器（INVERTER)之應用電路。3、HVC-超高壓3KV-5KV1206
2017-08-11 11:57:51
IGBT高壓變頻調速電源設計提出用于高壓電動機變頻調速電源需考慮的串聯、諧波和效率等幾個問題；介紹由全控型電力電子器件IGBT按多重化PWM控制技術構成、目前已商品化的高壓變頻器，可用于中、高壓交流電動機的直接變頻調速。[hide][/hide]
2009-12-11 09:32:30
IGBT、MOS驅動器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
開關電源，鎮(zhèn)流器,高頻感應加熱,高頻逆變焊機，通信電源等等高頻電源領域。IGBT集中應用于焊機、逆變器,變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域 。開關電源 (Switch Mode Power
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET和IGBT內部結構不同,于是也決定了其應用領域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅動離散功率級，以驅動IGBT柵極。推薦產品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關產品請 點擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
的老式設計，節(jié)約了大量空間。 MOSFET或IGBT作為變流器控制開關，使用隔離驅動器驅動MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
AN1315，用于三相電機驅動的L6386 MOSFET功率驅動器評估板。 L6386，用于三相電機驅動的MOSFET功率驅動器。三相演示板是用于評估和設計高壓柵極驅動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
的效率密切相關。 對于門驅動器或者逆變器應用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅動能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應用 與MOSFET相比，IGBT開關速度較慢
2022-06-28 10:26:31
FAN7391MX是一款單片高側和低側柵極驅動 IC，可驅動工作在高達 +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級，所有 NMOS 晶體管設計用于實現高脈沖電流驅動
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
描述：NCP302045MNTWG在一個封裝中集成了 MOSFET 驅動器、高壓側 MOSFET 和低壓側 MOSFET。該驅動器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉換器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅動器IC，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術，以確保正確驅動高端電源開關。該驅動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅動IC，提供兩個輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅動器，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
用于降壓配置的典型應用模擬調光用于RT8462高壓大電流LED驅動器控制器，用于降壓，升壓或降壓 - 升壓拓撲。 RT8462是一款電流模式PWM控制器，設計用于驅動外部MOSFET，用于高電流LED應用
2019-10-18 08:35:31
用于降壓，升壓或降壓 - 升壓拓撲的RT8462高壓大電流LED驅動器控制器的降壓 - 升壓配置的典型應用模擬調光。 RT8462是一款電流模式PWM控制器，設計用于驅動外部MOSFET，用于高電流LED應用
2019-10-18 08:36:09
用于降壓和升壓或降壓 - 升壓拓撲的RT8475高壓大電流LED驅動器控制器的升壓配置中的典型應用模擬調光。 RT8475是一款電流模式PWM控制器，設計用于驅動外部MOSFET，用于高電流LED應用
2019-10-18 08:38:44
典型應用降壓 - 升壓配置中的模擬調光，用于RT8475高壓大電流LED驅動器控制器，用于降壓和升壓或降壓 - 升壓拓撲。 RT8475是一款電流模式PWM控制器，設計用于驅動外部MOSFET，用于高電流LED應用
2019-10-16 08:39:41
用于降壓配置的典型應用模擬調光用于RT8482高壓大電流LED驅動器控制器，用于降壓 - 升壓或降壓 - 升壓拓撲。 RT8482是一款電流模式PWM控制器，設計用于驅動外部MOSFET，用于高電流LED應用。當電流檢測放大器閾值為190mV時，LED電流可通過一個外部電流檢測電阻進行編程
2019-10-17 07:34:07
典型應用降壓配置中的模擬調光，當VIN2超過150V時，用于RT8485高壓大電流LED驅動器控制器，用于降壓，升壓或降壓 - 升壓拓撲。 RT8485是一款電流模式PWM控制器，設計用于驅動外部MOSFET，用于高電流LED應用
2019-10-21 08:35:26
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉?zhèn)鲗А?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達200伏。特性：·完全運行至+200 V·柵極驅動電源范圍為10 V至20 V·欠壓鎖定
2021-05-11 19:41:22
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉?zhèn)鲗?。漂浮的通?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
驅動器，用于IGBT、MOSFET和2.5A，源和2.5A匯峰值輸出電流和5kVRMS加強隔離等級。SLMi350罐驅動低壓側和高壓側功率場效應晶體管。鑰匙，特點和特點帶來顯著的，性能和可靠性升級超過
2021-03-30 18:09:09
本帖最后由 24不可說 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內部結構不同,決定了其應用領域的不同. 1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
電機驅動設計中MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計相關文章資料，大家可以看看，對大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
IGBT沒有體二極管或者IGBT內部的續(xù)流二極管壞掉了。IGBT非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
白光LED廣泛用于小型液晶顯示器(LCD)面板及鍵盤背光以及指示器應用。高亮度LED則用于手機和數碼相機的閃光光源。這些應用需要優(yōu)化的驅動器解決方案，能夠延長電池使用時間、減小印制電路板(PCB)面積及高度。在這些應用領域，常見的LED驅動器方案涉及線性、電感型或電荷泵型不同拓撲結構，各有其特點。
2019-10-18 06:07:32
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
極驅動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3?！ D3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅動器，用于故障信號通信。IX6611設計用于為高功率開關器件提供柵極驅動
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們如何用DSP產生PWM波驅動IGBT的驅動器？代碼應該怎么寫??？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅動器集成電路 FAN7382 可以驅動最高在 +600V 下運行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術提供了高壓側驅動器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
管子開關影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，同時選用時應該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅動器的外殼結構以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
高壓發(fā)生器的方法，又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點，為電壓控制通斷的自關斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數十kHz頻率范圍內，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達 100A，運行頻率高達 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現寄生導通和關斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅動器
2018-09-30 09:23:41
IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅動器：這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MAX15054 高邊MOSFET驅動器，用于HB LED驅動器和DC-DC應用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅動器，高壓應用中可工作在較高的開關頻率
2010-01-28 08:43:041653 
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅動器MAX15054
Maxim不久前推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高
2010-02-01 10:03:00637 高能應用領域將廣泛采用Vishay液鉭電容器
2010-05-24 18:12:03705 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
器件的高度為2.5 mm，具有高隔離電壓，可用于電機驅動、可替代能源和其他高壓應用
2015-05-28 16:23:57798 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅動器設計，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 介紹目前高壓隔離驅動器應用領域及三種實現類型。
2016-06-08 16:28:143 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations這家為中高壓變頻器應用提供閘極驅動器技術的領導廠商，宣布出廠保形涂層用于其SCALE IGBT和MOSFET驅動器。保形涂層透過保護電子元件免于接觸污染物(例如
2018-05-07 08:28:011132 到3.3V邏輯。輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖器級，用于最小驅動交叉導通。該浮動通道可用于驅動從10到600伏特的高側配置的N溝道功率MOSFET或IGBT。
2018-07-17 08:00:00175 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅動設計
2018-08-16 00:24:004344 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。
2019-01-16 09:24:549203 
。輸出驅動器具有一個高脈沖電流緩沖級，設計用于最小驅動器交叉?zhèn)鲗А８油ǖ?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅動高側配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達600伏。
2019-03-28 08:00:0022 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創(chuàng)新者Power Integrations推出1SP0351 SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅動器，新產品專為東芝、Westcode和ABB
2020-03-05 14:27:583783 兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖級，設計用于最小驅動器交叉?zhèn)鲗?。浮動通?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅動高側配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓為10到600伏。
2020-04-28 08:00:0049 CMOS或LSTTL輸出兼容，低至3.3V邏輯。輸出驅動器具有一個高脈沖電流緩沖級，設計用于最小驅動器交叉?zhèn)鲗А８油ǖ?b class="flag-6" style="color: red">可用于驅動高側配置的N溝道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓高達600伏。
2020-07-21 08:00:0065 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 L6390是采用BCD“離線”技術制造的高壓設備。它是用于N溝道功率MOSFET或IGBT的單芯片半橋柵極驅動器。
2021-03-12 10:05:152225 
150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 SLM7888是一種高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有三個獨立的高低壓側參考輸出通道，用于三相應用。
2021-03-26 10:33:0676 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261103 
LN4303 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅動器，具有高低邊輸出，用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。
2022-07-13 16:42:036433 
MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 ID7S625高壓高低側柵極驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域
2023-03-01 11:02:141 IGBT應用領域和IGBT燒結銀工藝自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來，IGBT發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應用中取代了MOS和GTR，還在消費類電子應用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的眾多
2022-04-13 15:33:13695 
為滿足汽車市場對產品可靠性和安全性的需求，數明半導體近期推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT驅動芯片SiLM21814-AQ，該產品通過AEC-Q100認證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 在電機驅動系統(tǒng)中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34808 
在現代工業(yè)領域，伺服驅動器是一種關鍵的電氣裝置，它在機器控制和運動控制系統(tǒng)中發(fā)揮著至關重要的作用。無論是工業(yè)機器人、數控機床還是自動化生產線，伺服驅動器都是實現精準位置控制和高效運動控制的關鍵組件。本文將介紹伺服驅動器的工作原理、應用領域以及在現代工業(yè)中的重要作用。
2023-08-21 17:34:022333 igbt的應用領域有哪些? IGBT是一種檢測電壓的器件，它可以用于許多應用領域。本文將介紹IGBT的應用領域，并對每個領域進行詳盡的探討。 1. 電力電子設備 IGBT被廣泛應用于電力電子設備
2023-08-25 15:03:263060 電子發(fā)燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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工商網監(jiān)
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