0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析

西西 ? 來源:eeweb ? 作者:Avago 技術(shù) ? 2021-06-23 10:45 ? 次閱讀

本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。

Q1 和 Q2 未安裝。IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 可以安裝在 Q1(對(duì)于 TO-220 封裝)或 Q2(對(duì)于 TO-247 封裝)或通過短線連接從 Q1 或 Q2 提供的孔連接到驅(qū)動(dòng)器

D4 和 R7 未安裝(在焊接側(cè))。提供 D4 處的 15V 齊納封裝,以允許在需要時(shí)跨 Vcc2 和 Vee 施加 15V~30V 的單個(gè)直流電源。然后可以生成虛擬接地 Ve(在 Q1 或 Q2 的源極引腳),它充當(dāng)每個(gè) SiC/GaN MOSFET 源極引腳(或每個(gè) IGBT 的發(fā)射極引腳)的參考點(diǎn)。然后 Vcc2 將保持在比虛擬地 Ve 高 15V 的位置。需要 R7 來生成 D4 上的偏置電流

S2 和 S3 跳線默認(rèn)短路以將 Ve 連接到 Vee,假設(shè)不需要負(fù)電源。注意:如果需要負(fù)電源,則需要移除 S2 和 S3 跳線

自舉二極管 D3b 和電阻器 R6 默認(rèn)連接。假設(shè) Vcc2a 電源可用,提供這 2 個(gè)組件以幫助通過自舉生成 Vcc2b 電源。注意:自舉電源僅在 Q1 或 Q2 安裝在半橋配置中并通過適當(dāng)?shù)?PWM 驅(qū)動(dòng)信號(hào)打開和??關(guān)閉時(shí)才起作用

當(dāng) Vcc1 供電時(shí),S1 默認(rèn)短路以將 IN-(或 LED-,LED 的陰極)引腳接地。如果 IN- 不能接地,可以消除此短路

逆變器的上下臂將具有公共Vcc1(&Gnd1),允許Vcc1通過焊料連接在逆變器PCB的上下部分(和焊料側(cè)的Gnd1)之間;

還規(guī)定允許通過 IC2 上的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器從 Vcc1 生成 Vcc2(和 Vee)。使用此 DC/DC 轉(zhuǎn)換器時(shí),應(yīng)斷開 S2、S3 (& R6)

ACPL-P349/W349 評(píng)估板顯示默認(rèn)連接

執(zhí)行檢查后,評(píng)估板可用于在仿真模式下測(cè)試頂部和底部半橋逆變器臂之一,而無需 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET。要執(zhí)行測(cè)試,只需遵循下面概述的五個(gè)步驟(參見圖 2)。

測(cè)試半橋逆變器驅(qū)動(dòng)器的雙臂(無 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET)

評(píng)估板模擬測(cè)試設(shè)置

評(píng)估板模擬測(cè)試設(shè)置

  • 在 Q1 或 Q2 的柵極和發(fā)射極/集電極端子之間焊接一個(gè) 10nF 電容器(以模擬 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 的實(shí)際柵極電容
  • 在 CON1 的 +5V 和 GND 端子之間連接一個(gè) +5V 直流電源(直流電源 1)
  • 分別在 IC2a 的 Vcc2(IC2 的第 7 腳)和 Vee(IC2 的第 5 腳)端子上連接另一個(gè)直流電源(電壓范圍為 15V~30V 的直流電源 2)。出于測(cè)試目的,這可以是非隔離的
  • 連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)
  • 使用多通道數(shù)字示波器捕獲以下點(diǎn)的波形
編輯:hfy
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7164

    瀏覽量

    213274
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1267

    文章

    3793

    瀏覽量

    249009
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器

    關(guān)注

    8

    文章

    743

    瀏覽量

    38985
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器包括BOM及層圖

    和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道
    發(fā)表于 10-16 17:15

    驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換的IC生態(tài)系統(tǒng)

    ,其中SiC MOSFET用于高頻開關(guān),Si IGBT用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 10-22 17:01

    SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1

    從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)評(píng)估
    發(fā)表于 11-30 11:31

    如何使用電流源極驅(qū)動(dòng)器BM60059FV-C驅(qū)動(dòng)SiC MOSFETIGBT?

    驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望,開發(fā)了一種測(cè)試,其中測(cè)試了分立式IGBTSiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊
    發(fā)表于 02-21 16:36

    IR2117 單通道MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路

    單通道MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117 IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 12-08 10:21 ?6899次閱讀
    IR2117 單通道<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>或</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>集成電路

    Avago_ACPL-P343_ACPL-P343_ACPL-P343_ACPL-P343_(W343)_IGBT_柵極驅(qū)動(dòng)方案

    ACPL-P343 (W343) IGBT柵極驅(qū)動(dòng)方案
    發(fā)表于 12-30 15:47 ?57次下載

    基于SiC_GaN功率器件的光電耦合

    僅為 100ns(最大值)。因此,新產(chǎn)品可用于驅(qū)動(dòng)以高速運(yùn)行為特點(diǎn)的 SiC/GaN 功率半導(dǎo)體器件,此外,也可用于驅(qū)動(dòng) IGBT。此次推出
    發(fā)表于 09-12 16:07 ?1次下載

    ACPL-P349-000E 2.5A輸出電流SiC / GaN MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Broadcom(ti)ACPL-P349-000E相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有ACPL-P349-000E的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,ACPL-P349-000E真值表,
    發(fā)表于 07-04 13:06
    <b class='flag-5'>ACPL-P349</b>-000E 2.5A輸出電流<b class='flag-5'>SiC</b> / <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>光電耦合<b class='flag-5'>器</b>

    ACPL-W349-000E 2.5A輸出電流SiC / GaN MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Broadcom(ti)ACPL-W349-000E相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有ACPL-W349-000E的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,ACPL-W349-000E真值表,
    發(fā)表于 07-04 12:58
    <b class='flag-5'>ACPL-W349</b>-000E 2.5A輸出電流<b class='flag-5'>SiC</b> / <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>光電耦合<b class='flag-5'>器</b>

    IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光交換ACPL-P343/W343的功能特性及應(yīng)用

    用于IGBT / MOSFET驅(qū)動(dòng), AC和無刷DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng),能源再生逆變器,逆變工業(yè)狀語(yǔ)從句:開關(guān)電源。本文介紹了
    的頭像 發(fā)表于 03-29 15:26 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>光交換<b class='flag-5'>器</b><b class='flag-5'>ACPL-P</b>343/<b class='flag-5'>W</b>343的功能<b class='flag-5'>特性</b>及應(yīng)用

    ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET

    ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
    發(fā)表于 05-27 13:55 ?30次下載
    ADI隔離<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>和WOLFSPEED <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

    MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
    發(fā)表于 11-29 16:29 ?70次下載

    隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN

    報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
    發(fā)表于 12-18 09:39 ?539次閱讀
    隔離式<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>的演變(<b class='flag-5'>IGBT</b>/<b class='flag-5'>SiC</b>/<b class='flag-5'>GaN</b>)

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?803次閱讀

    Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?740次閱讀