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      Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

      CHANBAEK ? 來源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-23 11:34 ? 次閱讀

      近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。

      IX4352NE驅(qū)動(dòng)器是專為驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能使得它成為這些高端電力電子元件的理想驅(qū)動(dòng)選擇。

      隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對電力電子元件的性能要求也越來越高。Littelfuse公司憑借其在電子元件領(lǐng)域的深厚積累，成功研發(fā)出這款具有創(chuàng)新性的IX4352NE驅(qū)動(dòng)器，為工業(yè)應(yīng)用提供了更加可靠、高效的解決方案。

      此次發(fā)布的IX4352NE驅(qū)動(dòng)器，無疑將推動(dòng)工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，為行業(yè)發(fā)展注入新的活力。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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