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　　光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺？ 它們的作用是什幺？

　　答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是： TRACK（涂膠顯影機(jī)）， Sanner（掃描曝光機(jī)）

　　為什幺說(shuō)光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)

　　答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片，而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的照相機(jī)。 光罩上的電路圖形就是”人物“。 通過(guò)對(duì)準(zhǔn)，對(duì)焦，打開(kāi)快門， 讓一定量的光照過(guò)光罩， 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上， 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽， 被顯影液浸泡， 曝光的光刻膠被洗掉， 圖形就顯現(xiàn)出來(lái)了。

　　光刻技術(shù)的英文是什幺

　　答：Photo Lithography

　　常聽(tīng)說(shuō)的.18 或點(diǎn)13 技術(shù)是指什幺？

　　答：它是指某個(gè)產(chǎn)品，它的最小”CD“ 的大小為0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高， 每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多， 難度也越大。它是代表工藝水平的重要參數(shù)。

　　從點(diǎn)18工藝到點(diǎn)13 工藝到點(diǎn)零9. 難度在哪里？

　　答：難度在光刻部， 因?yàn)閳D形越來(lái)越小， 曝光機(jī)分辨率有限。

　　曝光機(jī)的NA 是什幺？

　　答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開(kāi)的角度的正玹值。 最大是1; 先進(jìn)的曝光機(jī)的NA 在0.5 ---0.85之間。

　　曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的？

　　答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波長(zhǎng);NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑; k1是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù)， 通常在0.4--0.7之間。

　　如何提高曝光機(jī)的分辨率呢？

　　答：減短曝光的光波長(zhǎng)， 選擇新的光源; 把透鏡做大，提高NA.

　　現(xiàn)在的生產(chǎn)線上， 曝光機(jī)的光源有幾種， 波長(zhǎng)多少？

　　答：有三種： 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線， 我們也稱其為I-line; KrF 激光器， 產(chǎn)生248 nm 的光; ArF 激光器， 產(chǎn)生193 nm 的光;

　　下一代曝光機(jī)光源是什幺？

　　答：F2 激光器。 波長(zhǎng)157nm

　　我們可否一直把波長(zhǎng)縮短，以提高分辨率？ 困難在哪里？

　　答：不可以。 困難在透鏡材料。 能透過(guò)157nm 的材料是CaF2， 其晶體很難生長(zhǎng)。 還未發(fā)現(xiàn)能透過(guò)更短波長(zhǎng)的材料。

　　為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？

　　答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光，所以采用黃光; 就象洗像的暗房采用暗紅光照明。

　　什幺是SEM

　　答：掃描電子顯微鏡（Scan Electronic Microscope）光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來(lái)測(cè)量CD

　　如何做Overlay 測(cè)量呢？

　　答：芯片（Wafer）被送進(jìn)Overlay 機(jī)臺(tái)中。 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個(gè)MARK 是一個(gè)方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu)。大方塊是前層， 小方塊是當(dāng)層;通過(guò)小方塊是否在大方塊中心來(lái)確定Overlay的好壞。

　　生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺

　　答：曝光機(jī);5-15 百萬(wàn)美金/臺(tái)

　　曝光機(jī)貴在哪里？

　　答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng) （它的成像系統(tǒng)由15 到20 個(gè)直徑在200 300MM 的透鏡組成。波面相位差只有最好象機(jī)的5%. 它有精密的定位系統(tǒng)（使用激光工作臺(tái)）

　　激光工作臺(tái)的定位精度有多高？

　　答：現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺(tái)定位的重復(fù)精度小于10nm

　　曝光機(jī)是如何保證Overlay《50nm？

　　答：曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對(duì)準(zhǔn)精度《50nm. 它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激光工作臺(tái)， 它把wafer移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置。 再就是成像系統(tǒng)，它帶來(lái)的圖像變形《35nm.

　　在WAFER 上， 什幺叫一個(gè)Field？

　　答：光罩上圖形成象在WAFER上， 最大只有26X33mm一塊（這一塊就叫一個(gè)Field），激光工作臺(tái)把WAFER 移動(dòng)一個(gè)Field的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝光。 直到覆蓋整片WAFER。 所以，一片WAFER 上有約100左右Field.

　　什幺叫一個(gè)Die？

　　答：一個(gè)Die也叫一個(gè)Chip;它是一個(gè)功能完整的芯片。 一個(gè)Field可包含多個(gè)Die;

　　為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)”

　　答：曝光機(jī) 很貴；一天的折舊有3萬(wàn)-9萬(wàn)人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能，它一天可產(chǎn)出1600片WAFER。

　　Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer：

　　答：機(jī)器人手臂（robot）， Scanner 的ROBOT 有真空（VACCUM）來(lái)吸住WAFER. TRACK的ROBOT 設(shè)計(jì)獨(dú)特， 用邊緣HOLD WAFER.

　　可否用肉眼直接觀察測(cè)量Scanner曝光光源輸出的光

　　答：絕對(duì)禁止;強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害

　　為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation（底座）

　　答：Scanner曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求（減震）

　　近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段？

　　答：從80’S 至今可分4階段：它是由曝光光源波長(zhǎng)劃分的;高壓水銀燈的G-line（438nm）， I-line（365nm）; excimer laser KrF（248nm）， ArF laser（193nm）

　　I-line scanner 的工作范圍是多少？

　　答：CD 》0.35um 以上的圖層（LAYER）

　　KrF scanner 的工作范圍是多少？

　　答：CD 》0.13um 以上的圖層（LAYER）

　　ArF scanner 的工作范圍是多少？

　　答：CD 》0.08um 以上的圖層（LAYER）

　　什幺是DUV SCANNER

　　答：DUV SCANNER　是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet， 超紫外線．即現(xiàn)用的248nm，193nm Scanner

　　Scanner在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解：

　　答：Scanner 是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制iverlay《40nm，在曝光過(guò)程中，光罩和Wafer的運(yùn)動(dòng)要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位置《10nm．相當(dāng)于兩架時(shí)速1000公里／小時(shí)的波音747飛機(jī)前后飛行，相距小于10微米

　　光罩的結(jié)構(gòu)如何？

　　答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時(shí)，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護(hù)鉻膜不受外界污染。

　　在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙

　　答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃（particle）．進(jìn)cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.

　　如何做CD 測(cè)量呢？

　　答：芯片（Wafer）被送進(jìn)CD SEM 中。 電子束掃過(guò)光阻圖形（Pattern）。有光阻的地方和無(wú)光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同; 處理此信號(hào)可的圖像。對(duì)圖像進(jìn)行測(cè)量得CD.

　　什幺是DOF

　　答：DOF 也叫Depth Of Focus， 與照相中所說(shuō)的景深相似。 光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一側(cè)的某個(gè)平面成像， 我們稱之為像平面（Image Plan）， 只有將像平面與光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰圖形。 當(dāng)離開(kāi)一段距離后， 圖像模糊。 這一可清晰成像的距離叫DOF

　　曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？

　　答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉．去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當(dāng)例子注入的模板．

　　光阻種類有多少？

　　答：光阻種類有很多．可根據(jù)它所適用的曝光波長(zhǎng)分為I-line光阻，KrF光阻和ArF光阻

　　光阻層的厚度大約為多少？

　　答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)．I-line光阻最厚，0.7um to 3um. KrF光阻0.4-0.9um. ArF光阻0.2-0.5um.

　　哪些因素影響光阻厚度？

　　答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)．

　　哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

　　答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)．

　　當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

　　答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet），把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療