臺積電的厲害之處 - 臺積電梁孟松為何走_(dá)臺積電的厲害之處

　　臺積電的厲害之處

　　臺積電作為***掛在嘴邊的世界級企業(yè)，肯定有他的獨(dú)到之處，在芯片代工業(yè)內(nèi)的地位毋庸置疑。但它有什么技術(shù)含量，外人以為無非就是買荷蘭日本德國的機(jī)器回來操作，比富士康高級那么一點(diǎn)，畢竟是操作極其精密的設(shè)備。 那么臺積電的技術(shù)優(yōu)勢在哪里？

　　臺積電目前是世界排名第3的半導(dǎo)體供應(yīng)商。臺積電提供客戶：1專利使用。2開放的技術(shù)平臺。3先進(jìn)制程。4高良率產(chǎn)品?？蛻粲辛烁拍?，即可利用臺積電現(xiàn)成的技術(shù)平臺及專利，由臺積電用先進(jìn)制程生產(chǎn)。

　　光有設(shè)備沒用，主要是如何生產(chǎn)出 體積更小/更高效率/快速/省電/高良率/低成本 的制程，這些都是臺積電最擅長的。

　　而評斷半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力：1晶體管效能，2芯片金屬層連結(jié)（更細(xì)的線徑），3芯片閘密度。臺積電都已超越CPU大廠英特爾成為世界第1。

　　英特爾執(zhí)行長科再奇：未來會高度依賴臺積電，臺積電是英特爾很寶貴且很有價(jià)值的合作伙伴。

　　臺積電每年投資超過100億美元，研發(fā)費(fèi)超過20億美元。世界上只有 臺積電 和 英特爾 用自己技術(shù)生產(chǎn)。其他廠家都要付授權(quán)費(fèi)生產(chǎn)。

　　臺積電進(jìn)步極快，每一代制程都比上一代效率更高30%左右，速度更快30%左右，省電30%左右，成本低20-40%，體積也更小。所以臺積電獨(dú)占全球市場利潤90%。

　　2012年28nm制程，比40nm制程芯片成本降低30%，全球市場占有率80%以上。

　　2014年20nm制程，比28nm制程芯片成本降低19%，全球市場占有率80%以上，蘋果i7的A8處理器。

　　2015年16nm/16nm+制程，全球市場占有率80%以上，效率比三星及GF的14nm制程效率高10%。蘋果A9處理器。

　　2015年12月10nm制程，比16nm制程芯片成本降低33%，仍將占有全球市場80%以上，蘋果A10處理器。

　　2016年12月7nm制程。為了加快7nm制程進(jìn)度，2013年投資荷蘭AMSL公司數(shù)億美元并提供專利及技術(shù)支援，以加快設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。

　　原本韓國三星14nm制程已拿到蘋果下一代A9處理器，但因良率太低只有30%，無法突破。蘋果看到臺積電16nm+制程效率比三星14nm制程高10%，且良率達(dá)90%，因而蘋果A9處理器轉(zhuǎn)單給臺積電。韓國三星被迫退出蘋果A9處理器競爭。

　　韓國三星10nm制程一直沒有進(jìn)展，而臺積電10nm制程已有樣品產(chǎn)出，設(shè)備已在竹科12廠安裝，預(yù)計(jì)15年12月投片生產(chǎn)，因而蘋果下下一代的A10處理器，全數(shù)交由臺積電生產(chǎn)。

　　臺積電 及 聯(lián)電（全球市場占有率約10%）都是80年代由 政府經(jīng)濟(jì)部-工業(yè)研究院-電子所轉(zhuǎn)制的國營企業(yè)，臺積電CEO由經(jīng)濟(jì)部工業(yè)研究院院長張忠謀擔(dān)任。20多年來一路走來篳路藍(lán)縷。2000年臺積電自我評估為世界較大的2流企業(yè)。立志為一哥，加大將利潤轉(zhuǎn)投入研發(fā)，加快了推出下一代的新制程，鯉躍龍門成為世界排名第3的半導(dǎo)體供應(yīng)商。

　　大者恒大：臺積電目前全球市場占有率約60%，隨著專利及技術(shù)的累計(jì)，每一代制程的研發(fā)經(jīng)費(fèi)及建廠成本倍數(shù)增長，和同行的技術(shù)距離越拉越大，越來越難追趕。幸而市場增長大于臺積電建廠速度，其他各廠家仍有低端市場可分食。

　　客戶要產(chǎn)品：更省電/更快/效率更高/體積更小/更先進(jìn)的制程，只有臺積電能提供。而臺積電先進(jìn)制程成本遠(yuǎn)低于其他廠家；產(chǎn)品良率遠(yuǎn)高于同行（臺積電平均良率90%，同行平均良率70%）；自己專利及技術(shù)不需付授權(quán)費(fèi)；報(bào)價(jià)比同行高15%，所以臺積電仍將獲取全球市場利潤的90%。在過去幾年及未來幾年陸續(xù)推出更先進(jìn)制程，產(chǎn)能仍會維持滿載狀態(tài)。

　　臺積電的三大優(yōu)勢匯總

　　近期美林證券就指出，臺積電雖然整體技術(shù)仍落后于英特爾，但目前仍有三優(yōu)勢存在：

　　其一、臺積電于20 納米制程時(shí)的金屬導(dǎo)線寬間距（metal pitch） 為65 納米，而英特爾于22 納米制程時(shí)的金屬導(dǎo)線寬間距則為80 納米，相較之下臺積電更具密度優(yōu)勢。

　　其二、若就功耗而言，ARM 架構(gòu)的CPU 和英特爾的Atom 處理器相比，仍舊擁有優(yōu)勢。

　　其三、臺積的20 納米制程將于明年初開始量產(chǎn)，并在明年下半年放量，這個(gè)時(shí)程仍較英特爾快上一季左右。