RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。

按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM,DRAM)。

SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

對(duì)于SSRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。

這一點(diǎn)與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

DRAM（Dynamic RAM）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。

因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。

SRAM的速率高、性能好，它主要有如下應(yīng)用：

1）CPU與主存之間的高速緩存。

2）CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存。

SDRAM（Synchronous DRAM）即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指 Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

DRAM演進(jìn)及詳細(xì)分類：

A.DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失

B. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

C. DDR: SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時(shí)鐘信號(hào),第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。 SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的頻率，第一代內(nèi)存用時(shí)鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時(shí)鐘信號(hào)為100或 133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號(hào)，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人將SDRAM錯(cuò)誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導(dǎo)。SDR不等于SDRAM。

ROM(Read-Only Memory)只讀存儲(chǔ)器，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，資料并且不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而消失。

FLASH即閃存。它是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

EEPROM即電子可擦除只讀存儲(chǔ)器。EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。

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U630H64內(nèi)含反相映射的 8k 字節(jié) SRAM 和 8k 字節(jié) EEPROM ,通過命令可以將SRAM 中的數(shù)據(jù)寫入 EEPROM 或把 EEPROM 中的數(shù)據(jù)回送至 SRAM , 以備斷電時(shí)的數(shù)據(jù)保護(hù)。該芯片所采用保護(hù)數(shù)據(jù)的方法是除

2009-04-25 13:33:00

基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本

2010-02-06 10:41:10

#硬聲創(chuàng)作季計(jì)算機(jī)組成原理：40.DRAM和SRAM（13-'22-'-'）

DRAMsramRAM計(jì)算機(jī)原理

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-16 11:57:39

SRAM,SRAM原理是什么?

SRAM,SRAM原理是什么? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。 SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快

2010-03-24 16:11:32

8479

8515 SRAM AVR的RAM擴(kuò)展方法

本內(nèi)容提供了8515 SRAM AVR的RAM擴(kuò)展方法，詳細(xì)列出了電路圖

2011-07-11 17:36:39

關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同,　FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同

2011-12-28 10:02:19

6031

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？答：名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式 SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，

2012-11-13 15:08:22

3345

flash搬運(yùn)到ram里運(yùn)行的實(shí)現(xiàn)方法

flash搬運(yùn)到ram里運(yùn)行的實(shí)現(xiàn)方法。。。。。。。。。

2016-03-04 15:29:23

STM32 FLASH模擬EEPROM資料

STM32 FLASH模擬EEPROM資料，mcu，單片機(jī)相關(guān)的知識(shí)及內(nèi)容。

2016-03-10 17:14:10

FLASH和EEPROM的區(qū)別

FLASH和EEPROM的區(qū)別

2017-03-29 09:09:14

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用解析

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（static RAM），簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲(chǔ)器有SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）、FLASH（閃速存儲(chǔ)器）、DRAM（動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性

2017-11-16 10:19:55

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別解析

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司

2017-12-02 11:08:32

30765

嵌入式學(xué)習(xí)筆記之--ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的概念解析

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。

2017-12-02 11:15:56

5181

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

常見存儲(chǔ)器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存儲(chǔ)器可以分為很多種類，其中根據(jù)掉電數(shù)據(jù)是否丟失可以分為RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和ROM（只讀存儲(chǔ)器

2017-12-04 14:23:04

1862

對(duì)RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡單介紹

RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。

2018-01-17 10:59:50

8250

DRAM內(nèi)存演進(jìn)及詳細(xì)分類

使用的程序。按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路

2018-09-21 22:27:01

229

單片機(jī)上FLASH和EEPROM有什么不同？

FLASH的全稱是FLASHEEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)

2018-09-21 22:40:01

779

DRAM演進(jìn)及詳細(xì)分類

2018-09-22 00:06:01

1049

AVR單片機(jī)中的EEPROM介紹及EEPROM和FLASH的區(qū)別說明

FLASH是用于存儲(chǔ)程序代碼的，有些場(chǎng)合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫的（運(yùn)行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能

2019-09-26 17:16:00

為什么單片機(jī)有了Flash還有EEPROM

Flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。既然兩者差不多，為什么單片機(jī)中還要既有Flash又有EEPROM呢？

2019-05-03 09:45:00

4601

PROM和EEPROM以及FLASH的區(qū)別

EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。

2019-05-07 10:56:46

6810

2019年6月DRAM與NAND Flash跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)

DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。

2019-07-06 11:38:56

3485

STM8S_ 007_片內(nèi)FLASH和EEPROM編程

STM8S_007_片內(nèi)FLASH和EEPROM編程

2020-03-20 10:00:37

4092

物聯(lián)網(wǎng)ram繼承PSRAM的積極特性

比內(nèi)部SRAM更大的內(nèi)存。物聯(lián)網(wǎng)ram繼承了PSRAM的積極特性-結(jié)合了一個(gè)相對(duì)簡單的SRAM接口和DRAM存儲(chǔ)單元技術(shù)，該接口簡化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)，與SRAM相比降低了產(chǎn)品成本（降低了10倍），并且

2020-04-04 14:28:00

2863

DRAM、SRAM和Flash原理解析

DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。

2020-07-29 11:14:16

11867

SRAM和DRAM的區(qū)別

SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場(chǎng)效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu)：

2020-08-22 09:21:00

18043

如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH）

相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序

2020-12-17 14:56:38

10520

SRAM和DRAM的介紹，它們的原理以及特點(diǎn)是怎樣的

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存

2021-01-11 16:48:18

19307

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，FLASH MEMORY。這里討論

2021-01-11 16:44:20

1714

剖析STM32的FLASH和SRAM的使用情況

: keil5 芯片: STM32F105VCT6 02FLASH和SRAM介紹 FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是FLASH的存儲(chǔ)容量都普遍的大于

2021-04-09 17:53:02

7246

存儲(chǔ)器RAM中按原理的分類和總結(jié)

方法把SRAM/DRAM/DDRAM歸為RAM類，ROM/EEPROM/HDD/FLASH歸到ROM類。其實(shí)，這種歸類方法大致是以掉電是否丟失信息的標(biāo)準(zhǔn)劃歸的，而不是簡單的readonly。下文不采用

2021-04-12 10:18:47

3844

N76E003的EEPROM問題解決方案：使用Data Flash模擬EEPROM

介紹如何使用Data Flash模擬EEPROM，并且利用SRAM加速資料讀寫的速度。內(nèi)容包含原理介紹、性能數(shù)據(jù)以及使用建議。附錄提供范例程序源碼以及函數(shù)庫。

2021-07-30 09:28:41

MCU——SRAM和Flash

2021-10-25 13:36:09

"Difference Among ROM, RAM and FLASH"

先不寫廢話，先來個(gè)總結(jié)：電腦的外存用的是ROM，雖然叫read only memory，但是現(xiàn)在的ROM用的大多是FLASH，都是可寫的，名字上一直沿用了ROM這個(gè)叫法電腦的內(nèi)存用的是RAM隨機(jī)訪問

2021-11-26 19:51:07

區(qū)分單片機(jī)RAM、ROM、Flash

復(fù)習(xí)單片機(jī)中ROM、RAM、Flash的區(qū)別

2021-12-01 20:36:13

EEPROM 和SPI flash的區(qū)別

（4KB）接口為iic。外置eeprom芯片一般是作為MCU芯片內(nèi)部eeprom的補(bǔ)充，用于存儲(chǔ)設(shè)置參數(shù)。 SPI Flash的容量就大很多了，常見的32Mbit（4MB），我們已經(jīng)在ESP8266

2021-12-01 21:06:08

單片機(jī)中為什么有了Flash還有EEPROM？

Flash:Flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。既然兩者差不多，為什么單片機(jī)中還要既有Flash

2021-12-02 10:06:06

stm32 單片機(jī) flash以ram的理解

stm32f429ZIT6這個(gè)型號(hào)的單片機(jī)進(jìn)行介紹。STM32F429ZIT6微控制器2048KB FLASH，256 KB SRAM，SDRAM 64Mbits。最高180MHz主頻FLASH先說flash ，它在嵌入式系統(tǒng)中的功能可以和硬盤在PC中的功能相比。它們都是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的，好比是

2021-12-02 10:21:13

單片機(jī)中為什么有了Flash還有EEPROM？

2021-12-02 10:51:20

keil編譯之后占用flash、ram大小

keil編譯之后占用flash、ram大小

2021-12-02 11:06:10

STT-RAM取代DRAM內(nèi)存

自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫性能以...

2022-01-26 18:32:39

SRAM與ROM和Flash Memory的區(qū)別

靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是內(nèi)存單元需要大量的晶體管，所以價(jià)格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器加電時(shí)，無需刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，一般不是行列地址復(fù)用。

2022-10-24 17:18:36

2662

如何理解EEPROM和Flash

flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。

2023-01-29 11:11:07

774

從幾個(gè)方面去介紹下Flash和EEPROM的區(qū)別

Flash和EEPROM都是非易失性存儲(chǔ)器，就是你設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留，如果是RAM的話掉電數(shù)據(jù)直接就丟了。

2023-03-08 14:07:00

17556

如何區(qū)分SRAM與DRAM

今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。

2023-03-30 14:11:51

589

為什么單片機(jī)語音芯片既有flash又有EEPROM

為什么單片機(jī)語音芯片既有flash又有EEPROM單片機(jī)語音芯片運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)存在于RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)中，停電后無法保留RAM的數(shù)據(jù)時(shí)，如何在停電后不丟失數(shù)據(jù)呢？這需要使用EEPROM

2022-09-16 10:00:08

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說說EEPROM和FLASH的那些事

最開始參加工作的時(shí)候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當(dāng)時(shí)只是覺得這兩個(gè)東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應(yīng)該大差不差。那真是這樣么？這篇就來說說EEPROM和FLASH的那些事。

2023-08-10 11:15:03

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