亥姆霍茲線圈是一種具有特殊磁場(chǎng)分布的線圈結(jié)構(gòu)，由兩個(gè)相等的半徑相距一定距離的同軸圓環(huán)組成。亥姆霍茲線圈由于其特殊的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)，使得其磁場(chǎng)具有一系列特點(diǎn)，下面將詳細(xì)介紹。 首先，亥姆霍茲線圈的磁場(chǎng)均勻
2024-03-09 09:08:48
375 近期的演示會(huì)上，美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營(yíng)收達(dá)到79.5億美元，環(huán)比增長(zhǎng)近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16186 
智能制造的五個(gè)特點(diǎn)，如同五顆璀璨的繁星，引領(lǐng)著制造業(yè)邁向全新的高度。制造業(yè)智能化升級(jí)已經(jīng)站在風(fēng)口的浪尖，成為全球政策的“新寵”和未來(lái)工業(yè)變革的主流趨勢(shì)。
2024-02-23 10:43:27336 
共基放大電路其特點(diǎn)是將晶體管的基極共同連接到一個(gè)固定的參考電壓（通常是地或負(fù)電源），從而使輸入信號(hào)和輸出信號(hào)都在晶體管的發(fā)射極和集電極之間產(chǎn)生。這種配置與共射極放大電路和共源極MOSFET放大電路
2024-02-03 11:31:57461 
怎樣區(qū)分LED開關(guān)電源是恒流和恒壓？ LED開關(guān)電源是一種專門用于驅(qū)動(dòng)LED器件的電源設(shè)備，其主要特點(diǎn)是具有恒流或恒壓輸出的特性。那么如何區(qū)分LED開關(guān)電源是恒流還是恒壓呢？下面將從工作原理、特點(diǎn)
2024-01-15 14:43:55791
5G外置天線
新品介紹
5G圓頂天線和Whip天線旨在提供617 MHz至6000 MHz的寬帶無(wú)縫高速互聯(lián)網(wǎng)接入連接解決方案。這些天線的特點(diǎn)是高增益，即使在具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境中也能確保強(qiáng)大的信號(hào)
2024-01-02 11:58:24
在幾何學(xué)中，四邊形和六邊形是兩個(gè)常見的多邊形形狀。它們在不同的方面具有不同的特點(diǎn)和用途。本文將比較壓線鉗四邊形和六邊形的特征、性質(zhì)以及應(yīng)用，以幫助讀者更好地理解它們并做出選擇。 一、四邊形的特征
2023-12-28 17:05:12837 變壓器勵(lì)磁涌流的特點(diǎn)是什么？ 變壓器勵(lì)磁涌流是指在變壓器工作時(shí)，當(dāng)電壓施加到變壓器繞組上時(shí)，會(huì)在繞組中產(chǎn)生瞬時(shí)的大電流，這種電流稱為勵(lì)磁涌流。勵(lì)磁涌流是變壓器啟動(dòng)過(guò)程中的一種瞬態(tài)現(xiàn)象，其特點(diǎn)有以下
2023-12-25 14:40:08415 惠斯通電橋的特點(diǎn)是什么? 惠斯通電橋是一種用于測(cè)量電阻的電路?；菟雇姌虻?b class="flag-6" style="color: red">特點(diǎn)是其高靈敏度和準(zhǔn)確性，因此被廣泛用于電阻、電壓或電流的測(cè)量和校準(zhǔn)。 惠斯通電橋由四個(gè)電阻和一個(gè)檢測(cè)器組成，其中兩個(gè)電阻
2023-12-21 14:02:15450 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 怎樣設(shè)計(jì)和驗(yàn)證TRL 校準(zhǔn)件以及TRL 校準(zhǔn)的具體過(guò)程
2023-12-14 09:40:37
0 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么？它們是如何影響計(jì)算機(jī)性能的？ ROM和RAM是計(jì)算機(jī)中常見的兩種存儲(chǔ)器件，它們在功能、結(jié)構(gòu)和性能方面有很大的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹ROM和RAM的主要區(qū)別以及它們
2023-12-11 11:42:581053 門。盡管它們都是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先，DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)開關(guān)組成。在讀寫數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:003905 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 熱敏電阻器的典型特點(diǎn)是對(duì)溫度敏感，不同的溫度下表現(xiàn)出不同的電阻值
2023-12-05 18:20:53275 激光冷水機(jī)的制冷系統(tǒng)有四大主要部件：壓縮機(jī)、冷凝器、蒸發(fā)器和節(jié)流閥，今天跟隨酷凌小編一起來(lái)學(xué)習(xí)一下冷凝器的種類和特點(diǎn)都有哪些？ 冷凝器按照其冷卻介質(zhì)的不同，可分為水冷式冷凝器、空氣冷卻式冷凝器以及
2023-11-28 20:01:23359 
DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536 
和輸出波形有很大的差異。下面將詳細(xì)介紹這兩種晶振的工作原理、特點(diǎn)和輸出波形。 有源晶振是指由外部能源驅(qū)動(dòng)的晶振。它包括晶體振蕩器、放大器和補(bǔ)償電路。有源晶振的核心部分是晶體振蕩器，它由晶體諧振器和放大器構(gòu)成。晶
2023-11-22 16:42:581061 芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
介紹RC串聯(lián)電路的特點(diǎn)以及如何計(jì)算延時(shí)時(shí)間。 首先，RC串聯(lián)電路的特點(diǎn)如下： 1. 時(shí)間常數(shù)：RC串聯(lián)電路的一個(gè)重要特性是時(shí)間常數(shù)。時(shí)間常數(shù)（τ）表示電容充放電到63.2%所需的時(shí)間。它是通過(guò)電阻和電容的乘積得出的，即τ = R * C。時(shí)間常數(shù)決定了
2023-11-20 17:05:391831 車規(guī)級(jí)晶振的特點(diǎn)與應(yīng)用 車規(guī)級(jí)晶振與消費(fèi)級(jí)晶振的區(qū)別 車規(guī)級(jí)晶振與消費(fèi)級(jí)晶振是用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的晶振，它們在性能、可靠性和應(yīng)用環(huán)境等方面存在一些區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹車規(guī)級(jí)晶振的特點(diǎn)與應(yīng)用，并與消費(fèi)
2023-11-17 11:31:52460 DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非?？?，如HBM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲(chǔ)器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 的影響。UPS電源廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括家庭、商業(yè)、工業(yè)以及信息技術(shù)等領(lǐng)域。每個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的UPS電源都具有不同的特點(diǎn)和區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹每個(gè)領(lǐng)域以及UPS電源的應(yīng)用、特點(diǎn)和區(qū)別。 1. 家庭應(yīng)用： 在家庭應(yīng)用中，UPS電源主要用于保護(hù)家庭辦公設(shè)備、娛樂設(shè)備和安全設(shè)備等，如
2023-11-09 16:53:33555 Cache是位于CPU與主存儲(chǔ)器即DRAM（Dynamic RAM，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）之間的少量超高速靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM（Static RAM）
2023-10-31 15:07:23346 
何為多元線性回歸？對(duì)比于前一天學(xué)習(xí)的線性回歸，多元線性回歸的特點(diǎn)是什么？ 多元線性回歸與簡(jiǎn)單線性回歸一樣，都是嘗試通過(guò)使用一個(gè)方程式來(lái)適配數(shù)據(jù)，得出相應(yīng)結(jié)果。不同的是，多元線性回歸方程，適配的是兩個(gè)
2023-10-31 10:34:10525 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大??？
2023-10-20 07:39:21
本文介紹雙極性SPWM控制的特點(diǎn)，雙極性控制都是高頻開關(guān)，沒有工頻開關(guān)。Q1,Q2同步開關(guān)，Q3,Q4同步開關(guān)。
2023-10-18 12:23:221172 
據(jù)TrendForce的研究顯示，第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開始全面上漲。特別是DRAM，預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。然而，這波上漲是否能持續(xù)，取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度，尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18377 非易失性的新技術(shù)，力求制造出同時(shí)替代閃存和DRAM的通用存儲(chǔ)。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲(chǔ)形式，因?yàn)槠涮匦圆煌荒鼙环謩e用于特定場(chǎng)景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點(diǎn)，但缺點(diǎn)在于
2023-10-09 00:10:001311 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 
硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫著，有過(guò)AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問(wèn)，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來(lái)，然后簡(jiǎn)要說(shuō)一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒能說(shuō)出來(lái)。
2023-10-01 14:08:002382 
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421902 
通常需要在芯片內(nèi)配置大容量的SRAM來(lái)減少片外DRAM的訪存需求，如何組織SRAM，并且配合上述計(jì)算流程，也是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)內(nèi)容。
2023-09-22 14:16:49381 
功率放大器是電子系統(tǒng)中常見的一種設(shè)備，其主要功能是將低功率輸入信號(hào)放大為高功率的信號(hào)輸出。功率放大器具有多種特點(diǎn)，下面西安安泰電子將詳細(xì)介紹功率放大器的幾個(gè)主要特點(diǎn)。
2023-09-20 14:10:49344 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
實(shí)現(xiàn)一個(gè)觸發(fā)器電路，并且這種電路適用于各種器件，比如MOS，CMOS以及TTL等。Cross-coupled結(jié)構(gòu)在工業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用，例如SRAM，DRAM，PLA和PROM等。本文將詳細(xì)介紹
2023-09-17 16:25:07755 MCU（Microcontroller Unit）是一種集成了處理器、存儲(chǔ)器和輸入/輸出接口的微型計(jì)算機(jī)芯片。它可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化、智能家居等。本文將介紹MCU的基本原理、分類、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 18:24:531745 PWM（Pulse Width Modulation）是一種常見的信號(hào)調(diào)制技術(shù)，用于控制電路中的電壓和電流。它通過(guò)改變脈沖的寬度來(lái)控制電路中的信號(hào)強(qiáng)度和頻率。本文將介紹PWM的基本原理、分類、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 17:29:405396 FPGA（Field Programmable Gate Array）是一種可編程邏輯器件，它可以通過(guò)編程實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字電路功能。FPGA技術(shù)以其靈活性、高性能和低功耗等特點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。本文將介紹FPGA的基本原理、分類、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 17:28:451788 CAN總線技術(shù)是一種廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的串行通信協(xié)議。它是由德國(guó)公司BOSCH開發(fā)的，全稱為Controller Area Network（控制器局域網(wǎng)）。本文將對(duì)CAN總線的基本概念、工作原理、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
2023-09-12 17:04:032006 儀表放大器的特點(diǎn)是什么？? 儀表放大器是一種電路，其主要作用是將傳感器、電量表等弱電信號(hào)放大，使其能夠被獲取并使用。在我們的日常生活中，儀表放大器廣泛應(yīng)用于各種計(jì)量系統(tǒng)和測(cè)試儀器中，例如電壓表
2023-09-05 17:39:161193 面對(duì)各種不同種類的CAN通信收發(fā)器，你是否知道該如何選型?NXP推出了多種類型的CAN收發(fā)器，它們除了能滿足基本的CAN通信需求外，每種系列還各具特點(diǎn)。本文介紹它們的特點(diǎn)及應(yīng)用，為您使用NXP CAN收發(fā)器時(shí)提供借鑒。
2023-09-05 14:05:221203 
在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
。 靈活的安裝和配置 另一個(gè)重要特點(diǎn)是IO擴(kuò)展模塊的靈活安裝和配置。這些模塊通常具有緊湊的設(shè)計(jì)，可以輕松安裝在不同的設(shè)備上，無(wú)論是機(jī)架內(nèi)部還是現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備。同時(shí)，它們通常支持多種通信接口，如以
2023-08-31 18:14:56
電子技術(shù)中電路的特點(diǎn)是什么？? 電路作為電子技術(shù)的基礎(chǔ)，是一個(gè)由元器件（如電容器、電阻器、電感器、晶體管等）和導(dǎo)線等組成的電氣網(wǎng)絡(luò)，能夠?qū)崿F(xiàn)各種電氣信號(hào)的控制和處理。電路的特點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面
2023-08-29 15:46:512176 ，具有非常強(qiáng)的表征能力。在本文中，我們將詳細(xì)介紹CNN的原理和特點(diǎn)。 一、CNN的原理 1. 卷積操作 CNN最顯著的特點(diǎn)是卷積操作。卷積是一種數(shù)學(xué)運(yùn)算，它通過(guò)一個(gè)濾波器在原數(shù)據(jù)上滑動(dòng)，并輸出一個(gè)新的特征圖。卷積操作可以提取原始圖像的局部特征信息，同時(shí)保留空間關(guān)系和共性特征。
2023-08-21 17:15:251023 本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源，包括特性、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景等。
2023-08-15 15:41:121145 讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
AI大模型是指參數(shù)數(shù)量巨大的人工智能模型。它們通常用于處理大量數(shù)據(jù)，并使用深度學(xué)習(xí)等復(fù)雜算法來(lái)學(xué)習(xí)和識(shí)別數(shù)據(jù)中的模式和趨勢(shì)。本文將詳細(xì)介紹AI大模型的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)，以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-08-08 17:02:023745 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032205 影響。 什么是led貼膜屏？led貼膜屏也叫l(wèi)ed玻璃屏，主要的特點(diǎn)是通透性強(qiáng)、超薄...且顯示效果新穎，在理想的觀看距離內(nèi)，觀看到的圖像好像就浮在墻體上，沒顯示載體，3D裸眼效果般體驗(yàn)。主要運(yùn)用在建筑幕墻和商業(yè)零售兩個(gè)領(lǐng)域。邁普光彩led貼
2023-07-25 07:52:421182 本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
貼片Y電容是一種廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中的電子元器件。它的作用是存儲(chǔ)電荷，并將其釋放到電路中。在電路中，電容器常常被用來(lái)濾波、消噪、分離、放大和整流等方面。在這些應(yīng)用中，貼片Y電容都發(fā)揮了重要作用。今天弗瑞鑫將詳細(xì)介紹貼片Y電容的工作原理、特點(diǎn)、選擇以及應(yīng)用。
2023-07-14 14:22:24546 元器件原理＜DRAM＞ 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 ＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞ 存儲(chǔ)單元
2023-07-12 17:29:08754 
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測(cè)試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。
2023-07-07 09:58:03666 
IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 在彩色電視機(jī)和其他一些電子設(shè)備中采用開關(guān)電源，開關(guān)電源中采用開關(guān)變壓器，以下介紹了開關(guān)變壓器的工作特點(diǎn)是什么，以及開關(guān)變壓器電路的分析方法及注意事項(xiàng)，供大家參考。
2023-07-04 16:09:45885 
特銳祥是一家擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的電子元件供應(yīng)商，其推出的特銳祥貼片Y電容是一款高性能的電容器件。今天弗瑞鑫小編將詳細(xì)介紹特銳祥貼片Y電容的技術(shù)參數(shù)、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-06-29 17:33:26371 PCB表面的處理工藝多種多樣，這里介紹9種常見的處理工藝，以及它們的適用場(chǎng)景
2023-06-29 14:18:471665 )。擴(kuò)頻技術(shù)是一種用帶寬換取靈敏度的技術(shù),Wi-Fi ZigBee 等技術(shù)都使了擴(kuò)頻技術(shù),但是LoRa 調(diào)制的特點(diǎn)是可以最大效率地提高靈敏度,以至于接近香農(nóng)定理的極限。尤其是在低速率通信系統(tǒng)中,打破了傳統(tǒng)的 FSK 窄帶系統(tǒng)的實(shí)施極限。
2023-06-29 11:53:351071 
貼片電容器是電子電路中最常見的電容器之一，而Y1電容器則是其中的一種類型，廣泛應(yīng)用于各種電氣設(shè)備和家用電器的電路中。今天弗瑞鑫小編將詳細(xì)介紹貼片Y1電容的特點(diǎn)、應(yīng)用、以及如何正確選用和使用。
2023-06-27 16:19:31541 Zigbee是一種低功耗、低數(shù)據(jù)傳輸速率的無(wú)線通信技術(shù)，主要用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備之間的短距離通信。以下是關(guān)于Zigbee技術(shù)的定位詳解和特點(diǎn)： 1.???? 定位詳解： ?????? Zigbee是一種
2023-06-20 14:01:29874 
隨著技術(shù)的發(fā)展，可充電電池已經(jīng)無(wú)處不在，這些類型的電池變得越來(lái)越強(qiáng)大和緊湊。本文重點(diǎn)介紹市場(chǎng)上最常用的可充電電池以及它們之間的區(qū)別。我們不會(huì)更深入地研究它們的化學(xué)成分或種類，而是它們的重要特性，它們之間的差異以及每種電池類型最合適的應(yīng)用。本文將幫助您選擇適合您未來(lái)項(xiàng)目供電的電池。
2023-06-18 15:12:291098 總線開關(guān)（通常稱為數(shù)字交換機(jī)）是設(shè)計(jì)用于連接高速數(shù)字總線的產(chǎn)品。它們具有亞納秒級(jí)傳播延遲和快速開關(guān)，并且不引入額外的噪聲或直流功耗，非常適合電壓轉(zhuǎn)換、熱插拔、熱插拔、總線或電容隔離以及許多其他
2023-06-17 15:25:571049 
內(nèi)部默認(rèn)
加速器時(shí)鐘 1000 MHz
設(shè)計(jì)峰值 SRAM 帶寬 16.00 GB/s
設(shè)計(jì)峰值 DRAM 帶寬 3.75 GB/s
使用的 SRAM 總量 370.91 KiB
使用的 DRAM
2023-06-05 11:36:22
DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
EEPROM的變種，變成了一類存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37
隨著科技的不斷發(fā)展，大數(shù)據(jù)已經(jīng)成為當(dāng)今信息化時(shí)代的主要驅(qū)動(dòng)力之一。大數(shù)據(jù)的特點(diǎn)是什么？
2023-05-12 10:27:251685 現(xiàn)在，我正在使用帶有 SDRAM 的 imxrt1052。所有變量都在 SDRAM 中。但我想要 SRAM 中的一些變量，以及 SDRAM 中的其他變量。怎么做 ？
2023-05-12 08:23:11
01 MIB的發(fā)送特點(diǎn)是什么？
NR中MIB和SIB的總體結(jié)構(gòu)與LTE類似，區(qū)別在于SIB的發(fā)送方式。
在LTE系統(tǒng)中，無(wú)論UE是否需要，小區(qū)側(cè)配置的SIBx總是周期性的發(fā)送，而NR系統(tǒng)
2023-05-06 12:55:24
我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開發(fā)應(yīng)用程序。
應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個(gè)可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？
2023-04-28 07:00:20
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)是怎樣的？它有哪些特點(diǎn)？
2023-04-25 09:20:07
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
的使用也沒有問(wèn)題，如下圖所示。但是，如果我嘗試修改（禁用、啟用或插入新的外圍設(shè)備或驅(qū)動(dòng)器），編譯器會(huì)溢出 SRAM。（見下圖）下圖是我嘗試做的一個(gè)例子。我禁用了 CAN 外設(shè)來(lái)做一些測(cè)試，但是當(dāng)我啟用它們
2023-04-20 09:06:04
下面深入探討了輸配電系統(tǒng)以及有助于優(yōu)化它們的組件，例如轉(zhuǎn)換器、機(jī)器學(xué)習(xí)和高級(jí)分析、負(fù)載管理和配電自動(dòng)化。在電網(wǎng)系統(tǒng)中，輸電和配電對(duì)于確保高效可靠地輸送電力至關(guān)重要。多年來(lái)，輸配電技術(shù)有了顯著改進(jìn)
2023-04-18 16:11:08
單片機(jī)項(xiàng)目都會(huì)使用到延時(shí)，那么，該用軟件延時(shí)還是硬件延時(shí)？它們又有什么區(qū)別呢？
2023-04-11 10:47:122283 
續(xù)使用中不會(huì)出現(xiàn)一些麻煩，由于不同廠家出售的儀器具有不同的特點(diǎn)，下面就跟大家介紹一下VOC氣體檢測(cè)儀的特點(diǎn)是什么。 VOC檢測(cè)儀的特點(diǎn)是什么 1.VOC檢測(cè)儀采用一體化設(shè)計(jì)，內(nèi)置泵吸式檢測(cè)裝置，可以同時(shí)測(cè)量并實(shí)時(shí)顯示一種或多種氣
2023-04-10 16:01:52419 
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
大家好，請(qǐng)問(wèn)大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎？我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h，但是uboot 無(wú)法運(yùn)行，見日志如下。還有一個(gè)
2023-04-03 06:40:26
前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來(lái)談?wù)凪emory Compiler，以及通過(guò)它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378516 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說(shuō)明各個(gè)層次存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和區(qū)別，并對(duì)它們的工作原理做一些簡(jiǎn)要的說(shuō)明
2023-03-30 10:32:39580 
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說(shuō)明各個(gè)層次存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和區(qū)別，并對(duì)它們的工作原理做一些簡(jiǎn)要的說(shuō)明
2023-03-30 10:32:16624 
親愛的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問(wèn)題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
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