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光刻技術(shù)工藝及應(yīng)用

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  • 第 1 頁(yè):光刻技術(shù)工藝及應(yīng)用
  • 第 2 頁(yè):光致抗蝕劑
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相關(guān)推薦

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過(guò)光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長(zhǎng)是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:1524

半導(dǎo)體制造工藝光刻工藝詳解

半導(dǎo)體制造工藝光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:54690

什么是光刻工藝?光刻的基本原理

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn), 光刻工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:53438

光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō),光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對(duì)硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:53581

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止,但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:16952

繞開EUV光刻,下一代納米壓印光刻技術(shù)從存儲(chǔ)領(lǐng)域開始突圍

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))提及芯片制造技術(shù),首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。眾所周知在芯片行業(yè),光刻是芯片制造過(guò)程中最重要、最繁瑣、最具挑戰(zhàn)也最昂貴的一項(xiàng)工藝步驟。在光刻機(jī)的支持下,摩爾定律
2023-07-16 01:50:152565

3D IC對(duì)光刻技術(shù)的新技術(shù)要求

外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-30 10:06:02131

基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)
2023-06-29 10:02:17161

淺談半導(dǎo)體制造中的光刻工藝

在之前的文章里,我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在,讓我們繼續(xù)了解光刻工藝,通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢?
2023-06-28 10:07:471266

光刻對(duì)準(zhǔn)原理與精度控制

外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-26 17:00:19446

ASML光刻機(jī)發(fā)展歷程 光刻機(jī)核心系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試,實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-15 11:14:532495

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試,實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:203467

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041286

采用光刻膠犧牲層技術(shù)改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來(lái),不再進(jìn)行濕法刻蝕,避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響,同時(shí),基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:35700

淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過(guò)程中,幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:03697

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:33922

什么是光刻技術(shù)

光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:321324

不只需要光刻機(jī):芯片制造的五大關(guān)鍵工藝

光刻機(jī)”是芯片制造中的關(guān)鍵設(shè)備,并且隨著芯片技術(shù)演進(jìn),晶體管特征尺寸越來(lái)越小,需要用到的光刻機(jī)就越尖端。因?yàn)?b style="color: red">光刻機(jī)技術(shù)的差距,以及光刻機(jī)故事的不斷被渲染, “光刻技術(shù)”仿佛成為了半導(dǎo)體技術(shù)的唯一重要技術(shù)。
2023-04-04 09:51:492720

納米壓印光刻,能讓國(guó)產(chǎn)繞過(guò)ASML嗎?

日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù),并試圖靠它再次逆襲,日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱,對(duì)比EUV光刻工藝,使用納米壓印光刻工藝制造芯片,能夠降低將近四成制造成本和九成電量,鎧俠 (KIOXIA)、佳能和大日本印刷等公司則規(guī)劃在2025年將該技術(shù)實(shí)用化。
2023-03-22 10:20:391347

剖析光刻機(jī)的種類與原理

用于集成電路制造的光刻機(jī)有兩種:半導(dǎo)體光刻機(jī)和光學(xué)(光刻光刻機(jī)。下面將分別介紹這兩種光刻機(jī)的相關(guān)知識(shí)。半導(dǎo)體光刻機(jī)是根據(jù)芯片制造的工藝和設(shè)備來(lái)劃分的,可以分為:193納米濕法光刻、 DUV、 ArF+ ALD等技術(shù)路線,以及傳統(tǒng)的干法光刻技術(shù)路線。
2023-03-03 11:36:546651

X射線光刻(X-ray lithography)技術(shù)是什么意思

X射線光刻(X-ray lithography)技術(shù)是電子工業(yè)中用于選擇性去除一部分薄膜的工藝。使用X射線將幾何圖形轉(zhuǎn)移光敏光刻膠上。然后進(jìn)行一系列化學(xué)處理,將產(chǎn)生的圖案雕刻到光刻膠下方的材料中。
2022-12-28 09:20:263251

光刻機(jī)的工作原理以及關(guān)鍵技術(shù)

導(dǎo)讀:光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。光刻是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。 光刻機(jī)的工作原理: 利用光刻
2022-12-23 13:34:546622

光刻的分類和工藝流程

該工序使用涂膠裝置(涂膠機(jī))。為了去除光刻膠中含有的溶劑,在70 ~ 90°C的溫度下進(jìn)行前烘(Pre -Bake)。在曝光裝置上“繪制”掩膜圖形。接下來(lái)進(jìn)行顯影,只留下必要的光刻膠。之后,為了完全
2022-12-09 10:23:543856

半導(dǎo)體光刻技術(shù)的起源與發(fā)展

光刻是半導(dǎo)體工業(yè)的核心技術(shù)。自1960年Fairchild Semiconductor的羅伯特·諾伊斯發(fā)明單片集成電路以來(lái),光刻一直是主要的光刻技術(shù)。
2022-11-14 11:36:461920

計(jì)算光刻技術(shù)的發(fā)展

計(jì)算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)來(lái)增強(qiáng)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移保真度的一種方法,它是分辦率增強(qiáng)技術(shù)(ResolutionEnhancement
2022-10-26 15:46:221935

#硬聲創(chuàng)作季 微電子工藝光刻83.2--光刻

IC設(shè)計(jì)工藝光刻
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 02:03:43

深度解析EUV光刻工藝技術(shù)

光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞,也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:052736

光刻工藝的基本步驟

傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的,普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見(jiàn)下表)。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐,可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2912687

沉浸式光刻技術(shù)是什么 原理是什么

沉浸式光刻技術(shù)是在傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中,其鏡頭與光刻膠之間的介質(zhì)是空氣,而所謂浸入式技術(shù)是將空氣介質(zhì)換成液體。實(shí)際上,浸入式技術(shù)利用光通過(guò)液體介質(zhì)后光源波長(zhǎng)縮短來(lái)提高分辨率,其縮短的倍率即為液體介質(zhì)的折射率。
2022-10-13 16:51:382506

半導(dǎo)體光刻工藝過(guò)程(2)

盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論,但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線(圖 1-3)是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化,大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:54794

光刻工藝中使用的曝光技術(shù)

根據(jù)所使用的輻射,有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中,有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:532708

duv光刻機(jī)和euv光刻機(jī)區(qū)別是什么

目前,光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線,EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù),EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1075655

euv光刻機(jī)可以干什么 光刻工藝原理

光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:076696

半導(dǎo)體等精密電子器件制造的核心流程:光刻工藝

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2022-06-21 09:30:0914135

Silvaco TCAD工藝技術(shù)參數(shù)及其說(shuō)明

?OPTOLITH模塊可對(duì)成像(imaging),光刻膠曝光(exposure),光刻膠烘烤(bake)和光刻膠顯影(development)等工藝進(jìn)行精確定義
2022-03-15 14:16:473322

半導(dǎo)體光刻是什么

平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法,以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中,石頭是硅片,而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果,從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:531611

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導(dǎo)體工藝

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝,同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?;一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失,改善了周期時(shí)間,釋放
2022-03-01 14:39:431215

光刻機(jī)是干什么用的 光刻機(jī)廠商有哪些

光刻機(jī)又被稱為掩膜對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),在芯片生產(chǎn)中用于光刻工藝,而光刻工藝又是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的一步,所以光刻機(jī)又是芯片生產(chǎn)中不可缺少的設(shè)備,總得來(lái)說(shuō)光刻機(jī)是用來(lái)制造芯片的。
2022-02-06 07:25:0028839

印刷電子制造中的厚膜光刻技術(shù)

“厚膜光刻工藝是一種通過(guò)厚膜金屬化技術(shù)(簡(jiǎn)稱“厚膜技術(shù)”)與光刻技術(shù)相結(jié)合,達(dá)到高精度、低成本、高效率、高靈活性,并已開始成熟商用化的新型微納量產(chǎn)制造技術(shù)。
2022-01-17 16:51:091218

光刻機(jī)制作芯片過(guò)程

光刻機(jī)制作芯片過(guò)程非常復(fù)雜,而光刻機(jī)是制造芯片最重要的設(shè)備之一,由于先進(jìn)光刻機(jī)的技術(shù)封鎖,中國(guó)芯片廠商的芯片制作工藝目前比較落后,也沒(méi)有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)來(lái)掌握到最先進(jìn)的光刻技術(shù)。
2021-12-30 11:23:2110681

有關(guān)半導(dǎo)體工藝的問(wèn)題

circuit technique )(百度百科)電子集成技術(shù)工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34

關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識(shí)點(diǎn)集合

的、顆粒的、會(huì)影響光刻膠的厚度。 涂膠:根據(jù)工藝要求,目前常用的兩種涂膠工藝,一個(gè)就是旋轉(zhuǎn)涂覆、一個(gè)就是噴涂。根據(jù)工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。 前烘:就比較講究了,因?yàn)檫@東西肉眼看不見(jiàn)變化。只有最后
2021-10-13 10:59:423595

集成電路制造的光刻與刻蝕工藝

光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過(guò)光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963

集成電路的發(fā)展與其制造工藝─——光刻技術(shù)

光刻技術(shù)的進(jìn)步使得器件的特征尺寸不斷減小,芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領(lǐng)下,光學(xué)光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進(jìn)投影、步進(jìn)掃描投影等曝光方式的變革。
2020-12-14 15:06:446163

芯片光刻技術(shù)的基本原理及主要步驟

幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。 光刻技術(shù)的基本原理 光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感
2020-11-11 10:14:2021591

PCBA開發(fā)的開發(fā)受到光刻工藝的影響

重要要點(diǎn) l 什么是光刻? l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說(shuō),有史以來(lái)研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因,從來(lái)源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161224

提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)光刻機(jī)的發(fā)展情況

作為光刻工藝中最重要設(shè)備之一,光刻機(jī)一次次革命性的突破,使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機(jī) 光刻機(jī)(Mask
2020-08-28 14:39:0411220

光刻機(jī)既是決定制程工藝的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),也是國(guó)內(nèi)芯片設(shè)備最為薄弱的環(huán)節(jié)

根據(jù)所用光源改進(jìn)和工藝創(chuàng)新,光刻機(jī)經(jīng)歷了 5 代產(chǎn)品發(fā)展,每次光源的改進(jìn)都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。在技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新上,光刻機(jī)經(jīng)歷了兩次重大變革,在歷次變革中,ASML 都能搶占先機(jī),最終奠定龍頭地位。
2020-08-03 17:04:422170

為什么只有ASML才能制造出頂級(jí)光刻機(jī),其技術(shù)難度有多高

大家都知道,目前我國(guó)光刻機(jī)技術(shù)至少落后荷蘭ASML15年,目前荷蘭ASML的頂級(jí)光刻機(jī)可以達(dá)到7nm工藝,目前他們正大研發(fā)5nm工藝光刻機(jī)。
2020-04-19 23:43:2610005

光刻技術(shù)的原理詳細(xì)說(shuō)明

光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技與社會(huì)發(fā)展中,光刻技術(shù)的增長(zhǎng),直接關(guān)系到大型計(jì)算機(jī)的運(yùn)作等高科技領(lǐng)域。
2019-12-21 09:58:4019373

一文讀懂光刻機(jī)的工作原理

光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。光刻是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)
2019-11-23 10:45:54156527

EUV設(shè)備讓摩爾定律再延伸三代工藝 但需克服諸多挑戰(zhàn)

臺(tái)積電近日宣布,已經(jīng)開始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn),這是該公司乃至整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)工藝。作為EUV設(shè)備唯一提供商,市場(chǎng)預(yù)估荷蘭ASML公司籍此EUV設(shè)備年增長(zhǎng)率將超過(guò)66%。這個(gè)目標(biāo)是否能實(shí)現(xiàn)?EUV工藝在發(fā)展過(guò)程中面臨哪些挑戰(zhàn)?產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中需要突破哪些瓶頸?
2019-10-17 15:57:302262

助力高級(jí)光刻技術(shù):存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限,極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn),EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模,超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371564

中國(guó)與國(guó)外相比較光刻工藝差別到底在哪里

作為制造芯片的核心裝備,光刻機(jī)一直是中國(guó)的技術(shù)弱項(xiàng),其技術(shù)水平嚴(yán)重制約著中國(guó)芯片技術(shù)的發(fā)展。荷蘭ASML公司的光刻機(jī)設(shè)備處于世界先進(jìn)水平,日本光刻設(shè)備大廠都逐漸被邊緣化,國(guó)內(nèi)更是還有很大的差距。那么中國(guó)光刻工藝與國(guó)外頂尖公司究竟相差多少代技術(shù)呢?
2019-06-16 11:18:408021

一文讓你深度了解光刻機(jī)

光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)
2019-05-08 10:58:479824

深度探究光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技與社會(huì)發(fā)展中,光刻技術(shù)的增長(zhǎng),直接關(guān)系到大型計(jì)算機(jī)的運(yùn)作等高科技領(lǐng)域。
2019-03-03 10:00:313864

干貨!光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。
2019-03-02 09:41:2910877

淺析光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技與社會(huì)發(fā)展中,光刻技術(shù)的增長(zhǎng),直接關(guān)系到大型計(jì)算機(jī)的運(yùn)作等高科技領(lǐng)域。
2019-02-25 10:07:535619

光刻技術(shù)的基本原理!光刻技術(shù)的種類光學(xué)光刻

光刻技術(shù)是包含光刻機(jī)、掩模、光刻材料等一系列技術(shù),涉及光、機(jī)、電、物理、化學(xué)、材料等多個(gè)研究方向。目前科學(xué)家正在探索更短波長(zhǎng)的F2激光(波長(zhǎng)為157納米)光刻技術(shù)。由于大量的光吸收,獲得用于光刻系統(tǒng)
2019-01-02 16:32:2322173

EUV光刻工藝終于商業(yè)化 新一代EUV光刻工藝正在籌備

隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn),2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了,這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn),目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:403256

美光認(rèn)為暫時(shí)用不上EUV光刻機(jī),DRAM工藝還需發(fā)展

隨著技術(shù)的發(fā)展,今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝,下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝,2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝,預(yù)計(jì)到5nm工藝將會(huì)上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491105

光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過(guò)光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-06-27 15:43:5011578

芯片升級(jí)神助攻 光刻技術(shù)你了解多少?

光刻技術(shù)是集成電路最重要的加工工藝。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2018-04-22 17:54:003010

光刻技術(shù)概述及光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過(guò)光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得
2018-04-17 16:07:4133297

看懂光刻機(jī):光刻工藝流程詳解

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn), 光刻工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52160575

CPU制造工藝光刻技術(shù)詳解

光刻蝕 這是目前的CPU 制造過(guò)程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟,為什么這么說(shuō)呢? 光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕,由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為
2017-10-24 14:52:5816

EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點(diǎn)

推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎?這也不太可能,7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝,研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來(lái)15年,部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:423353

MEMS工藝(3光刻技術(shù))

本文提到MEMS技術(shù)中所應(yīng)有的光刻技術(shù),幫助讀者了解光刻技術(shù)的原理,應(yīng)用。
2016-04-28 11:35:3210

光刻技術(shù)領(lǐng)域的期盼與黯淡

擺脫光刻技術(shù)的沮喪看來(lái)遙遙無(wú)期。今天的193nm浸入式光刻技術(shù)仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先。業(yè)界一度認(rèn)為193nm浸入式光刻會(huì)在32nm遭遇極限
2011-03-21 10:00:332363

光刻膠與光刻工藝技術(shù)

光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21127

成門極換流晶閘管(IGCT)的光刻技術(shù)的設(shè)計(jì)工藝研究

主要介紹了集成門極換流晶閘管(IGCT)的光刻技術(shù)。IGCT器件的光刻次數(shù)多,精度要求高,如何保證光刻質(zhì)量是關(guān)鍵。根據(jù)IGCT光刻的特點(diǎn),從光刻機(jī)的性能、光刻膠的選用以及刻
2010-06-24 16:48:4314

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