基本的BJT反相器的動態(tài)性能
BJT開關(guān)速度受到限制的原因主要是由于BJT基區(qū)內(nèi)存儲電荷的影響,電荷的存入和消散需要一定的時間。
考慮到負(fù)載電容CL的影響后基本反相器將成為如下圖所示的電路
。圖中CL包含了門電路之間的接線電容以及門電路的輸入電容。
當(dāng)反相器輸出電壓vO由低向高過渡時 ,電路由VCC通過Rc對CL充電。
當(dāng)vO由高向低過渡時,CL又將通過BJT放電。
這樣,CL的充、放電過程均需經(jīng)歷一定的時間,這必然會增加輸出電壓vO波形的上升時間和下降時間。特別是CL充電回路的時間常數(shù)RcCL較大時,vO上升較慢,即增加了上升時間。
基于器件內(nèi)部和負(fù)載電容的影響 ,導(dǎo)致基本BJT反相器的開關(guān)速度不高。
尋求更為實用的TTL電路結(jié)構(gòu),是下面所要討論的問題。
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