三極管，又叫做雙極型三極管，是一種電流控制電流型半導(dǎo)體元器件，目前三極管的主要用途是信號放大，或者作為電子開關(guān)使用。
2023-09-11 16:27:16
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近年來，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41229 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙 極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器
2023-08-08 10:14:12
2 IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。
2023-07-13 11:03:24172 
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。
2023-07-13 10:34:40538 
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的，所以也叫場效應(yīng)三極管(FET)，簡稱場效應(yīng)管。
2023-06-14 09:25:34269 
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-06-06 10:47:12275 
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的，所以也叫場效應(yīng)三極管(FET)，簡稱場效應(yīng)管。
2023-06-06 10:10:56181 
極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semiconductor
2023-05-31 09:39:49406 功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2023-05-18 09:51:581839 
，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓
2023-05-17 15:09:122901 三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:431029 
，是電子電路的核心元件。狹義上的三極管指雙極型三極管，也是最基本最通用的三極管。廣義上的三極管有很多種，包括雙極型三極管、達(dá)林頓管、晶閘管等。貳晶閘管（可控硅）一
2023-04-03 09:39:594905 
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大的作用，是電子電路的核心元件。狹義上的三極管指雙極型三極管，也是最基本最通用的三極管。廣義上的三極管有很多種，包括雙極型三極管、達(dá)林頓管、晶閘管等。
2023-03-25 10:04:407180 IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-03-02 09:06:11968 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種
雙極性功率半導(dǎo)體器件，由BJT（
雙極型三極管）和MOS
管復(fù)合而成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，特別是50OV以上應(yīng)用中的功率損失相當(dāng)?shù)汀?/div>
2023-02-26 11:13:203928 IGBT ，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽為功率變流裝置
2023-02-24 10:28:320 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)
合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-23 09:52:070 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-02-22 16:53:472345 
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具M(jìn)OSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）及BJT（雙極型三極管）兩類器件優(yōu)勢，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小，在高壓、大電流、高速等方面同樣優(yōu)勢明顯。
2023-02-22 14:22:50182 三極管的定義：一種控制電流的半導(dǎo)體器件(也稱半導(dǎo)體三極管、雙極型三極管、晶體三極管)。 其屬于半導(dǎo)體主動元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。 三極管是在一塊半導(dǎo)體
2023-02-21 14:34:361180 
IGBT，中文名稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-02-20 17:21:122951 
三極管一種控制電流的半導(dǎo)體器件(也稱半導(dǎo)體三極管、雙極型三極管、晶體三極管)。其屬于半導(dǎo)體主動元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上
2023-02-17 16:26:183073 
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-02-17 16:14:20385 IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-02-16 16:44:56728 
`場效應(yīng)三極管的型號命名方法<br/> 現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表 材料
2009-04-25 15:42:55
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型
2023-02-09 17:42:45736 IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2023-02-08 09:51:371999 IGBT中文翻譯為：絕緣柵雙極型晶體管。是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成，兼具了這二者的優(yōu)點：高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降，也就是“驅(qū)動功率小而飽和壓降低”。這樣的優(yōu)點使IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)中。
2023-02-07 16:29:343632 三極管，又叫做雙極型三極管，是一種電流控制電流型半導(dǎo)體元器件，目前三極管的主要用途是信號放大，或者作為電子開關(guān)使用。
2022-11-10 16:33:513967 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型功率管的簡稱，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件
2022-10-19 17:11:181970 在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優(yōu)勢，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率
2022-09-27 11:36:06619 
狹義上，三極管指雙極型三極管，是最基礎(chǔ)最通用的三極管。
2022-09-20 10:14:342387 集成電路中用到的元件結(jié)構(gòu)和分立元件的單管結(jié)構(gòu)不同，例如二極管（PN結(jié)），雖有單向?qū)щ娦?，但是不能用于集成電路，集成電路中的結(jié)構(gòu)要復(fù)雜的多。
2022-08-20 12:00:102068 
之類的應(yīng)用，我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過 Bardeen &Brattain，是他們偶然之間發(fā)明了三極管，就像許多其它偉大的發(fā)現(xiàn)一樣。
2022-07-08 14:09:3512978 變頻電源內(nèi)部IGBT就是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管，組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。因為IGBT一般都是與反并聯(lián)的快速二極管封裝在一起，制成模塊，然后才成為導(dǎo)體器件。中港揚盛的變頻
2022-01-06 11:27:203 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)...
2021-12-17 18:21:512 IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-09 10:36:05110 IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。IGBT兼有兩種器件的優(yōu)點，電壓控制驅(qū)動，通流能力強，頻率最高可使用到100KHz，是中頻段理想的功率器件。
2021-04-13 18:24:377660 
導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管，這種三極管只有
2021-03-31 10:02:1290679 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是雙極型三極管放大電路的三種基本組態(tài)的學(xué)習(xí)課件免費下載包括了：共集電極放大電路，共基極放大電路，三種基本組態(tài)的比較
2020-12-15 08:00:0020 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的，所以也叫場效應(yīng)三極管（FET），簡稱場效應(yīng)管。
2020-11-14 11:31:264080 絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是由雙極型三極管（Bipolar Junction Transistor, BJT）和絕緣柵型
2020-04-20 22:15:193598 
IGBT是一種電壓控制型的大功率復(fù)合半導(dǎo)體器件，內(nèi)部輸入級為MOS場效應(yīng)管，輸出級為大功率的雙極型三極管。
2020-04-19 09:28:3215116 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體的特性和半導(dǎo)體二極管的詳細(xì)資料說明包括了：半導(dǎo)體的特性，半導(dǎo)體二極管，雙極型三極管(BJT)，場效應(yīng)三極管
2019-09-16 08:00:0018 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是模擬電路教程之半導(dǎo)體器件的詳細(xì)資料說明包括了：1.半導(dǎo)體的特性，2.半導(dǎo)體二極管，3.雙極型三極管(BJT)，4.場效應(yīng)三極管。
2019-06-21 08:00:0013 IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2019-03-06 16:17:2185877 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度、噪聲及抗干擾能力等方面較雙極型三極管均有著明顯的優(yōu)勢。
2019-02-06 18:22:003142 
場效應(yīng)管與雙極型三極管的比較：1、普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱為雙極型三極管；而在場效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大
2019-01-22 08:00:0048 晶體管原理及應(yīng)用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號
2019-01-16 13:45:163298 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型功率管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2018-12-12 09:22:0011118 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2018-06-28 09:51:43152444 
可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2018-01-26 13:54:5938446 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大
2018-01-26 13:43:0248910 
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大
2017-12-14 16:21:1169099 IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2017-12-14 15:25:4014834 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2017-06-01 08:38:169 IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力半導(dǎo)體器件， 兼有
2017-05-14 11:10:5333950 
晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等。晶體管作為一種可變開關(guān)。
2017-05-11 15:54:464467 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2017-05-10 16:37:304519 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2017-05-03 10:15:387642 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2017-04-27 08:49:458391 GBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2017-02-04 15:07:4918657 
2013-08-20 18:29:3388 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
2013-04-16 10:04:544452 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通
2012-09-21 09:39:58583 2012-08-31 15:25:1326 驅(qū)動電路由緩沖器U、電阻R2 、R3 及1 對小功率開關(guān)三極管對管B1 、B2 組成。當(dāng)控制信號為低電平時,同向緩沖器U 輸出低電平, a 點電位為低電位,雙極型三極管B1 、B2對管的基極電位為低電
2012-04-17 15:41:2714978 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT
2010-07-29 11:53:231768 模擬開關(guān)電路概述
模擬開關(guān)電路即對模擬信號進(jìn)行“通/斷”（ON/OFF）控制的電路，現(xiàn)在一般由晶體管（二極管、雙極型三極管、場效應(yīng)管等）作為開關(guān)器件
2010-05-24 10:55:143515 什么是結(jié)型場效應(yīng)管JFET
場效應(yīng)管是通過改變外加電壓產(chǎn)生的電場強度來控制其導(dǎo)電能力的半導(dǎo)體器件。
它不僅具有雙極型三極管的體積小,
2010-03-05 15:37:1116508 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:028718 場效應(yīng)管的型號命名方法
現(xiàn)行場效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)
2009-11-26 08:40:227582 小信號雙極型三極管 小信號硅三極管 通用低頻放大及其他
2009-11-12 14:17:1535 雙極型三極管
3.1.1 半導(dǎo)體
三極管的結(jié)構(gòu)
雙極型半導(dǎo)體
三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN
型和PNP
型?！ ?/div>
2009-11-09 16:21:0214340 
場效應(yīng)三極管的型號
場效應(yīng)三極管的型號, 現(xiàn)行有兩種命名方法。其一是與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O代表絕緣柵場效
2009-11-09 15:57:084443 場效應(yīng)三極管的型號命名方法及參數(shù)
現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效
2009-11-09 15:30:312011 BJT(雙極型三極管)噪聲的主要來源？
BJT的噪聲主要有三種： （1）熱噪聲：由于載流子不規(guī)則的熱運動通過BJT內(nèi)的體電
2009-04-22 20:48:443808 雙極型三極管和場效應(yīng)三極管的比較區(qū)別
2008-07-14 11:46:253114 
雙極型三極管
因有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程，故稱為雙極型三極管。
雙極型
2008-07-14 11:44:0599 已全部加載完成
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