資料介紹
場效應(yīng)管與雙極型三極管的比較:
1、普通三極管參與導(dǎo)電的,既有多數(shù)載流子,又有少數(shù)載流子,故稱為雙極型三極管;而在場效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電,故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管。
2、三極管是電流控制器件,通過控制基極電流到達(dá)控制輸出電流的目的。因此,基極總有一定的電流,故三極管的輸人電阻較低;場效應(yīng)管是電壓控制器件,其輸出電流決定于柵源極之間的電壓,柵極基本上不取電流,因此,它的輸入電阻很高,可達(dá)109~1014Ω。高輸入電阻是場效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)。
3、場效應(yīng)管的漏極和源極可以互換,耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負(fù),靈活性比三極管強(qiáng)。但要注意,分立的場效應(yīng)管,有時(shí)已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接,源極和漏極就不能互換使用了。
4、場效應(yīng)管和三極管都可以用于放大或作可控開關(guān)。但場效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用,可以在微電流、低電壓條件下工作,具有功耗低,熱穩(wěn)定性好,容易解決散熱問題,工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),且制作工藝簡單,易于集成化生產(chǎn),因此在目前的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中,MOS管占主要地位。
5、MOS管具有很低的級(jí)間反饋電容,一般為5—10pF,而三極管的集電結(jié)電容一般為20pF左右。
6、場效應(yīng)管組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)。
7、由于MOS觀的柵源極之間的絕緣層很薄,極間電容很小,而柵源極之間電阻又很大,帶電物體靠近柵極時(shí),柵極上感應(yīng)少量電荷產(chǎn)生很高的電壓,就很難放掉,以至于柵源極之間的絕緣層擊穿,造成永久性損壞。因此管子存放時(shí),應(yīng)使柵極與源極短接,避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時(shí),電烙鐵外殼要良好接地。
8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化; JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制,來改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制漏極電流的大??;MOSEFET是利用柵源電壓的大小,來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小。
OSFET用雙極性三極管的代替方法 :
一般說來,雙極性三極管不能直接代替MOSFET,這是因?yàn)樗鼈兊目刂铺匦圆灰粯?,MOSFET是電壓控制的器件,而雙極性三極管是電流控制的器件。MOSFET的控制電路是電壓型的,雙極性三極管不能直接代換MOSFET的,原驅(qū)動(dòng) MOSFET的電路由于驅(qū)動(dòng)電流太小,不足于驅(qū)動(dòng)雙極性三極。要想用原電路驅(qū)動(dòng)雙極性三極管,必須要在雙極性三極管之前加裝電流放大裝置。基于這個(gè)思想,在雙極性三極管之前加裝電流放大器,把電壓驅(qū)動(dòng)改為了電流驅(qū)動(dòng),即可代換成功。
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