富士通半導(dǎo)體于日前宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時(shí)還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基板GaN功率器件的目標(biāo)。該公司將
2012-11-12 09:16:21
1072 Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:311795 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而，目前商品化的氮化鎵系半導(dǎo)體光電元件均以藍(lán)寶石
2013-06-06 13:39:192417 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場(chǎng)發(fā)展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風(fēng)光宣布，共同成功開發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術(shù)的發(fā)光二極體（LED
2013-06-21 09:18:321888 GaN-on-Si技術(shù)可用來降低LED及功率元件的成本，將有助固態(tài)照明、電源供應(yīng)器，甚至是太陽(yáng)能板及電動(dòng)車的發(fā)展.
2013-09-12 09:33:291401 業(yè)界對(duì)GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實(shí)際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時(shí)尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車用高壓功率半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)IC等業(yè)務(wù)的電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)部高級(jí)總監(jiān)Mark Muenzer介紹了對(duì)GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:051598 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
2015-11-08 18:00:004908 
大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對(duì)比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標(biāo)示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0023135 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率
2022-11-07 06:26:02
的開關(guān)頻率意味著任何磁性器件可以小得多，效率更高。使用GaN的LLC階段利用高于1MHz的開關(guān)頻率將轉(zhuǎn)換成36至60V的輸出。典型的輸出是POL轉(zhuǎn)換器的48V，這也正在利用GaN。整體設(shè)計(jì)不僅規(guī)模
2017-05-03 10:41:53
）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設(shè)計(jì)得更緊湊快速開關(guān)能力，支持高頻（200KHz及以上）電機(jī)運(yùn)行高頻操作，限制輸出電流波動(dòng)，減小濾波器元件尺寸降低開關(guān)功耗，限制功率損失，提供
2019-07-16 00:27:49
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
日益增長(zhǎng)的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。 為何選擇GaN？當(dāng)涉及功率密度時(shí)，GaN為硅MOSFET提供了幾個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，包括：?較低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01:09
客戶將把GaN用于電源轉(zhuǎn)換，因此，硬開關(guān)轉(zhuǎn)換是一個(gè)與應(yīng)用相關(guān)的基本事件。較之預(yù)燒板合格標(biāo)準(zhǔn)，這產(chǎn)生了迥然不同的應(yīng)力，如白皮書中圖3、圖4所示。因此，我們已開發(fā)出一種符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試工具（如圖1
2018-09-10 14:48:19
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業(yè)頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球?qū)τ诙际谢A(chǔ)建設(shè)、新能源、節(jié)能環(huán)保等方面的政策支持，擴(kuò)大對(duì)于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進(jìn)一步促進(jìn)SiC/GaN功率元件的發(fā)展。
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，其中，針對(duì)GaN功率器件的性能特點(diǎn)，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場(chǎng)合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對(duì)比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
進(jìn)展[1~ 3] ，在國(guó)外工作于綠光到紫光可見光區(qū)內(nèi)的GaN LED 早已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化[2]；國(guó)內(nèi)多家單位成功制作了藍(lán)色發(fā)光二極管，并初步實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
控制非常可取。GaN可在無需支付后續(xù)費(fèi)用的情況下增大開關(guān)頻率。利用這一優(yōu)點(diǎn)，可以在功率級(jí)中縮小無源元件尺寸，并加快瞬變響應(yīng)速度。但是，要對(duì)這些較高頻率進(jìn)行所需的控制，控制電路速度必須更快。例如，采樣
2018-08-30 15:05:41
的應(yīng)用做好準(zhǔn)備。要使數(shù)字電源控制為GaN的應(yīng)用做好準(zhǔn)備，它需要針對(duì)更高開關(guān)頻率、更窄占空比和精密死區(qū)時(shí)間控制的時(shí)基分辨率、采樣分辨率和計(jì)算能力。圖1和圖2顯示的是一個(gè)硅 (Si) MOSFET和一個(gè)GaN
2018-09-06 15:31:50
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為
1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，
GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌；設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
工作頻率。硅基板相關(guān)的RF損耗及其相對(duì)SiC的較低熱傳導(dǎo)性能則抵消了增益、效率和隨頻率增加的功率優(yōu)勢(shì)。圖1對(duì)比了不同半導(dǎo)體技術(shù)并顯示了其相互比較情況。圖1. 微波頻率范圍功率電子設(shè)備的工藝技術(shù)對(duì)比。GaN
2018-10-17 10:35:37
的 LMG1210（對(duì)于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設(shè)計(jì)將硅功率級(jí)與 GaN 功率級(jí)進(jìn)行比較，以說明在使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)折衷和必要的優(yōu)化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21
增強(qiáng)型8引腳SO封裝中集成了2 A、150 V DMOS功率開關(guān)， 以及所有高壓電路和控制邏輯。LT8304/LT8304-1支持3 V至100 V 的輸入電壓范圍，最多可提供24 W的隔離輸出功率
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
減少到12V，隨后進(jìn)一步將電壓降低到數(shù)字電路所需要的電壓電平?，F(xiàn)在，客戶可以使用更少的轉(zhuǎn)換器，從而減少功率損耗。 在未來的幾年內(nèi)，GaN可以在提供更大輸出功率的同時(shí)減小適配器尺寸。隨之而來的將是易于攜帶
2018-09-10 15:02:53
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
典型GaN晶體管的核心是一個(gè)導(dǎo)電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產(chǎn)生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個(gè)異質(zhì)基板上生產(chǎn)，典型的是硅或碳化硅，并具備三個(gè)電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅(qū)動(dòng)器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開發(fā)板：這是帶有最少外部組件的簡(jiǎn)單應(yīng)用圖：LMG1210半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器TI
2019-11-11 15:48:09
驅(qū)動(dòng)許多技術(shù)進(jìn)步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，GaN 較之現(xiàn)在的技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優(yōu)點(diǎn)：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統(tǒng)效率提高我們已經(jīng)
2017-07-28 19:38:38
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
快，效率高，具有卓越的熱性能和系統(tǒng)可靠性，總面積為700mm2，輸出功率為48W。輸入電壓為60V，輸出電壓為1V，電流50A，開關(guān)頻率600kHz時(shí)，48V的效率為88%，如圖3所示。模塊效率峰值為91
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)組件的尺寸過大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨(dú)的機(jī)柜中，并通過長(zhǎng)距離的布線連接到機(jī)器人手臂。這便降低了工業(yè)機(jī)器人單位立方米的生產(chǎn)效率。利用GaN技術(shù)，可以更簡(jiǎn)單地將驅(qū)動(dòng)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。使用壽命預(yù)測(cè)指標(biāo)功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此?！ ∪缃翊嬖诘膬煞N主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢(shì)在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
GAN的數(shù)學(xué)推導(dǎo)和案例應(yīng)用
2020-04-13 09:34:52
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一
2015-09-15 17:11:46
可以用很多種方法來控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶指南使用了一個(gè)無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來驅(qū)動(dòng)它。圖1
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
設(shè)計(jì)更少的部件并且展現(xiàn)出最先進(jìn)的效率性能。增加的開關(guān)頻率使無源元件小型化 - 特別是磁性元件 - 而諸如諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器的電路的功率密度可以增加。 最后但并非最不重要的是，GaN在松下使用的這種
2023-02-27 15:53:50
Hercules微控制器來驅(qū)動(dòng)它。圖1顯示的是將用來驅(qū)動(dòng)LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級(jí)是天生的一對(duì)兒。它們?cè)诠I(yè)和汽車
2018-08-31 07:15:04
MOSFETInsulated-gate bipolar transistors (IGBTs) 絕緣柵雙極晶體管隨著這些優(yōu)點(diǎn)中的一些將 GaN 分開，下一節(jié)將討論最新的 GaN 晶體管，這些晶體管是為了在高功率
2022-06-15 11:43:25
、尺寸和效率。這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此
2023-02-14 15:06:51
拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到13億美元，約占3W以上的RF 功率市場(chǎng)的45%。2015-2025年射頻功率市場(chǎng)不同技術(shù)路線的份額占比資料來源：YOLE境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
擊穿電場(chǎng)：GaN本身的擊穿場(chǎng)強(qiáng)為3.3E+06,約是Si的11倍，同樣耐壓條件下，GaN耗盡區(qū)展寬長(zhǎng)度可以縮減至Si的0.1倍，大大降低了漂移區(qū)電阻率，以獲得更低的Ron和更高的功率性能。3、高電子
2021-12-01 13:33:21
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
技術(shù)之一源于三個(gè)主要屬性：1、高擊穿電場(chǎng)（與高擊穿電壓有關(guān)）2、高飽和速度（與較高的最大電流Imax 有關(guān)）3、出色的熱屬性但是，實(shí)現(xiàn)更高功率也帶來一個(gè)后果：· 更高功率意味著更高的直流功率?！?任何
2018-08-04 14:55:07
描述此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
日本田村制作所與光波公司宣布，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預(yù)計(jì)可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板
2011-03-29 11:39:291042 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬(wàn)美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場(chǎng)將成長(zhǎng)到4.6億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)79%。
2018-05-22 17:02:218234 
GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長(zhǎng)，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
雷達(dá)系統(tǒng)中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業(yè)服務(wù)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備和國(guó)防軍事用途的電路和系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。它們都通過寬帶gap?GaN半導(dǎo)體材料的作用，在小封裝中產(chǎn)生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14395 GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:44556 您可以通過多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
GaN功率器件是雷達(dá)T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長(zhǎng)期可靠性成為瓶頸。文章對(duì)雷達(dá)脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機(jī)理進(jìn)行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
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