Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:31
1795 （Sapphire）與碳化矽（SiC）基板為主，且重大基本專(zhuān)利掌握在日本、美國(guó)和德國(guó)廠商手中。有鑒于專(zhuān)利與材料種種問(wèn)題，開(kāi)發(fā)矽基氮化鎵（GaN-on-Si）磊晶技術(shù)遂能擺脫關(guān)鍵原料、技術(shù)受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192417 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場(chǎng)發(fā)展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風(fēng)光宣布，共同成功開(kāi)發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術(shù)的發(fā)光二極體（LED
2013-06-21 09:18:321888 業(yè)界對(duì)GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實(shí)際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時(shí)尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車(chē)用高壓功率半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)IC等業(yè)務(wù)的電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)部高級(jí)總監(jiān)Mark Muenzer介紹了對(duì)GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:051598 市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole）認(rèn)為，市場(chǎng)規(guī)模方面，2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場(chǎng)的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 
就在20多年前，Nichia推出了第一款氮化鎵（GaN）發(fā)光二極管（LED）。此舉開(kāi)始廣泛使用具有成本效益的藍(lán)色LED。從那時(shí)起，GaN LED的輸出功率和光頻率都有所增加，這使得可以將這些器件與熒光粉結(jié)合使用作為照明源。
2019-03-13 08:56:004364 
在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:013651 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴(kuò)展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:576526 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
柵極電荷，它可以使用高開(kāi)關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類(lèi)似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
的開(kāi)關(guān)損耗能夠得到有效的降低。如圖5所示是在維持100W的輸出功率下30min測(cè)得的器件熱成像圖（環(huán)境溫度25℃），在GaN器件無(wú)外加散熱措施的情況下，可以看到上管溫度僅為73.4℃，下管僅為62.2
2023-06-25 15:59:21
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統(tǒng)的架構(gòu)怎樣去選擇？LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)是怎樣降低電視機(jī)的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
LED的特點(diǎn)是工作電壓低，即使是白光LED的工作電壓也不會(huì)高于4V，相對(duì)于有效值220V的交流市電來(lái)說(shuō)，就需要降壓或限流。降壓是通過(guò)工頻變壓器或高頻逆變器將市電降低到與LED工作電壓相匹配的電壓等級(jí)
2019-09-17 07:26:41
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
頻率：3 GHzTheta J-C：5.3 C / W最高頻率：4,000 MHz最低頻率：0 MHzNPTB00025B 產(chǎn)品詳情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術(shù)提供商。我們提供
2019-11-01 10:46:19
描述該參考設(shè)計(jì)為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計(jì)中 GaN 與 SI 使用情況的對(duì)比研究。該特定的設(shè)計(jì)使用 TPS40400 控制器來(lái)驅(qū)動(dòng) CSD87381（對(duì)于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測(cè)試方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
，隨后進(jìn)一步將電壓降低到數(shù)字電路所需要的電壓電平?，F(xiàn)在，客戶可以使用更少的轉(zhuǎn)換器，從而減少功率損耗。 在未來(lái)的幾年內(nèi)，GaN可以在提供更大輸出功率的同時(shí)減小適配器尺寸。隨之而來(lái)的將是易于攜帶，同時(shí)又支持
2018-09-11 14:04:25
，GaN-on-Si 將實(shí)現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。第一個(gè)具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開(kāi)關(guān)
2018-07-19 16:30:38
功率密度射頻應(yīng)用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達(dá)6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學(xué)性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，發(fā)布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產(chǎn)品
2019-09-11 11:51:15
對(duì)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實(shí)現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價(jià)WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲(chǔ)能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
驅(qū)動(dòng)許多技術(shù)進(jìn)步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，GaN 較之現(xiàn)在的技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優(yōu)點(diǎn)：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統(tǒng)效率提高我們已經(jīng)
2017-07-28 19:38:38
市場(chǎng)上已有的解決方案，以降低開(kāi)發(fā)成本。在當(dāng)今對(duì)成本和功耗都非常敏感的“綠色”環(huán)境下，對(duì)于高技術(shù)企業(yè)，兩種挑戰(zhàn)都有什么影響呢？第一種挑戰(zhàn)意味著開(kāi)發(fā)全新的產(chǎn)品，其功能是獨(dú)一無(wú)二的，具有較低的價(jià)格以及較低
2019-08-09 07:41:27
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)組件的尺寸過(guò)大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨(dú)的機(jī)柜中，并通過(guò)長(zhǎng)距離的布線連接到機(jī)器人手臂。這便降低了工業(yè)機(jī)器人單位立方米的生產(chǎn)效率。利用GaN技術(shù)，可以更簡(jiǎn)單地將驅(qū)動(dòng)
2019-03-01 09:52:45
問(wèn)題：如何通過(guò)驅(qū)動(dòng)高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
可靠性的綜合性方法很重要。如需了解與TI計(jì)劃相關(guān)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，請(qǐng)參考Sandeep Bahl的白皮書(shū)，一個(gè)限定GaN產(chǎn)品的綜合方法。為了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格
2019-07-12 12:56:17
盡可能多天線以達(dá)到目標(biāo)容量，而將GaN－on－Si器件技術(shù)與模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)相結(jié)合，便能夠設(shè)計(jì)并部署更小、更輕的產(chǎn)品。”顯然，GaN的使用的確會(huì)帶來(lái)許多優(yōu)勢(shì)，如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此?！ ∪缃翊嬖诘膬煞N主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢(shì)在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI最優(yōu)秀的人才討論當(dāng)今最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來(lái)挑戰(zhàn)等問(wèn)題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機(jī)遇和挑戰(zhàn) ④ 針對(duì)寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對(duì)比（優(yōu)勢(shì)、驅(qū)動(dòng)上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響）五、活動(dòng)報(bào)名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動(dòng)駕駛車(chē)輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的產(chǎn)值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢(shì)，仍是各大科技廠矚目的焦點(diǎn)。除了高規(guī)格產(chǎn)品使用GaN-on-SiC的技術(shù)外，GaN-on-Si透過(guò)其成本優(yōu)勢(shì)，成為目前GaN功率組件的市場(chǎng)
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
方向?yàn)楦叩?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級(jí)，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導(dǎo)體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA)，工作頻率為 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的輸出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶體管，適用于脈沖 L 波段雷達(dá)系統(tǒng)，適用于 1.2 至 1.4 GHz 的機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá) (ASR) 應(yīng)用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
透過(guò)先進(jìn)的MOCVD技術(shù)降低LED制造成本
隨著LED的主流應(yīng)用從平板電視背光源進(jìn)入到一般照明的市場(chǎng)，高亮度LED的成長(zhǎng)可說(shuō)是一片看好
2010-03-27 09:31:46682 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專(zhuān)利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專(zhuān)利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類(lèi)功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達(dá)成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:06918 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，共同開(kāi)發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 來(lái)自德國(guó)的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型態(tài)晶圓給功率半導(dǎo)體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨(dú)家專(zhuān)利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術(shù)。
2012-10-22 10:54:411198 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測(cè)試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
控制多LED的功率和成本eng
2017-04-13 09:22:180 21IC訊 恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-LDMOS）蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合，推動(dòng)創(chuàng)新，以緊湊的封裝提供行業(yè)領(lǐng)先的性能，助力下一代5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)發(fā)展。
2018-06-29 10:30:001973 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001243 在蜂窩網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用當(dāng)中，市場(chǎng)需要提高數(shù)據(jù)容量，但不能忍受成本的大幅提升。與LDMOS相比，Macom的硅基GaN技術(shù)能夠以更小的封裝提供更高的功率和能效，實(shí)現(xiàn)提高容量并降低成本的效果。以目前中國(guó)的4G基站為例，如果全部替換成GaN技術(shù)，300萬(wàn)個(gè)基站每年總共可以節(jié)省數(shù)十億元的費(fèi)用。
2018-05-30 03:05:001196 
2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬(wàn)美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場(chǎng)將成長(zhǎng)到4.6億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)79%。
2018-05-22 17:02:218235 
浙江大學(xué)近期首次報(bào)道了沒(méi)有電流折疊（即沒(méi)有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過(guò)了目前最先進(jìn)的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:514990 面積大幅減少，并簡(jiǎn)化周邊電路設(shè)計(jì)，達(dá)成減少模塊、系統(tǒng)周邊零組件及冷卻系統(tǒng)體積目標(biāo)，GaN應(yīng)用范圍包括射頻、半導(dǎo)體照明、激光器等領(lǐng)域。 現(xiàn)行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jìn)行制造，其中GaN-on-SiC強(qiáng)調(diào)適合應(yīng)用在高溫、高頻的操作環(huán)境，因此在散熱性能
2018-11-09 11:44:01220 今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:144894 GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類(lèi)產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長(zhǎng)，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
本文將概述GaN在硅的開(kāi)發(fā)方面的最新技術(shù)，以及通過(guò)利用大批量，大尺寸，晶圓尺寸的半導(dǎo)體加工技術(shù)，它可以降低生產(chǎn)成本。在英國(guó)，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圓上使用GaN
2019-03-13 08:54:003755 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問(wèn)世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為L(zhǎng)DMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時(shí)
2019-05-09 10:25:184319 
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:037275 
增加了四款新產(chǎn)品硅氮化鎵（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高發(fā)光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列
2019-08-09 15:21:401945 本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?；谝唤M在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專(zhuān)利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
2020-03-01 19:45:152726 科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時(shí)，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時(shí)該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:573363 
MACOM是世界上唯一的RF上GaN-on-Si技術(shù)供給商。 MACOM供給普遍的陸續(xù)波（CW）硅上GaN射頻功率放大器產(chǎn)品，這些產(chǎn)品是設(shè)計(jì)用于DC至6 GHz的別離器件和模塊。 MACOM的高功率
2020-07-17 09:26:49446 Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來(lái)，開(kāi)發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降低每片芯片的成本。今年初，這家初創(chuàng)公司宣布
2021-03-30 16:37:202990 1月5日消息，知名供應(yīng)鏈媒體 Digitimes 昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，Unikorn 開(kāi)始生產(chǎn) 100W 的 GaN-on-Si 芯片，且有望在今年為蘋(píng)果生產(chǎn)相應(yīng)的產(chǎn)品。當(dāng)然，蘋(píng)果的 GaN 充電器大概率是用于 Mac 系列電腦而非手機(jī)，
2021-01-05 10:40:331564 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
與硅 MOSFET 相比，電氣端子可以更接近 10 倍。這導(dǎo)致 GaN 和硅之間有一個(gè)明顯的區(qū)別因素：中壓 GaN 器件可以建立在平面技術(shù)上，而這對(duì)于硅器件來(lái)說(shuō)成本過(guò)高。為了具有競(jìng)爭(zhēng)力，硅器件采用垂直技術(shù)制造，因此在同一芯片中不可能有兩個(gè)功率器件。EPC 的 GaN-on-Si 平面技術(shù)沒(méi)有這個(gè)必須垂直構(gòu)建的限制，
2022-07-29 11:12:341625 
四十年來(lái)，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進(jìn)速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計(jì)人員越來(lái)越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
微反射器和預(yù)聚焦 LED 制造工藝顯著節(jié)省空間
2022-08-24 18:04:59969 
可以在各種襯底上生長(zhǎng)，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施，從而
無(wú)需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
付出更大的成本？本文會(huì)以適配器（Adaptor）的應(yīng)用來(lái)做說(shuō)明。圖1目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用種類(lèi)氮化鎵（GaN）是橫向結(jié)構(gòu)的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:082746 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。
2023-08-09 16:10:10555 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11292 
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開(kāi)發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動(dòng)氮化鎵向更高壓、更高功率應(yīng)用領(lǐng)域邁進(jìn)。
2023-11-16 11:56:22596 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
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