V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:15
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變頻器的額定值大多標(biāo)在其銘牌上，包括輸入側(cè)的額定值及輸出側(cè)的額定值。
2012-02-15 15:31:001789 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-24 09:14:361052 針對(duì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的技術(shù)需求，在最新一代模塊中，與IGBT7搭配使用的續(xù)流二極管（FWD），也已進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-01-06 16:53:071700 PLA172P是OptoMOS固態(tài)繼電器產(chǎn)品系列的延伸，采用表面貼裝SSR扁平封裝，可提供我們最高的額定電壓（800V）。
2020-07-14 11:29:161110 科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個(gè)功率因數(shù)（cos φ）范圍內(nèi)工作而設(shè)計(jì)，它采用最先進(jìn)的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261272 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
“芯科科技”，NASDAQ：SLAB），今日宣布推出新的8位微控制器（MCU）系列產(chǎn)品，該系列MCU針對(duì)價(jià)格和性能進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步擴(kuò)展了芯科科技強(qiáng)大的MCU開發(fā)平臺(tái)。 這些新的8位MCU與PG2x
2023-11-21 15:20:59521 
進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開發(fā)出新型封裝，從而開發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
EconoPACKTM4 產(chǎn)品系列阻斷電壓為1200V，具備100A、150A和200A額定電流。所有1200V EconoPACKTM4器件都具備全新IGBT4-T4和EmCon4二極管芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2018-12-07 10:23:42
的最大額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內(nèi)使用，一旦超出最大額定值，可能損壞產(chǎn)品，特別是IGBT外加超出VCES的電壓時(shí)可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞，請(qǐng)務(wù)必在VCES的額定值范圍內(nèi)使用!工作
2012-06-19 11:38:41
端子?！ 、?驅(qū)動(dòng)端子需要焊接時(shí)，設(shè)備或電烙鐵一定要接地?！ ?.選擇和使用 ?、?請(qǐng)?jiān)?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)品的最大額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內(nèi)使用，一旦超出最大額定值，可能損壞產(chǎn)品，特別是IGBT散熱器外加超出
2012-06-19 11:20:34
要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)，額定工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式
2022-05-10 10:06:52
；如果保持UCE不變，元件的最大集電極電流將降低額定值的2/3。因此，按照晶閘管的電流標(biāo)稱標(biāo)準(zhǔn)，IGBT的標(biāo)稱電流實(shí)際僅為同等晶閘管的1/3左右。例如，標(biāo)稱為300A的IGBT只相當(dāng)于100A的SCR
2018-10-17 10:05:39
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出電流和均方根 (RMS) 輸出電流。峰值輸出電流是在不考慮器件及其封裝的熱限制情況下，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器能夠傳送的最大電流。這個(gè)限值通常由電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的過
2022-11-18 07:12:17
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄?？炊甅OSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS
2018-09-05 15:37:26
嗨，我的FET狂熱愛好者同行們，歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第3部分！今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用
2018-09-05 15:37:43
我正在嘗試使用 SPIN3201 來運(yùn)行 bldc 電機(jī)，我想使用的電機(jī)的最大額定電流超過了 SPIN 3201 的額定值，盡管 SPIN 3201 的額定電流為 15A，但我看不出什么限制了
2023-01-31 07:47:47
的試驗(yàn)方法第4部分:一般要求交流電壓1000V以上但不超過35kV的交流調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)額定值的規(guī)定;第5-1部分:安全要求電氣、熱和能量第5-2部分:安全要求功能;第6部分;確定負(fù)載工作制類型和相應(yīng)電流額定值的導(dǎo)則;第701部分:電氣傳動(dòng)系統(tǒng)的通用接口和使用規(guī)范接口定義第7-
2021-09-06 06:21:53
變壓器的額定值、 損耗和效率 變壓器負(fù)載運(yùn)行時(shí)，原線圈的有功功率為P1=U1I1cosφ1,副線圈給負(fù)載輸出的有功功率為 P2
2009-09-24 12:13:07
IGBT 并聯(lián)運(yùn)行時(shí)避免柵極電流回路的機(jī)制。主要特色設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)額定電壓為 1200V 的并聯(lián) IGBT 模塊（總柵極電荷高達(dá) 10μC）采用外部 BJT 緩沖級(jí)，拉/灌電流額定值高達(dá) 15 Apk
2018-12-07 14:05:13
、金屬膜和金屬氧化膜電阻器的值和公差進(jìn)行了識(shí)別。標(biāo)簽識(shí)別金屬陶瓷電阻器、線繞電阻器和箔電阻器的數(shù)值和公差。各類電阻器的額定功率是透過量度或觀察其物理大小而決定的。甚至在確定電阻器的值、容差和功率額定值之前
2022-04-01 10:51:16
達(dá) 600 Vac 的低壓驅(qū)動(dòng)器適用于額定電流高達(dá) 1000 A 且 Qg 高達(dá) 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性（+15 V 和 -8 V）閘極驅(qū)動(dòng)器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能
2018-09-04 09:20:51
器件的散熱和保護(hù)也有更高的要求。 圖 1常見混合動(dòng)力車輔助系統(tǒng) 2.應(yīng)用于輔助系統(tǒng)的汽車級(jí)功率模塊 easy module針對(duì)混合動(dòng)力車輔助系統(tǒng)，英飛凌推出了 Easy module 系列汽車級(jí) IGBT
2018-12-06 09:47:30
輸出。所以理解所尋找器件的不同技術(shù)規(guī)格是找到合適器件的關(guān)鍵。在我們這一期的電機(jī)驅(qū)動(dòng)論壇問答中，我將主要來談一談最容易被誤解的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)格：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出
2018-09-07 14:41:08
輸出。所以理解所尋找器件的不同技術(shù)規(guī)格是找到合適器件的關(guān)鍵。在我們這一期的電機(jī)驅(qū)動(dòng)論壇問答中，我將主要來談一談最容易被誤解的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)格：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出
2018-09-07 11:04:47
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被證明是一個(gè)非常有用的參數(shù)。雖然不建議在
2022-11-18 06:39:27
例如，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過這個(gè)值不會(huì)立即對(duì)FET造成損壞，而在這個(gè)限值以上長(zhǎng)時(shí)間使用將開始減少器件
2022-11-18 07:01:33
為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄?？炊甅OSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS
2015-11-19 15:46:13
絕對(duì)最大額定值絕對(duì)最大額定項(xiàng)目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過絕對(duì)最大額定值的電壓或在絕對(duì)最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致IC的特性退化或損壞。對(duì)運(yùn)算放大器、比較器規(guī)定
2019-04-24 22:39:21
產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很
2022-11-18 06:02:49
歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們?cè)俣裙馀R，閱讀“了解MOSFET產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們
2018-09-07 14:52:25
[tr][td]英飛凌IGBT應(yīng)用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個(gè)問題，，已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
使用的主要參數(shù)有電感值、額定電流、直流電阻等。其中在選擇功率電感的額定電流時(shí)，根據(jù)電感的規(guī)格書，會(huì)發(fā)現(xiàn)電感的額定電流有兩種，這兩個(gè)額定電流的定義是什么呢，在選型電感時(shí)，我們應(yīng)該如何選擇合適的電流參數(shù)
2019-07-06 16:10:32
絕對(duì)最大額定值絕對(duì)最大額定項(xiàng)目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過絕對(duì)最大額定值的電壓或在絕對(duì)最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致IC的特性退化或損壞。對(duì)運(yùn)算放大器、比較器規(guī)定
2019-06-06 04:21:58
降額設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元器件相關(guān)參數(shù)（電壓、電流、功率等）的額定值怎么理解？電壓 電流 功率 指的是輸入的還是輸出的呢？
2016-04-27 09:18:55
價(jià)收購英飛凌IGBT模塊回收各種品牌IGBT模塊151-5220-9946江工 大量回收拆機(jī)IGBT模塊 高價(jià)回收原裝功率模塊QQ 2360670759現(xiàn)金回收拆機(jī)IGBT模塊 高價(jià)回收原裝IGBT
2020-08-07 14:07:29
安裝過程我們看到，它在安裝過程中發(fā)揮的作用。產(chǎn)品性能，我們應(yīng)用IGBT過程中，開通過程對(duì)IGBT是比較緩和的，關(guān)斷過程中是比較苛刻。大部分損壞是關(guān)斷造成超過額定值。我們看到紅色區(qū)線條件下，關(guān)斷的時(shí)候
2012-09-17 19:22:20
HiPakTM高壓SPT IGBT 模塊的SOA 新基準(zhǔn)
摘要院介紹了電壓額定值從2.5kV到6.5kV的新型高壓HiPakTM IGBT模塊系列遙新系列HiPakTM模塊采用了ABB最新研制的高壓SPT IGBT 和二
2009-11-11 10:38:53
6 40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。 產(chǎn)品特點(diǎn) ：得益于著名的英飛凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
飛思卡爾隆重推出模擬引擎控制產(chǎn)品系列 擴(kuò)展的SMARTMOS™產(chǎn)品系列包括用于飛思卡爾汽車微控制器的信號(hào)調(diào)節(jié)、H型橋（H-bridge）和輸出驅(qū)動(dòng)器組件
2008-08-13 13:16:33649 Vishay推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器
Vishay Intertechnology日前宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達(dá)30～45A，最大峰
2010-01-06 10:45:07742 
三菱電機(jī)推出新一代功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機(jī)株式會(huì)社推出新一代功率半導(dǎo)體模塊：第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動(dòng)一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351137 IDT推出新型電源穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列
IDT公司推出新型穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列，目標(biāo)是通過采用具有多相位控制器和電感耦合技術(shù)的IDT 創(chuàng)新計(jì)時(shí)產(chǎn)品組合，幫助
2010-04-29 11:29:01526 賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出新的低抖動(dòng)硅鍺（SiGe）聲表面（SAW）壓控振蕩器（VCSO）產(chǎn)品系列。新的產(chǎn)品系列與 IDT 備受歡迎的 M675 系列和高性能計(jì)時(shí)
2012-02-29 09:11:321040 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:171624 
2014年11月10日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器、開關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應(yīng)用等高功率工業(yè)應(yīng)用。
2014-11-11 10:45:412056 2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。
2014-12-02 11:12:047283 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP
2015-12-14 17:47:341751 Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流（450A），新型半橋IGBT模塊
2016-10-25 16:29:152734 嗨，我的FET狂熱愛好者同行們，歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第3部分！今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定
2017-04-18 11:47:321775 
歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們?cè)俣裙馀R，閱讀了解MOSFET產(chǎn)品說明書博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說明書首頁上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很相似，因?yàn)樗且粋€(gè)理論上的計(jì)算值。
2017-04-18 12:32:004449 
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì)，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及
2018-09-05 08:44:004843 堡盟推出新一代通用型溫度變送模塊——FlexTop 2212和2222，進(jìn)一步擴(kuò)大其久經(jīng)考驗(yàn)的FlexTop產(chǎn)品系列。憑借內(nèi)置微型USB接口、自動(dòng)導(dǎo)線電阻補(bǔ)償以及高采樣速率（
2018-11-12 10:22:591532 。該模塊分別針對(duì)CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點(diǎn)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達(dá)48 kHz的開關(guān)頻率，適用于新一代1500V光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用。
2019-09-14 10:56:003726 全球領(lǐng)先的電路保護(hù)、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse， Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：LFUS）今日宣布推出新的250V電信PPTC產(chǎn)品系列，該產(chǎn)品系列旨在提升電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的可靠性。
2019-11-01 08:48:432991 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394039 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調(diào)整來達(dá)到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開關(guān)損耗。
2020-09-29 11:43:232051 TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價(jià)比和效率，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303189 歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們?cè)俣裙馀R，閱讀“了解 MOSFET 產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在 FET 產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中
2021-01-06 00:03:0036 HITTITE公司推出新的直流電源調(diào)節(jié)產(chǎn)品系列
2021-05-16 16:21:288 工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。 伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫
2021-10-26 15:41:192729 
歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的愛好者們?cè)俣裙馀R，閱讀“了解MOSFET產(chǎn)品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說明書的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。
2022-02-06 09:18:004340 
rate control）等，產(chǎn)品還具有不同等級(jí)的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動(dòng)IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)需求，本文將討論IGBT驅(qū)動(dòng)電流和電流擴(kuò)展問題。 如何拓展驅(qū)動(dòng)器電流 當(dāng)需要增加
2022-05-07 17:23:395511 
應(yīng)用。該模塊還提高了太陽能系統(tǒng)的額定功率和效率，并支持對(duì) 1500 V 直流鏈路太陽能應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求。 英飛凌的 Easy 系列是一種靈活且可擴(kuò)展的電源
2022-08-05 16:18:132076 
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第3部分—連續(xù)電流額定值
2022-11-03 08:04:452 電機(jī)驅(qū)動(dòng)論壇熱點(diǎn)問答：理解電流額定值
2022-11-04 09:51:211 封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發(fā)射極控制二極管和PressFIT壓接技術(shù),模塊內(nèi)集成有NTC。 產(chǎn)品特性 低通態(tài)電壓VCE（sat）和Vf 過載時(shí)Tvjop=175°C 增強(qiáng)dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:04931 新的PrimePACK? 2300V IGBT模塊主要是為1500V逆變器開發(fā)的。它的特點(diǎn)是在1500V工作電壓下，直流穩(wěn)定性比較好，即在宇宙輻射下具有很高的魯棒性，以及175℃的過載結(jié)溫可以支持LVRT等故障模式。此外，與IGBT4解決方案相比，該模塊實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度，從而在系統(tǒng)層面上性價(jià)比。
2023-02-01 15:18:13461 了解 MOSFET 峰值漏極電流額定值-AN50014
2023-02-09 21:51:270 英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于
2023-02-16 16:30:581135 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58676 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 針對(duì)光伏+ 儲(chǔ)能（發(fā)電）以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)（用電）兩個(gè)維度展開，給大家重點(diǎn)介紹英飛凌新一代IGBT7產(chǎn)品特點(diǎn)以及如何利用新的IGBT7產(chǎn)品設(shè)計(jì)出高效率，高可靠性，高性價(jià)比的逆變器系統(tǒng)
2023-04-19 15:26:59299 
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 如果施加超過額定值的負(fù)載。會(huì)立即損壞元件或降低元件的可靠性。請(qǐng)遵照規(guī)格書額定值進(jìn)行設(shè)計(jì)
2023-10-13 09:03:55255 
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級(jí)為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06375 
電源額定值與測(cè)量技術(shù)的使用
2023-12-06 18:18:15523 功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
2023-12-07 14:36:27233 
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:08232 
絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值 絕對(duì)最大額定值是指在任何工作條件下，設(shè)備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGBT IPM（Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368 技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲(chǔ)應(yīng)用新星產(chǎn)品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識(shí)大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號(hào)選擇，總有一款適合
2024-02-23 08:13:15157 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場(chǎng)熱度不減，本文為大家整理針對(duì)該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測(cè)試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，通過優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54101 
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