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【2023年8月4日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅動和不間斷電源（UPS）的需求而開發(fā)。此外，它還廣泛適用于電動汽車充電樁、儲能系統(tǒng)（ESS）和其他新型工業(yè)應用。
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基于新型微溝槽技術，搭載 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模塊系列的靜態(tài)損耗遠遠低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應用中的損耗，在以中等開關頻率工作的工業(yè)電機驅動中尤為顯著。IGBT 的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的最大過載結溫為 175°C。
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堅固的鍍鎳銅底板和螺母主端子確保了 62 mm模塊封裝具有足夠的機械強度。主端子位于封裝中央，由于其直流鏈路連接電感較低，因此非常適合并聯(lián)電路和三電平拓撲配置。標準的封裝設計和尺寸使得該系列能夠兼容此前的模塊版本。此外，所有模塊均可使用半導體科技公司英飛凌經(jīng)過驗證的預涂熱界面材料（TIM）。
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供貨情況
現(xiàn)在即可訂購 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm產(chǎn)品組合。預涂熱界面材料的型號也將在不久后推出。了解更多信息，請訪問 www.infineon.com/62mm和www.infineon.com/IGBT7。
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如需進一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻，請訪問：www.infineon.com/green-energy
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以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊
- 英飛凌(136806)
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2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164
1164Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A，確保靈活、高效、可靠的電源轉換
Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流（450A），新型半橋IGBT模塊
2016-10-25 16:29:152734
2734Qorvo推出新控制產(chǎn)品，為業(yè)界最豐富的CATV產(chǎn)品組合再添成員
Qorvo宣布擴展CATV產(chǎn)品組合，推出兩款專為DOCSIS 3.1有線網(wǎng)絡設計的全新控制產(chǎn)品——QPC3624和QPC3024。新增加的產(chǎn)品為有線運營商提供了更大的網(wǎng)絡設計靈活性，從而提高上游和下游帶寬并降低功耗。
2016-11-04 15:11:30785
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Aviacomm推出靈活性寬頻射頻前端 （RFFE）電路產(chǎn)品ARF1010EX
寬頻射頻積體電路供應商Aviacomm宣布在其智慧收發(fā)器產(chǎn)品組合中增添最新推出的產(chǎn)品ARF1010EX。定位于快速發(fā)展的3G和LTE市場對高度復雜的多頻段無線通訊的需求，ARF1010EX 提供了一項簡單的晶片解決方案來滿足對更具靈活性的解決方案的市場需求。
2019-03-20 08:51:321169
1169英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中
IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。
2018-06-04 08:31:002053
2053QORVO推出最新一代RF Flex產(chǎn)品組合，擴展其 RF前端（RFFE）產(chǎn)品系列
Qorvo， Inc.推出最新一代RF Flex產(chǎn)品組合，擴展其 RF前端（RFFE）產(chǎn)品系列。Qorvo最新第5代RF Flex RFFE產(chǎn)品組合兼具高性能與設計靈活性，使制造商得以快速開發(fā)并推出滿足載波聚合（CA）高要求的，且發(fā)展最快、范圍最廣的中端智能手機。
2018-05-14 11:42:002352
2352英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流
2018-05-18 09:04:001989
1989英飛凌IGBT芯片技術又升級換代了？
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅動應用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關特性。
2018-06-21 10:10:4412361
12361高功率密度DC/DC模塊電源——寬壓URB_YMD-30WR3 系列
URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:241750
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英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列新產(chǎn)品，電流額定值模塊
英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394039
4039Littelfuse擴展PolySwitch低Rho SMD系列，為現(xiàn)有產(chǎn)品組合增加了23個新等級
Littelfuse全球產(chǎn)品經(jīng)理Stephen Li表示：“我們經(jīng)過擴展的低Rho SMD自恢復PPTC產(chǎn)品組合包括更廣泛的額定值和尺寸范圍。
2020-12-16 16:18:10616
616英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強1200V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合，靈活滿足更高的功率密度和性能
除了太陽能和驅動應用外，該產(chǎn)品組合還為商用、建筑和農(nóng)用車輛（CAV）以及不間斷電源（UPS）逆變器量身定制。
2021-09-07 11:46:52596
596IGBT7與IGBT4兩種典型工況對比方案
工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續(xù)大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。 伺服驅動系統(tǒng)響應速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫
2021-10-26 15:41:192729
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SiC FET實現(xiàn)更高水平的設計靈活性的解決方案
為了滿足設計人員對更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實現(xiàn)更高水平的設計靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩(wěn)健的短路耐受時間額定值為 5微秒。
2022-08-03 08:04:48907
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一周新品推薦:英飛凌功率集成模塊PIM IGBT和Microchip ATtiny1627 Curiosity Nano評估套件
Curiosity Nano評估套件 1 產(chǎn)品一： 英飛凌功率集成模塊FP25R12W1T7_B11 FP25R12W1T7_B11 是 英飛凌 推出的1200 V、25 A? 基于EasyPIM 1B
2023-01-29 19:00:04931
931英飛凌IGBT
英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設計靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于
2023-02-16 16:30:581135
1135Nexperia(安世半導體)推出先進的I2C GPIO擴展器產(chǎn)品組合
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用輸入輸出（GPIO）擴展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復利用能力。其中
2023-05-04 17:34:04898
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英飛凌推出全新 EiceDRIVER? 1200 V 半橋驅動器 IC系列，有源米勒鉗位保護可提升高功率系統(tǒng)的耐用性
，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性。增強的電流輸出能力將這一產(chǎn)品組合的適用性提升到更高的系統(tǒng)功率水平。這些器件能夠提供業(yè)內(nèi)領先的負極 VS 負瞬態(tài)電壓抗
2023-06-06 11:03:03420
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1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能
對應用系統(tǒng)的性能具有決定性的影響。為響應上述應用市場日益增長的發(fā)展需求，JSAB推出了兼容國外一流進口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊。相關模塊的IGBT
2023-06-20 11:26:021328
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英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號
型號：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:531479
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度
了該封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430
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英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255
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絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值
絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值 絕對最大額定值是指在任何工作條件下，設備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGBT IPM（Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368
368英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實現(xiàn)更高效率和功率密度
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310
310擴展 IGBT7 產(chǎn)品組合，實現(xiàn)bast-in-Class功率密度
技術的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196
196英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能（上）
的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233
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意法半導體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅動器
意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產(chǎn)品不僅在設計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
224英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574
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工商網(wǎng)監(jiān)
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