鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-13 14:41
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柵極(Gate)是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu),位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 17:33
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封裝基板設(shè)計是集成電路封裝工程中的核心步驟之一,涉及將芯片與外部電路連接的基板(substrate)....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 17:30
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本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優(yōu)勢,以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 17:00
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本文概述了集成電路制造中的劃片工藝,介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 16:57
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此處以增強型PMOS,NMOS為例,通常說的MOS管說的都是增強型MOS管。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:31
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金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來達成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下,熱壓....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:28
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本文介紹了硅的導熱系數(shù)的特性與影響導熱系數(shù)的因素。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:27
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本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程,并詳細介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和硅和鈮酸鋰復合薄膜技術(shù)。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:21
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本文介紹了集成電路設(shè)計中Standard Cell(標準單元)的概念、作用、優(yōu)勢和設(shè)計方法等。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:19
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本文介紹了光通信中的光電二極管的工作原理,及其響應度和效率的概念。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 14:27
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隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點,原始的本征氧化隔離技術(shù)(LocOS)已不適應。“隔離”是指利用....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 14:05
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Bump Pattern Design(焊點圖案設(shè)計) 是集成電路封裝設(shè)計中的關(guān)鍵部分,尤其在BGA....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-06 16:44
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在關(guān)鍵尺寸的在線量測環(huán)節(jié),所運用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical crit....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-06 16:42
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封裝設(shè)計是集成電路(IC)生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的一環(huán),它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-06 09:21
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鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合,陽極鍵合等鍵合條件高,如高溫、高壓等....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 17:10
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封裝中的RDL(Redistribution Layer,重分布層)是集成電路封裝設(shè)計中的一個重要層....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 17:08
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光刻是廣泛應用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導體加工工藝流程。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 17:07
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當前光纖系統(tǒng)已廣泛應用于從接入到核心骨干網(wǎng)的各個層級。各層級因功能需求差異采用不同技術(shù)方案:例如核心....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 11:17
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在芯片制造中,有源區(qū)(Active Area)是晶體管的核心工作區(qū)域,負責電流的導通與信號處理。它如....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 09:49
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封裝設(shè)計Design Rule 是在集成電路封裝設(shè)計中,為了保證電氣、機械、熱管理等各方面性能而制定....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 09:45
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納米技術(shù)是一個高度跨學科的領(lǐng)域,涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質(zhì)。集成電路(IC)作為已經(jīng)達到納米....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 09:43
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半導體集成電路的可靠性評價是一個綜合性的過程,涉及多個關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下:可靠性評價技術(shù)概....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-04 09:17
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如果將芯片封裝比作“房屋結(jié)構(gòu)”,那么熱仿真就像在建造前做“房屋通風模擬”。在圖紙階段先預測各房間是否....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-03 11:33
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淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導體器件中形成電學隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-03 10:00
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一個復雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個晶體管,這些晶體管通過細金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-03 09:56
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硅作為半導體材料在集成電路應用中的核心地位無可爭議,然而,隨著科技的進步和器件特征尺寸的不斷縮小,硅....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-03 09:21
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芯片架構(gòu)設(shè)計的目標是達到功能、性能、功耗、面積(FPA)的平衡。好的芯片架構(gòu)能有效提升系統(tǒng)的整體性能....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-01 16:23
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隨著集成電路特征尺寸的縮小,工藝窗口變小,可靠性成為更難兼顧的因素,設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重....
中科院半導體所 發(fā)表于 03-01 15:58
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本文介紹了集成電路開發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié),包括其核心目標、關(guān)鍵技術(shù)與流程等內(nèi)容。
中科院半導體所 發(fā)表于 03-01 14:29
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