我們看下一個先進封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級封裝(Wafer Level Package,WLP)。
簡單來說:晶向就是晶體內(nèi)部原子沿某種方向排列的“路徑”。晶向通常用方括號 [hkl] 表示方向,用圓....
CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進行薄膜生長的過程,較短的工藝時間以及所制備薄膜....
光纖激光器是一種放大介質(zhì)為光纖的激光器。它是一個需要供電的有源模塊(就像電子產(chǎn)品中的有源電子元件),....
微電子封裝技術(shù)每15年左右更新迭代一次。1955年起,晶體管外形(TO)封裝成為主流,主要用于封裝晶....
業(yè)界普遍認為,倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進封裝的分界點。
FPGA(Field Programmable Gate Array,現(xiàn)場可編程門陣列),是一種可在....
在半導(dǎo)體芯片中,數(shù)十億晶體管需要通過金屬互連線(Interconnect)連接成復(fù)雜電路。隨著制程進....
直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高....
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形....
Plating(電鍍)是一種電化學(xué)過程,通過此過程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領(lǐng)域,....
隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢,在特定領(lǐng)域正形....
本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛,可作為支撐層、....
CPU Socket是連接中央處理單元(CPU)與計算機主板之間的關(guān)鍵部件,它充當著傳遞電信號、電源....
半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、....
當激光器導(dǎo)通時,開始產(chǎn)生自發(fā)輻射的光子直到載流子密度超過一個閾值。因而,產(chǎn)生受激輻射,也就是說,真實....
圓片級封裝(WLP),也稱為晶圓級封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序,再進行切割制....
計量學(xué)是推動當前及未來幾代半導(dǎo)體器件開發(fā)與制造的重要基石。隨著技術(shù)節(jié)點不斷縮小至100納米,甚至更小....
晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是....
在半導(dǎo)體存儲器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試....
本文介紹了在芯片銅互連工藝中需要阻擋層的原因以及關(guān)鍵工藝流程。
選擇性外延生長(SEG)是當今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年....
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓揀選測試(Wafer Sort)堪稱芯片從“原材料”到“成品”的關(guān)鍵質(zhì)控節(jié)點....
本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系....
本文總結(jié)了FPGA選型的核心原則和流程,旨在為設(shè)計人員提供決策依據(jù),確保項目成功。
光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其....
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相....
本文介紹了6G技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)之一:通訊非地面網(wǎng)絡(luò)。
本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子....
芯片,是人類科技的精華,也被稱為現(xiàn)代工業(yè)皇冠上的明珠。芯片的基本組成是晶體管。晶體管的基本工作原理其....