多層系統(tǒng)提供各種不同的結構型式。MRS1000 的內部發(fā)射與接收模塊構成層面傾斜。因此,每個模塊均可....
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大功率的充電器會把手機充壞嗎?答案是:不會。因為充電器在給手機充電的時候,它們倆會進行一系列的通訊、....
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EV 充電器連接器已實現(xiàn)區(qū)域標準化,以支持當前的充電技術。未來,預計將繼續(xù)使用交流充電 1 級和 2....
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為實現(xiàn)此基本需求,連接器供應商需要針對客戶傳遞的特定工況下車載用電器的功率需求,進行涵蓋高壓連接器以....
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假設放大器的S參數是相同的,變壓器性能理想。對于兩個幅值和極性都相同的電壓,經過1:1的變壓器后,得....
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通過面前的鏈路的分析,對于輸入的信號頻率為3GHz~13.6GHz時,LO頻率范圍為2595.6 M....
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回波損耗是指負載上的入射功率與反射回來的功率之比。回波損耗始終是非負值,表示負載與朝向源極的負載上“....
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相對外部電路簡單可以直接連接三極管放大。因為三極管是電流型器件,如果連接三級管放大只要一分流電阻和一....
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蘋果M系列芯片的推出,激活了Arm架構桌面級處理器市場,加上未來高通Nuvia的發(fā)力,英特爾桌面處....
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直接耦合輸出的主要好處是改善了低音響應。由于該設計省去了隔直電容器,因此其低頻傳輸特性得到了顯著改善....
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由于HANA一體機的特點,使用最新的NVM內存需要的是整個軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA....
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顧名思義,stack overflow 就是是棧溢出了。在進行數值運算時,我們常常要和運算結果的溢出....
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SAP HANA 也對介質的特點做了仔細的考量,結合 Main 內存的訪問特點(例如 容量大、讀多寫....
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基于原子級銳利界面的范德瓦爾斯異質結超快浮柵存儲器具有和動態(tài)隨機存取存儲器(10 ns)相當的編程速....
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憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應的記憶元件,源于第四種基本電路元件電耦器(transtor)。憶耦....
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雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術具有相似的高級特征,但它....
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IO-Link主管(IO-Link Master)的針腳定義有兩種:類型A(Port Class A....
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種類型提供額外供電電壓,比較適合連接那些對電源(功率/容量)要求較高的設備。
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IO-Link主站建立IO-Link設備和自動化系統(tǒng)之間的連接。作為I/O系統(tǒng)的一個組成部分,IO-....
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聯(lián)發(fā)科的收入在 2022 年第一季度同比增長 29%,在全球 AP/SoC 和基帶收入中的份額達到 ....
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根據 Counterpoint Research 的美國渠道份額追蹤器,高通公司在 2022 年 4....
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聯(lián)發(fā)科天璣系列處理器出貨放量,加上產品組合優(yōu)化有成,營收達50.1億美元,年成長32%。
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在多種故障報警控制程序中,關鍵是任何一種故障發(fā)生時,按消除蜂鳴器按鈕后,不能影響其他故障發(fā)生時報警蜂....
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并聯(lián)振蕩電路中,C3、C4和石英諧振器構成諧振回路,諧振回路的振蕩頻率處于石英諧振器的fs和fp之間....
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假設石英晶體單元的額定頻率為 12MHz,振蕩電路的負載電容(CL)為 7.8pF。 這里的額定頻率....
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并聯(lián)晶體振蕩器中,石英諧振器接在反饋支路中,工作在串聯(lián)和并聯(lián)諧振頻率之間,諧振器為感性。在電路中作為....
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Vpp 2.78V,頻率7.00799MHz,比晶體標稱頻率7.010MHz低了差不多2kHz,非常....
要長高 發(fā)表于 06-10 09:33
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串聯(lián)和并聯(lián)諧振只與振蕩器的工作點有關。對于零或非常小的牽引因子p,工作點接近fs。在這種情況下,我們....
要長高 發(fā)表于 06-09 17:40
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振蕩器按制作工藝可分為分立結構振蕩器、混合集成結構振蕩器和復合結構振蕩器三類。
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它可以有著非常豐富的手動控制功能,可以自由選擇 APSM 檔位和 ISO、白平衡等參數,但是最重要的....
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