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要長(zhǎng)高

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電子行業(yè)資訊

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什么是功率半導(dǎo)體?IGBT 的下一步是什么?

BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 16:32 ?31963次閱讀
什么是功率半導(dǎo)體?IGBT 的下一步是什么?

FPGA衍生出的eFPGA和eASIC技術(shù)

縱觀國內(nèi)知名的FPGA廠商,基本也都擁有自家的EDA軟件和工具鏈。比如復(fù)旦微的自主研發(fā)EDA軟件Pr....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 16:07 ?8890次閱讀
FPGA衍生出的eFPGA和eASIC技術(shù)

5G研發(fā)關(guān)鍵技術(shù):天線的設(shè)計(jì)和仿真

用于天線安裝后性能預(yù)估的最好仿真分析,主要應(yīng)用于電大載體,大型場(chǎng)景級(jí)問題,布局的場(chǎng)景及尺寸比較大,需....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 15:45 ?7449次閱讀
5G研發(fā)關(guān)鍵技術(shù):天線的設(shè)計(jì)和仿真

5G標(biāo)準(zhǔn)路:3GPP R17標(biāo)準(zhǔn)塵埃落地

R17是在5G規(guī)模商用之后制定的,汲取了實(shí)際部署的經(jīng)驗(yàn)和不足,實(shí)現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)與商用聯(lián)動(dòng)協(xié)同。
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 15:29 ?3611次閱讀
5G標(biāo)準(zhǔn)路:3GPP R17標(biāo)準(zhǔn)塵埃落地

全球芯片持續(xù)短缺,M1芯片需求旺盛

M1 芯片于 11 月首次發(fā)貨,在全球芯片持續(xù)短缺的情況下,由于新的 ?iPad Pro? 對(duì)該芯片....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 15:12 ?1835次閱讀

淺談Azure 上的芯片設(shè)計(jì)工作流

Azure HPC Cache. HPC 緩存優(yōu)化了 NFS 延遲和元數(shù)據(jù)和讀取操作的吞吐量,以支持....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 14:37 ?2014次閱讀
淺談Azure 上的芯片設(shè)計(jì)工作流

手機(jī)面板LCD、AMOLED、a-Si、LTPS價(jià)格持續(xù)下滑

受歐美通脹、中國疫情封控等因數(shù)的影響,民眾購買力下降且消費(fèi)情緒亦受到抑制,受此影響各大手機(jī)品牌也均下....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 12:00 ?4423次閱讀
手機(jī)面板LCD、AMOLED、a-Si、LTPS價(jià)格持續(xù)下滑

制造業(yè)復(fù)工進(jìn)程緩慢 2022年MLCC價(jià)格再降3~6%

從過往的MLCC供需循環(huán)過程來看,供需轉(zhuǎn)折點(diǎn)經(jīng)常出現(xiàn)在連續(xù)性的價(jià)量齊揚(yáng),或價(jià)量齊跌之后,例如2020....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 11:55 ?2238次閱讀
制造業(yè)復(fù)工進(jìn)程緩慢 2022年MLCC價(jià)格再降3~6%

基于 TOP222 的反激式恒流開關(guān)電源

主控芯片為 TOP222,采用 TO220 封裝,共3 根引腳,分別為控制極、漏極和源極。其所需外圍....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-15 11:31 ?15503次閱讀
基于 TOP222 的反激式恒流開關(guān)電源

如何理解比較處理器

基準(zhǔn)可以識(shí)別應(yīng)用程序與其運(yùn)行的硬件架構(gòu)之間何時(shí)存在根本不匹配?!爱?dāng)您在某些架構(gòu)上運(yùn)行實(shí)際工作負(fù)載時(shí),....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 17:23 ?2140次閱讀
如何理解比較處理器

DRAM設(shè)計(jì)中的散熱問題

Nantero 的 NRAM 是經(jīng)過徹底重新思考并成功走出實(shí)驗(yàn)室的內(nèi)存設(shè)計(jì)。它不是 DRAM,而是由....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 17:13 ?3127次閱讀

電路老化一直存在,半導(dǎo)體老化的原因是什么

先進(jìn)封裝帶來了其自身的挑戰(zhàn),與可能封裝在其中的單個(gè)裸片無關(guān)?!霸谟懻撏嘶屠匣磿r(shí),我們需要考慮的另....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 17:08 ?3424次閱讀
電路老化一直存在,半導(dǎo)體老化的原因是什么

TL431恒流電路典型應(yīng)用分析

電路中電流通過三極管,2.5K電阻到地,只要有電流流過,電阻兩端就會(huì)存在壓差,壓差的大小由電流來決定....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 16:54 ?15418次閱讀
TL431恒流電路典型應(yīng)用分析

音頻和視頻傳感器數(shù)量對(duì)IC設(shè)計(jì)的影響

電源系統(tǒng)和電源管理需要并行處理您可能會(huì)看到的不同工作負(fù)載,這樣您就不會(huì)因?yàn)橄碾娏Χ速M(fèi)周期。
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 16:43 ?2186次閱讀

兩個(gè)三極管構(gòu)成的恒流源電路解析

 如果由于某種因素造成電路不穩(wěn)定,使得流過D1(及與之串聯(lián)的R2)的電流增大了,R2上的電壓就會(huì)增高....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 16:32 ?33574次閱讀
兩個(gè)三極管構(gòu)成的恒流源電路解析

兩款簡(jiǎn)單的恒流電路及原理

假設(shè)二極管正向壓降為Vf,那么電流從VCC通過Rc流過兩個(gè)二極管,在三極管基極產(chǎn)生了2*Vf的電壓,....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 16:21 ?23690次閱讀
兩款簡(jiǎn)單的恒流電路及原理

淺談DC/DC轉(zhuǎn)換器輸出電感器和電容器的選擇

BD9G500EFJ-EVK-001 輸出 5 VDC,輸入 48 VDC。BD9G500EFJ-L....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 16:11 ?7497次閱讀
淺談DC/DC轉(zhuǎn)換器輸出電感器和電容器的選擇

DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器中的組件權(quán)衡

隨著占空比越高,從C in汲取的電流也越高,從而導(dǎo)致芯片上更多的V in下降——如果V in已經(jīng)很低....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 16:00 ?2023次閱讀
DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器中的組件權(quán)衡

DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路的最佳布局實(shí)踐

敏感控制電路需要清潔接地。如果我們通過控制器共享的返回路徑發(fā)送大的脈沖功率返回電流,將產(chǎn)生電壓尖峰,....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 15:52 ?2309次閱讀
DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路的最佳布局實(shí)踐

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至12....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 15:21 ?2488次閱讀
NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

AMD的CPU架構(gòu)之路

作為MCM之間互聯(lián)的接口,CAKE一直和memory 控制器跑在相同的時(shí)鐘域。但是在加入更多的計(jì)算單....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 15:03 ?4426次閱讀
AMD的CPU架構(gòu)之路

什么是CPU、SoC、GPU和APU

APU叫做加速處理單元,其實(shí)是GPU和CPU的集合,將兩個(gè)單元整合后能幫助各元件之間更好的通信,因?yàn)?...
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 14:46 ?9213次閱讀

高通靠毫米波收發(fā)器占據(jù)市場(chǎng)份額第一

Strategy Analytics RF &無線元件服務(wù)近期發(fā)布的研究報(bào)告《2021年智能手機(jī)射頻....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 14:41 ?1862次閱讀
高通靠毫米波收發(fā)器占據(jù)市場(chǎng)份額第一

業(yè)界缺芯現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體領(lǐng)域走向產(chǎn)能過剩

業(yè)界消息顯示,工業(yè)MCU、FPGA、嵌入式處理器和其他關(guān)鍵芯片的供應(yīng)緊張,導(dǎo)致了設(shè)備交貨周期的拉長(zhǎng)。....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-14 14:34 ?2171次閱讀
業(yè)界缺芯現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體領(lǐng)域走向產(chǎn)能過剩

原料漲價(jià)風(fēng)波中,鋰電池生產(chǎn)企業(yè)扛下了所有

隨著新能源電動(dòng)車需求上升,鋰價(jià)格水漲船高,車載鋰電池的能量密度或已接近臨界點(diǎn),鋰電池電動(dòng)車的安全問題....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 16:17 ?1372次閱讀

全球芯片短缺問題蔓延至先進(jìn)處理器制造設(shè)備

ASML本身就存在產(chǎn)能上的問題。目前市場(chǎng)對(duì)ASML系統(tǒng)的需求超過了自身的交付能力,反過來,ASML也....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 16:11 ?1930次閱讀

2022年我國功率半導(dǎo)體行業(yè)的出口現(xiàn)狀

從出口產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看,2017-2021年中國功率半導(dǎo)體制造行業(yè)出口產(chǎn)品共有5種。
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 16:04 ?3593次閱讀
2022年我國功率半導(dǎo)體行業(yè)的出口現(xiàn)狀

汽車電子控制系統(tǒng)傳感器方案

當(dāng)DPF堵塞時(shí)其前后端壓力差會(huì)非常明顯,DPF壓差傳感器的典型量程為100 kPa,通常為比例輸出的....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:53 ?3159次閱讀
汽車電子控制系統(tǒng)傳感器方案

關(guān)于激光雷達(dá)的六個(gè)常見誤區(qū)

關(guān)于激光雷達(dá)最常見的一個(gè)誤解是,它可以被相機(jī)或雷達(dá)傳感器替代,這種誤解源于人們對(duì)這些傳感器技術(shù)如何以....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:45 ?4403次閱讀
關(guān)于激光雷達(dá)的六個(gè)常見誤區(qū)

如何為激光雷達(dá)開發(fā)MEMS技術(shù)

為了獲得高分辨率數(shù)據(jù),可靠地識(shí)別小目標(biāo),激光必須準(zhǔn)直地?fù)糁心繕?biāo),這是通過在激光器前面放置一個(gè)透鏡來實(shí)....
的頭像 要長(zhǎng)高 發(fā)表于 06-13 15:41 ?3194次閱讀