動(dòng)態(tài)
-
發(fā)布了文章 2024-08-08 08:14
PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長(zhǎng)期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOSFET技術(shù)開(kāi)關(guān)損耗低、導(dǎo)通電阻小，非常適合三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本文簡(jiǎn)要介紹了該器件的設(shè)計(jì)理念，并研究了其在ANPC拓?fù)涞娜嘟涣魍ㄓ霉I(yè)驅(qū)動(dòng)器中的性能，該驅(qū)動(dòng)器工作在高達(dá)750VDC的輸入電壓下。簡(jiǎn)介目前400V2.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-08-06 08:14
一款適用于光伏應(yīng)用的半橋評(píng)估板設(shè)計(jì)
8月7日14:00，IPAC技術(shù)專家線上手把手免費(fèi)教學(xué)2kV碳化硅驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)&如何使用評(píng)估板助力系統(tǒng)設(shè)計(jì)掃描下方二維碼，立即報(bào)名，直播內(nèi)容，先睹為快！光伏，作為重點(diǎn)發(fā)展的新質(zhì)生產(chǎn)力，其市場(chǎng)規(guī)模仍在迅速發(fā)展擴(kuò)大中，其技術(shù)迭代也在不斷演進(jìn)升級(jí)。英飛凌作為半導(dǎo)體技術(shù)和市場(chǎng)應(yīng)用的領(lǐng)軍企業(yè)，發(fā)布了一系列具有差異化附加價(jià)值的創(chuàng)新半導(dǎo)體，并同時(shí)推出了一款適用于光伏應(yīng)用的半 -
發(fā)布了文章 2024-08-03 08:14
我們的城市為什么越來(lái)越熱？
全球氣候在變暖，我們焚燒石油，煤炭等化石燃料，產(chǎn)生了大量二氧化碳等溫室氣體，導(dǎo)致全球氣候變暖，尤其大陸氣溫升高，城市變得越來(lái)越熱。圖：上海前灘的夜晚，被太陽(yáng)曬熱的建筑熱島效應(yīng)夏天天太熱，在陽(yáng)光下火辣辣的，大家一定會(huì)抱怨太陽(yáng)太猛。但你知道嗎？上海的夏天越來(lái)越熱不能怪太陽(yáng)，大城市自身散發(fā)的熱量可以高達(dá)來(lái)自太陽(yáng)輻射熱量的五分之二。城市中心氣溫一般比周圍郊區(qū)高1℃左858瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-08-02 08:14
-
發(fā)布了文章 2024-08-01 08:14
-
發(fā)布了文章 2024-07-31 08:14
?英飛凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革
該技術(shù)將對(duì)數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費(fèi)電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在日新月異的電力電子行業(yè)，對(duì)更高效、更強(qiáng)大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對(duì)于新一代硅基MOSFET，英飛凌進(jìn)行了巨大的研發(fā)投入，以重新定義系統(tǒng)集成標(biāo)準(zhǔn)，使其在廣泛的電力電子應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度和效率。在英飛凌，CoolMOS8的推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項(xiàng)先進(jìn)的MOSFET技術(shù)， -
發(fā)布了文章 2024-07-27 08:14
新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)：2ED2388S06F產(chǎn)品特點(diǎn)工作電壓（相對(duì)于VS）高達(dá)+650V負(fù)VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應(yīng)用價(jià)值集成自舉528瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-25 08:14
PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過(guò)電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和數(shù)學(xué)計(jì)算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同參數(shù)對(duì)分流的影響。最后提出了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)建議和柵極電阻設(shè)計(jì)方法。導(dǎo)言隨著市場(chǎng)和應(yīng)用的發(fā)展,高額定功率和高功率密度成為越來(lái)越重要的趨勢(shì)。目前，917瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-24 08:14
-
發(fā)布了文章 2024-07-23 08:14
參加研討會(huì)，下載白皮書(shū) | 揭秘功率轉(zhuǎn)換技術(shù)如何重塑綠色氫能
全球綠色氫能需求激增，制造商競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn)，目標(biāo)2030年前達(dá)155GW/年產(chǎn)能。展望至2050年，預(yù)計(jì)全球?qū)⒂?0%至80%的氫氣供應(yīng)實(shí)現(xiàn)脫碳。電解水作為綠色氫能基礎(chǔ)設(shè)施的基石，其重要性日益凸顯。鑒于電解水過(guò)程對(duì)高水平且穩(wěn)定直流電流的嚴(yán)格要求，電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（PCS）在電解制氫設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。線上研討會(huì)直播主題驅(qū)動(dòng)綠色未來(lái)：功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革534瀏覽量
