英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-03-27 08:13

  英飛凌推出新型固態(tài)隔離器，切換速度更快，功耗降低高達70%

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）在美國國際電力電子應(yīng)用展覽會（APEC）上推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列。該系列可實現(xiàn)更快速、可靠的電路交換，并擁有廣電固態(tài)所不具備的保護功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術(shù)，支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r，還具備了電流和溫度保護功能，實現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款方案，與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)

  MOS 英飛凌 隔離器

  410瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-26 08:13

  英飛凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

  

  本文提及的相關(guān)產(chǎn)品，均會在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報名摘要：EconoDUAL3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700VIGBT7技術(shù)開發(fā)

  IGBT 變頻器 英飛凌

  1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-20 08:13

  英飛凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上

  MOSFET 英飛凌 逆變器

  494瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-15 08:13

  IGBT并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)綜述

  

  Zhang Gang

  IGBT 變流器 晶體管 電流

  2.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-13 08:13

  160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100V MOSFET評估套件

  

  新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100VMOSFET評估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅(qū)動器，可驅(qū)動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

  MOSFET SOI 半橋驅(qū)動器 英飛凌

  746瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-12 08:13

  英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC™ MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效

  MOSFET 碳化硅 英飛凌

  551瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-07 08:13

  如何測量功率回路中的雜散電感

  

  本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生

  MOSFET 功率電路 雜散電感

  927瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-03-05 08:17

  最新IGBT7系列分立器件常見問題

  

  英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過多項可靠性測試以保證其長期使用穩(wěn)定性，與電性能相關(guān)的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。高溫高濕測試H3TRB的測試條件是溫度Ta=85℃,濕度R

  IGBT 分立器件 測試

  537瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-02-27 08:13

  零碳故事 | “2024年，以戰(zhàn)略的確定性迎接未來的挑戰(zhàn)”

  

  “英家零碳故事”2024年系列第一期正式上線，零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責(zé)人于代輝先生就產(chǎn)業(yè)機遇和挑戰(zhàn)分享專業(yè)洞見，并深度解析零碳工業(yè)功率事業(yè)部業(yè)務(wù)增長制勝策略。(本文因篇幅有限，只能提煉專家的部分金句）更多精彩觀點，請點擊觀看完整視頻zzzzzZzzz12023年半導(dǎo)體市場整體盤點“全球半導(dǎo)體市場整體放緩

  功率半導(dǎo)體 英飛凌

  238瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-02-26 08:13

  T-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試

  

  上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓撲來說也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平應(yīng)用越來越廣，我們開發(fā)了IGBT71200V62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A，以及PrimePACK3+封裝的的共集電極模塊，規(guī)格為2400A/120

  IGBT 三電平 短路測試

  1.4k瀏覽量