企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

匠人作 用良芯 高品質(zhì) 選MDD

626內(nèi)容數(shù) 22w+瀏覽量 76粉絲
進(jìn)入店鋪

動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-03-13 09:41

    MDD整流橋諧波抑制全攻略:LC濾波與有源PFC的工程平衡術(shù)

    在電力電子應(yīng)用中,MDD整流橋廣泛用于AC-DC轉(zhuǎn)換,但其非線性整流特性會(huì)產(chǎn)生較大的諧波電流,影響電網(wǎng)質(zhì)量,甚至導(dǎo)致電磁干擾(EMI)超標(biāo)。為抑制諧波,提高功率因數(shù)(PF),常用的方法包括LC濾波和有源功率因數(shù)校正(PFC)。然而,這兩種方案各有優(yōu)劣,如何在工程上實(shí)現(xiàn)性能、成本和效率的最佳平衡,是電源設(shè)計(jì)工程師必須面對的挑戰(zhàn)。MDD在本文將深入探討LC濾波與
  • 發(fā)布了文章 2025-03-12 10:00

    高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn):MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案

    在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用(如開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng))中,MDD整流橋的選型和設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性(EMC)。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI(電磁干擾)控制和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)優(yōu)化,如果處理不當(dāng),會(huì)導(dǎo)致能量損耗、信號干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應(yīng)用下整流橋的EMI優(yōu)化策略及反向恢復(fù)時(shí)間的控制方案。1.高頻應(yīng)用中整流橋的挑戰(zhàn)(1)EMI問題
    402瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-03-11 12:00

    整流橋失效深度剖析:MDD從過載燒毀到機(jī)械應(yīng)力的工業(yè)案

    MDD整流橋是電子設(shè)備中最常見的功率器件之一,被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、工業(yè)控制、變頻器、汽車電子和家電電源等領(lǐng)域。然而,在長期運(yùn)行或極端工況下,整流橋可能因過載燒毀、熱失控、機(jī)械應(yīng)力、浪涌沖擊等因素失效,導(dǎo)致設(shè)備故障甚至安全事故。本文結(jié)合在工業(yè)電源、汽車充電系統(tǒng)和家電領(lǐng)域的應(yīng)用案例,對整流橋失效的深層原因進(jìn)行剖析,并提供有效的工程解決方案,幫助工程師提高電源系
  • 發(fā)布了文章 2025-03-10 10:41

    整流橋選型十大陷阱:MDD從電流諧波到散熱設(shè)計(jì)的實(shí)戰(zhàn)解析

    在工業(yè)電源設(shè)計(jì)中,整流橋選型失誤可能引發(fā)災(zāi)難性后果。某光伏逆變器項(xiàng)目因忽略反向恢復(fù)電荷(Qrr)導(dǎo)致整機(jī)效率下降8%,直接損失超百萬元。本文結(jié)合MDD(模塊化設(shè)計(jì)方法),深度解析整流橋選型中的十大關(guān)鍵陷阱,并提供系統(tǒng)性解決方案。一、電流有效值誤算:RMS值的隱形殺手案例:某10kW充電樁因按平均值選型,整流橋溫升達(dá)120℃炸裂。陷阱分析:輸入電流波形畸變(T
  • 發(fā)布了文章 2025-03-07 09:31

    從焊接虛焊到靜電擊穿:MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問題

    在電子制造中,MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險(xiǎn)。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效,返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例,剖析安裝過程中的五大核心問題,并提供系統(tǒng)性解決方案。一、焊接虛焊:IMC層的致命缺陷案例:某無人機(jī)電調(diào)批量出現(xiàn)MOS管功能異常,X射線檢測顯示焊點(diǎn)空洞率達(dá)25%。機(jī)理分析:焊接溫度曲線偏差(峰值溫度未達(dá)235℃),
    331瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-03-06 10:31

    驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄:MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)

    在電力電子系統(tǒng)中,MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過熱,導(dǎo)致整機(jī)返修率高達(dá)15%。本文結(jié)合典型故障案例,剖析驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的四大關(guān)鍵陷阱,并提供系統(tǒng)性解決方案。一、柵極振蕩:探針引發(fā)的“假故障”故障現(xiàn)象:某變頻器驅(qū)動(dòng)波形實(shí)測時(shí)出現(xiàn)20MHz高頻振蕩,但上機(jī)后MOS管溫升異常。根
  • 發(fā)布了文章 2025-03-05 11:41

    MOS管發(fā)燙嚴(yán)重:從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)

    在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場景中,MDDMOS管嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃,導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過溫保護(hù)。本文通過解析發(fā)熱機(jī)理,結(jié)合實(shí)測數(shù)據(jù),提供從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的系統(tǒng)性解決方案。一、發(fā)熱根源:損耗模型的精準(zhǔn)拆解MOS管發(fā)熱本質(zhì)是能量損耗的累積,主要包含:導(dǎo)通損耗:P=IMsxRs(o)xD,某50A電機(jī)驅(qū)動(dòng)案例中,
  • 發(fā)布了文章 2025-03-04 12:01

    MOS管選型十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

    在電力電子設(shè)計(jì)中,MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管,直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱,為工程師提供避坑指南。一、VDS耐壓虛標(biāo):動(dòng)態(tài)尖峰的致命盲區(qū)誤讀后果:某充電樁模塊標(biāo)稱650V耐壓MOS管,實(shí)際測試中因關(guān)斷尖峰達(dá)720V導(dǎo)致批量擊穿。數(shù)據(jù)手冊陷阱:廠家
    316瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-03-03 17:39

    MOS管莫名燒毀?5大元兇與防護(hù)方案深度解析MDD

    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐,深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略,為電路可靠性提供系統(tǒng)性解決方案。一、過壓擊穿:雪崩能量的致命威脅過壓是MOS管燒毀的首要元兇,常見于電源浪涌、感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰。當(dāng)漏源電壓(VDS)超過額定耐壓時(shí),雪崩擊穿瞬間產(chǎn)生焦耳熱,導(dǎo)致芯片局部熔融。例如,
    363瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2025-02-28 10:41

    三極管下拉電阻設(shè)計(jì):穩(wěn)定與效率的平衡藝術(shù)

    在智能門鎖的無線控制模塊中,一枚未被正確配置下拉電阻的三極管因靜電干擾誤觸發(fā)開鎖指令,這個(gè)真實(shí)案例揭示了外圍電阻設(shè)計(jì)對三極管電路可靠性的決定性影響。作為三極管應(yīng)用的"守門人",下拉電阻通過精準(zhǔn)的電位控制,在電路穩(wěn)定、功耗優(yōu)化和抗干擾之間構(gòu)建精妙平衡。一、下拉電阻的核心作用機(jī)制:電位錨定:當(dāng)三極管基極處于高阻態(tài)(如MCUGPIO懸空時(shí)),下拉電阻(Rb_pul

企業(yè)信息

認(rèn)證信息: MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

聯(lián)系人:陳小姐

聯(lián)系方式:
關(guān)注查看聯(lián)系方式

地址:龍華區(qū)民塘路328號鴻榮源北站中心B座13樓

公司介紹:      深圳辰達(dá)半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。      公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域16載,始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng),以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域,服務(wù)于全球40多個(gè)國家與地區(qū)。      公司秉持與時(shí)俱進(jìn)的發(fā)展理念,基于目前先進(jìn)的功率器件設(shè)計(jì)及封裝測試能力,持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢,全面推動(dòng)產(chǎn)品升級迭代,提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務(wù)閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。      展望未來,公司將依托行業(yè)洞察的能力,通過品牌與技術(shù)雙輪驅(qū)動(dòng),快速實(shí)現(xiàn)“打造半導(dǎo)體分立器件國際創(chuàng)領(lǐng)品牌”的發(fā)展愿景,助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級。

查看詳情>