企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

MDD辰達半導體

匠人作 用良芯 高品質(zhì) 選MDD

613內(nèi)容數(shù) 21w+瀏覽量 76粉絲
進入店鋪

動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:50

    MDD快恢復二極管vs.普通整流二極管：關(guān)鍵參數(shù)與應用對比

    二極管是電子電路中不可或缺的元件，其中MDD的普通整流二極管（StandardRectifierDiode）和快恢復二極管（FastRecoveryDiode,FRD）是最常見的整流器件。它們都具備單向?qū)ㄐ裕诜聪蚧謴蜁r間、工作頻率、開關(guān)損耗等方面存在顯著差異。本文MDD將對兩者的關(guān)鍵參數(shù)進行分析，并探討它們在不同應用場景中的選擇策略。1.關(guān)鍵參數(shù)對比從

  • 發(fā)布了文章 2025-03-21 09:36

    PN結(jié)的整流特性：MDD整流二極管的核心物理機制

    MDD整流二極管是電力電子和信號處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導體和N型半導體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，通過其單向?qū)щ娦裕瑢崿F(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換。MDD本文將深入解析PN結(jié)的整流特性及其在整流二極管中的物理機制。2.PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)是由兩個摻雜類型不同的半導體材料（P型和N型）組成：P型半導體含有大量空穴（正電荷載流子

  • 發(fā)布了文章 2025-03-20 10:17

    MDD整流二極管的伏安特性曲線解析及應用影響

    MDD整流二極管是電子電路中最常見的元件之一，其主要作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。在選型和使用過程中，二極管的伏安特性（I-V曲線）是衡量其性能的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響其導通損耗、反向耐壓能力及整流效率。MDD在本文將深入分析整流二極管的伏安特性曲線，并探討其對應用的影響。1.伏安特性曲線解析二極管的伏安特性曲線描述了其電流（I）與電壓（V）之間的關(guān)系，主要分為正

  • 發(fā)布了文章 2025-03-19 09:55

    MDD整流二極管的開關(guān)特性：正向?qū)ㄅc反向恢復的關(guān)鍵參數(shù)

    MDD整流二極管是電子電路中常見的元件，廣泛應用于AC-DC轉(zhuǎn)換、電源整流、電機驅(qū)動等領(lǐng)域。在高頻電路中，整流二極管的開關(guān)特性對電路效率和EMI（電磁干擾）至關(guān)重要。其關(guān)鍵開關(guān)特性主要包括正向?qū)ㄌ匦院头聪蚧謴吞匦?，分別決定了二極管的導通損耗和關(guān)斷速度。本文將深入分析這兩個關(guān)鍵特性，并探討其在應用中的影響和優(yōu)化策略。1.正向?qū)ㄌ匦援斦鞫O管在正向偏置下工

  • 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:29

    如何選擇合適的MDD整流二極管封裝？DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣？

    在電子設(shè)計中，MDD整流二極管的封裝選擇直接影響電路的性能、可靠性和成本。某工業(yè)電源項目因封裝選型不當，導致整流二極管溫升超標，最終引發(fā)批量失效。MDD本文通過對比DIP、SMA、DO-41等常見封裝，為工程師提供選型指南。一、封裝選型的核心考量因素功率耗散能力封裝熱阻（RθJA）決定散熱性能，影響最大工作電流。案例：TO-220封裝的1N5408可承受3A
    357瀏覽量

  • 發(fā)布了文章 2025-03-17 11:45

    MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應用：如何均流與提高耐壓能力？

    電力電子電路設(shè)計，有時單個整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應用需求，此時可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強電流或耐壓能力。然而，并聯(lián)時需要解決均流問題，串聯(lián)時要保證均壓，否則會導致器件提前失效。MDD在本文將探討整流二極管并聯(lián)和串聯(lián)的應用場景、挑戰(zhàn)及優(yōu)化方法，幫助工程師設(shè)計更可靠的整流電路。1.整流二極管的并聯(lián)應用：提升電流能力（1）并聯(lián)的目的當單個整流
    432瀏覽量

  • 發(fā)布了文章 2025-03-14 10:25

    整流橋炸機元兇追蹤：4類典型失效模式的解剖與防護設(shè)計|MDD

    在電力電子系統(tǒng)中，MDD整流橋作為整流電路的核心組件，其可靠性對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。然而，在實際應用中，整流橋的失效（俗稱“炸機”）現(xiàn)象時有發(fā)生，給設(shè)備的安全性和壽命帶來嚴重影響。MDD在本文將深度剖析整流橋的4類典型失效模式，并提出相應的防護設(shè)計方案，以幫助工程師提高整流電路的可靠性和安全性。1.過電流擊穿失效原因：過流可能是由于負載短路、突加負載

  • 發(fā)布了文章 2025-03-13 09:41

    MDD整流橋諧波抑制全攻略：LC濾波與有源PFC的工程平衡術(shù)

    在電力電子應用中，MDD整流橋廣泛用于AC-DC轉(zhuǎn)換，但其非線性整流特性會產(chǎn)生較大的諧波電流，影響電網(wǎng)質(zhì)量，甚至導致電磁干擾（EMI）超標。為抑制諧波，提高功率因數(shù)（PF），常用的方法包括LC濾波和有源功率因數(shù)校正（PFC）。然而，這兩種方案各有優(yōu)劣，如何在工程上實現(xiàn)性能、成本和效率的最佳平衡，是電源設(shè)計工程師必須面對的挑戰(zhàn)。MDD在本文將深入探討LC濾波與

  • 發(fā)布了文章 2025-03-12 10:00

    高頻應用下的整流橋挑戰(zhàn)：MDDEMI優(yōu)化與反向恢復時間控制方案

    在高頻電源轉(zhuǎn)換應用（如開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動）中，MDD整流橋的選型和設(shè)計直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性（EMC）。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI（電磁干擾）控制和反向恢復時間（trr）優(yōu)化，如果處理不當，會導致能量損耗、信號干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應用下整流橋的EMI優(yōu)化策略及反向恢復時間的控制方案。1.高頻應用中整流橋的挑戰(zhàn)（1）EMI問題
    358瀏覽量

  • 發(fā)布了文章 2025-03-11 12:00

    整流橋失效深度剖析：MDD從過載燒毀到機械應力的工業(yè)案

    MDD整流橋是電子設(shè)備中最常見的功率器件之一，被廣泛應用于開關(guān)電源、工業(yè)控制、變頻器、汽車電子和家電電源等領(lǐng)域。然而，在長期運行或極端工況下，整流橋可能因過載燒毀、熱失控、機械應力、浪涌沖擊等因素失效，導致設(shè)備故障甚至安全事故。本文結(jié)合在工業(yè)電源、汽車充電系統(tǒng)和家電領(lǐng)域的應用案例，對整流橋失效的深層原因進行剖析，并提供有效的工程解決方案，幫助工程師提高電源系
    369瀏覽量

企業(yè)信息

認證信息： MDD辰達半導體

聯(lián)系人：陳小姐

聯(lián)系方式：
關(guān)注查看聯(lián)系方式

地址：龍華區(qū)民塘路328號鴻榮源北站中心B座13樓

公司介紹：      深圳辰達半導體是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設(shè)計、封裝測試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。      公司深耕半導體領(lǐng)域16載，始終堅持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣，產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領(lǐng)域，服務于全球40多個國家與地區(qū)。      公司秉持與時俱進的發(fā)展理念，基于目前先進的功率器件設(shè)計及封裝測試能力，持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應用領(lǐng)域發(fā)展趨勢，全面推動產(chǎn)品升級迭代，提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務閉環(huán)的能力，為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。      展望未來，公司將依托行業(yè)洞察的能力，通過品牌與技術(shù)雙輪驅(qū)動，快速實現(xiàn)“打造半導體分立器件國際創(chuàng)領(lǐng)品牌”的發(fā)展愿景，助力中國半導體產(chǎn)業(yè)升級。

查看詳情>