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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

匠人作 用良芯 高品質(zhì) 選MDD

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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體文章

  • 從選型到布局:MDDTVS二極管在ESD防護(hù)中的工程實(shí)戰(zhàn)指南2025-04-29 10:06

    在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中,ESD(靜電放電)防護(hù)已成為系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)不可或缺的一環(huán)。作為一名FAE,我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn),許多電子故障并不是源自設(shè)計(jì)原理錯(cuò)誤,而是由于ESD防護(hù)不到位導(dǎo)致的隱患。MDDTVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管作為最常用的ESD防護(hù)元件,從選型到布局,每一個(gè)細(xì)節(jié)都直接影響系統(tǒng)的抗干擾能力。一、TVS二極管選型要點(diǎn)工作電壓匹配首先,需要根據(jù)保護(hù)電路的
  • MDDTVS管失效模式大起底:熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問(wèn)題解析2025-04-28 13:37

    在電子設(shè)計(jì)中,MDD-TVS管是保護(hù)電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的重要器件。然而,TVS管本身在惡劣環(huán)境或選型、應(yīng)用不當(dāng)時(shí),也可能出現(xiàn)失效問(wèn)題。作為FAE,本文將系統(tǒng)梳理TVS管常見的三大失效模式——熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿,幫助大家深入理解失效機(jī)理,提升電路防護(hù)的可靠性。一、熱擊穿:過(guò)載能量導(dǎo)致的不可逆損傷熱擊穿是TVS管最常見、也最致命的失效方式之一。它通常
    TVS管 二極管 漏電流 92瀏覽量
  • 關(guān)于MDD-TVS二極管工作原理全解析:如何在瞬間保護(hù)你的電路?2025-04-27 17:44

    在電子系統(tǒng)中,瞬態(tài)電壓沖擊(如ESD、雷擊、浪涌等)是導(dǎo)致電路損壞的常見原因之一。為了有效防護(hù),MDD-TVS二極管成為工程師們的重要選擇。一、TVS二極管的基本原理TVS二極管是一種專門設(shè)計(jì)用于保護(hù)電子器件免受瞬態(tài)高能量沖擊的半導(dǎo)體器件。它通常在正常工作電壓下呈高阻抗?fàn)顟B(tài),不影響電路的正常運(yùn)行。而當(dāng)輸入端遭遇瞬態(tài)過(guò)電壓時(shí),TVS管能在極短的時(shí)間內(nèi)(納秒級(jí)響
    MDD TVS 二極管 119瀏覽量
  • 如何布線才能降低MDDESD風(fēng)險(xiǎn)?PCB布局的抗干擾設(shè)計(jì)技巧2025-04-25 09:43

    在現(xiàn)代電子產(chǎn)品日益集成化、小型化的趨勢(shì)下,MDDESD(靜電二極管)防護(hù)設(shè)計(jì)變得至關(guān)重要。除了元器件選型,PCB的布線與布局也是影響ESD抗擾性能的關(guān)鍵因素。作為FAE,本文將結(jié)合實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),分享一些降低ESD風(fēng)險(xiǎn)的PCB布線與布局技巧。一、ESD路徑最短優(yōu)先原則ESD是一種高頻、瞬態(tài)干擾,它往往會(huì)選擇阻抗最小的路徑泄放。因此,在布線時(shí),必須確保ESD電流能快
  • ESD防護(hù)設(shè)計(jì)中的10個(gè)常見誤區(qū),你中招了嗎?2025-04-24 09:51

    在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,ESD(靜電放電)防護(hù)已成為設(shè)計(jì)中不可忽視的一環(huán)。然而,即便是經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師,也常會(huì)在ESD設(shè)計(jì)中掉進(jìn)一些看似“理所當(dāng)然”的誤區(qū)。以下總結(jié)了10個(gè)在實(shí)際設(shè)計(jì)中最常見的陷阱,看看你是否也中招了?1.只在輸入口加ESD元件,忽略其他暴露節(jié)點(diǎn)很多人只在USB、HDMI等外部接口加ESD防護(hù),卻忽略了調(diào)試口、天線、鍵盤矩陣等接口,留下隱患。2.選
    ESD 電壓 靜電放電 111瀏覽量
  • 如何選擇合適的MDDESD保護(hù)二極管?關(guān)鍵參數(shù)與選型技巧解析2025-04-23 10:25

    在電子設(shè)備日益小型化和高集成化的今天,靜電放電(ESD)已成為導(dǎo)致器件失效的主要威脅之一。某智能手表項(xiàng)目因ESD防護(hù)不足,導(dǎo)致30%的產(chǎn)品在用戶佩戴初期出現(xiàn)觸控失靈,直接損失超百萬(wàn)元。一、ESD保護(hù)二極管的四大核心參數(shù)鉗位電壓(VCL)定義:器件在ESD沖擊下限制的最高電壓。選型規(guī)則:VCL必須低于被保護(hù)器件的最大耐受電壓(如USB接口選VCL1pF會(huì)導(dǎo)致高
    ESD 二極管 靜電放電 154瀏覽量
  • 移動(dòng)設(shè)備中的MDDESD防護(hù)挑戰(zhàn):微型化封裝下的可靠性保障2025-04-22 09:33

    隨著智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等移動(dòng)終端的發(fā)展,整機(jī)集成度不斷提升,芯片封裝和電路板設(shè)計(jì)愈發(fā)微型化。在追求輕薄與性能的同時(shí),電子元件在靜電放電(MDDESD)沖擊下的可靠性面臨前所未有的挑戰(zhàn)。如何在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)有效的ESD防護(hù),已成為FAE(現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師)在設(shè)計(jì)階段必須重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。一、微型化趨勢(shì)帶來(lái)的挑戰(zhàn)在移動(dòng)設(shè)備中,主控芯片、觸控IC、射頻模塊
  • MDDESD靜電放電對(duì)電子元器件的影響:從損壞機(jī)制到防護(hù)策略2025-04-21 10:01

    MDD靜電放電(ElectrostaticDischarge,ESD)是電子系統(tǒng)中極為常見又極易被忽視的威脅之一。特別是在半導(dǎo)體分立器件和IC封裝日趨微型化、敏感度逐步提升的今天,MDDESD成為導(dǎo)致電子元件失效、系統(tǒng)異常甚至整機(jī)故障的“隱形殺手”。一、ESD的產(chǎn)生與危害ESD通常來(lái)源于人體活動(dòng)、設(shè)備接觸、帶電物體靠近等場(chǎng)景。當(dāng)兩個(gè)不同電位的物體接觸或靠近時(shí)
  • MDD肖特基二極管并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計(jì):如何提高電流承載能力?2025-04-18 09:36

    在電源設(shè)計(jì)、DC-DC轉(zhuǎn)換、逆變器等高功率應(yīng)用中,單顆肖特基二極管(SchottkyDiode)往往無(wú)法滿足電流或電壓的需求,此時(shí)就需要通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)的方式來(lái)提升器件的承載能力。但由于肖特基二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和溫度特性,其并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計(jì)面臨諸多挑戰(zhàn)。合理的匹配與電路設(shè)計(jì),是確保系統(tǒng)可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一、并聯(lián)設(shè)計(jì):提高電流承載能力并聯(lián)是提升總電流能力的常用方法,理
  • 高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設(shè)計(jì):如何避免熱失效?2025-04-17 12:39

    在高溫環(huán)境下,肖特基二極管(SchottkyDiode)以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源系統(tǒng)中。然而,由于其PN結(jié)被金屬-半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)取代,其溫度特性與普通PN結(jié)二極管存在顯著不同,特別是在高溫下,肖特基管的反向漏電流急劇上升,成為熱失效的主要隱患。因此,設(shè)計(jì)人員在高溫環(huán)境下使用肖特基二極管時(shí),必須充分考慮其熱穩(wěn)定性與散熱