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動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:29

  LLC拓?fù)渲?，為什么選用體二極管恢復(fù)快的MOSFET（FR-MOS）

  

  LLC諧振轉(zhuǎn)換器就是一種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?，允許主功率開(kāi)關(guān)管零電壓開(kāi)關(guān)，顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，大幅提高電源能效。在這種拓?fù)渲?，為了?shí)現(xiàn)ZVS開(kāi)關(guān)，功率開(kāi)關(guān)管的寄生體二極管必須反向恢復(fù)時(shí)間非常短（FR-MOS）。如果體二極管不能恢復(fù)全部載流子，則在負(fù)載從低到高的變化過(guò)程中，可能會(huì)發(fā)生硬開(kāi)關(guān)操作，并可能導(dǎo)致寄生雙極晶體管導(dǎo)通。在電信設(shè)備電源、大型計(jì)算機(jī)/服務(wù)器、電焊機(jī)、鋼材

  二極管

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:27

  6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第６章碳化硅器件工藝5.4總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3.2.1壽命控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3.2載流子

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:26

  9.2.6 拋光工藝和拋光片∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)相關(guān)鏈接：8.8.11無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備（SFP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》3.8切片及拋光∈《碳化硅技術(shù)基

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:23

  6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第６章碳化硅器件工藝5.4總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.3.2.1

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:22

  9.2.7 硅片清洗與包裝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  9.2硅片加工第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:19

  6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第６章碳化硅器

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 05:18

  9.3.1 點(diǎn)缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石晶圓

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 02:06

  5.2.3 擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2雙極退化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.1.6.2電子順磁共振∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.1.6.1深能級(jí)瞬態(tài)譜∈《碳化硅

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 02:05

  9.1.11 硅基石墨烯∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  9.1硅材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2021-12-31 02:02

  5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2雙極退化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》5.1

  碳化硅

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