動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-01-08 01:23
9.3.13 外延缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)380瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-07 01:15
6.3.4.3 確定表面勢(shì)、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢(shì)6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.2MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-07 01:14
9.3.12 氧化誘生層錯(cuò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供S382瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-06 01:14
6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.2氧754瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-06 01:12
9.3.11 失配位錯(cuò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、383瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-05 01:20
MCR：MOS Controlled Rectifier，MOS控制的二極管/整流器，超低反向漏電、175°結(jié)溫、高浪涌
晶圓型號(hào)選型表歡迎索樣測(cè)試驗(yàn)證：張先生18676796057（微信）相關(guān)鏈接：1、長(zhǎng)期提供：耐高溫、超低漏電工業(yè)級(jí)二極管晶圓、SBD8寸晶圓MCR二極管-8寸晶圓NCD15S10W-MCR8寸晶圓：150V10A，性能優(yōu)于Diodes同規(guī)格產(chǎn)品NCD20S10W-MCR8寸晶圓：200V10A，性能優(yōu)于Diodes同規(guī)格產(chǎn)品NCD30S10W-MCR8寸晶圓1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-05 01:19
6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.1氧化速率769瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-05 01:17
9.3.10 滑移位錯(cuò)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶336瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-04 01:17
6.3.3 熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用959瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-04 01:16
9.3.9 直拉單晶硅中的金屬雜質(zhì)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶427瀏覽量