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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機(jī)等方案開(kāi)發(fā)

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2022-02-09 01:08

    9.5.3 勻膠鉻版光掩∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-09 01:07

    7.2 肖特基勢(shì)磊二極管(SBD)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    7.2肖特基勢(shì)磊二極管(SBD)第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第7章單
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-09 01:05

    9.5.4 移相光掩模∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-29 01:08

    7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第7章單極型和雙極型功率二極管6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-29 01:07

    9.5.2 光掩模基板材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們PhotomaskSubstrateMaterial撰稿人:中芯國(guó)際集成電路制造有限公司郭貴琦https://www.smics.com/審稿人:中芯國(guó)際集成電路制造有限公司時(shí)雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-28 01:08

    7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-28 01:07

    9.5.1 集成電路對(duì)光掩模材料的要求及發(fā)展∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們RequirementsofICforPhotomaskMaterialsandtheDevelopmentofPhotomaskMaterials撰稿人:中芯國(guó)際集成電路制造有限公司郭貴琦https://www.smics.com/審稿人:中芯國(guó)際集成電路制造有限公司時(shí)雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-27 01:08

    6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    6.5總結(jié)第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.2SiC上的肖特基接
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-27 01:07

    9.4.15 化合物量子點(diǎn)材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備,大量裝機(jī),提供SiC晶圓、G
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-26 01:42

    6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅
    SiC
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聯(lián)系人:張涵清

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