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動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-02-27 01:08

  8.2.6 功率MOSFET 的實施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.6功率MOSFET的實施：DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.5比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.3MOSF

  MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2022-02-27 01:07

  9.6.8 化學(xué)機械拋光墊和化學(xué)機械修整盤∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  ChemicalMechanicalPolishingPadandConditioningDisc撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊鏈接：8.8.10化學(xué)機械拋光機（

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-02-26 01:09

  FPGA.AG1KLPQ48 替代Lattice ICE5LP1K

  

  AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280Q48替代AlteraEPM1270AG1KLPQ48替代LatticeICE5LP1KFPGAfamilydevice-AG1Kisultra-lowcostandpowerwithaslowas50uAstandbycu

  FPGA

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• 發(fā)布了文章 2022-02-26 01:08

  8.2.5 比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.5比通態(tài)電阻8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.2分裂準(zhǔn)費米能級的MOS靜電學(xué)∈《碳化

  電阻

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• 發(fā)布了文章 2022-02-26 01:07

  9.6.7 化學(xué)機械拋光液∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  ChemicalMechanicalPolishingSlurry撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊鏈接：8.8.10化學(xué)機械拋光機（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》?

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-02-25 01:09

  國產(chǎn)CPLD：AG1280Q48 替代Altera EPM1270

  

  AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280isultra-lowcostandpowerinQFN-486x6andQFN-324x40.8mm(actual0.77mm)thinknesspackaging.Thedevicehas1280LUTsandmaxim

  cpld

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• 發(fā)布了文章 2022-02-25 01:07

  8.2.4 飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.4飽和漏極電壓8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.2分裂準(zhǔn)費米能級的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.1MOS靜電學(xué)回顧∈

  電壓

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• 發(fā)布了文章 2022-02-25 01:06

  9.6.6 清洗腐蝕試劑∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

  

  CleaninganndEtchingChemicals撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).AD

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-02-24 01:10

  國產(chǎn)MCU PtP STMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義

  

  鏈接：AGMMCU:AG103/107/205/303/407，功能和管腳完全兼容STM32F103/107/205/303/407詳情：AG32VF103RCT6（64pin）PINtoPINSTMcu、GDMcu詳情：AG32VF103VCT6（100pin）PINtoPINSTMcu、GDMcu詳情：AG32VF407RGT6（64pin）PINtoP

  mcu 引腳

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• 發(fā)布了文章 2022-02-24 01:08

  8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

  

  8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.2分裂準(zhǔn)費米能級的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.1MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.1.6功率JFET器

  電流 SiC

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