動態(tài)
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發(fā)布了文章 2021-10-21 03:06
反電動勢的危害和簡易保護措施
點擊上方藍字關(guān)注我們反電動勢的危害和簡易保護措施什么是反電動勢反電動勢是指有反抗電流通過趨勢的電動勢，其本質(zhì)上屬于感應(yīng)電動勢。反電動勢一般出現(xiàn)在電磁線圈中，如繼電器線圈、電磁閥、接觸器線圈、電動機、電感等。通常情況下，只要存在電能與磁能轉(zhuǎn)化的電氣設(shè)備中，在斷電的瞬間，均會有反電動勢。在繞線式轉(zhuǎn)子電機中，轉(zhuǎn)子開路電壓就是好典型的反電動勢反電動勢的危害由于不同類4.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-20 03:00
ESD二極管之封裝SOD-923和DFN1006的區(qū)別解析
點擊上方藍字關(guān)注我們ESD二極管之封裝SOD-923和DFN1006的區(qū)別解析SOD-923和DFN1006的區(qū)別從圖片中我們可以看出兩者都為貼片安裝，SOD-923引腳在兩端，DFN1006引腳在底部看一下這兩個封裝的規(guī)格書對比其空間、推薦焊盤大?。?實測)可以看出長寬高近乎相同SOD-923在貼片過程中容易拋料，造成材料損失短缺。DFN1006引腳收斂，7.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-19 02:48
電磁兼容問題百問百答：什么是浪涌？
點擊關(guān)注不迷路電磁兼容問題百問百答：什么是浪涌?概念一般來說，浪涌是電路中電流、電壓或功率的瞬態(tài)波。特別是在電力系統(tǒng)中——這可能是我們與浪涌相關(guān)的最常見的背景——浪涌或瞬態(tài)，是持續(xù)時間小于正常電壓波形半個周期的子周期過電壓。浪涌可以是正極性或負極性，可以是正常電壓波形的加法或減法，并且通常會隨著時間的推移而振蕩和衰減。浪涌或瞬變是電源波形上的短暫過壓尖峰或干3.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-16 02:34
電磁兼容問題百問百答：浪涌的風險是什么？
點擊上方藍字關(guān)注我們電磁兼容問題百問百答：浪涌的風險是什么?浪涌或電壓瞬變可能損壞、降級或毀壞辦公室或企業(yè)中的敏感電子設(shè)備，從而導致：1.設(shè)備損壞2.設(shè)備停機時間3.由此產(chǎn)生的收入損失4.停機造成的生產(chǎn)力損失瞬變對電子設(shè)備的影響主要有以下三種類型：破壞性影響：當瞬變通過電感耦合進入設(shè)備時，通常會遇到這些影響。這種電感耦合的能源可以作用于集成電子裝置的數(shù)據(jù)輸出1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-15 02:16
為什么要用可回掃ESD?
點擊藍字關(guān)注我們?yōu)槭裁匆每苫貟逧SD?將ESD做到回掃功能，在設(shè)計上是需要增加很多工作和芯片面積的，功能的需求來自于目前應(yīng)用更廣的智能設(shè)備(Smartdevices)。眾所周知，ESD器件的保護功能是產(chǎn)品在ESD或EOS發(fā)生時，瞬間導通本體，電流流過倒到GND，然后同時降Vc鉗位，保證Vc小于后端IC的安全電壓閾值。那么問題來了，目前IC的開發(fā)精度越來越高1.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-14 03:00
ESD選型的幾個誤區(qū)
點擊關(guān)注不迷路ESD選型的幾個誤區(qū)1.電容越小越好嗎?適合的才是最好的，每種IC都有通信速率，不要追求最低電容，電容大產(chǎn)品功率難做大，而且成本價格會高很多，批量產(chǎn)品一定根據(jù)通信速率選擇合適的，雷卯有通信接口推薦ESD表格，可以根據(jù)通信協(xié)議選擇最適合的，保證了性能和成本。2.功率越大越好嗎?普通ESD可以說功率越大越好，但現(xiàn)在回掃ESD批量出貨后，可以發(fā)現(xiàn)回掃1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-13 02:00
ESD器件如何接地？
點擊原文關(guān)注我們ESD器件如何接地?首先我們來了解一下接地的種類，接地分為數(shù)字地、模擬地、信號地、交流地、直流地、屏蔽地與浮地ESD器件應(yīng)用于各類通信接口靜電保護，為什么要接地呢?隨著電子通信和其它數(shù)字領(lǐng)域的發(fā)展，在接地系統(tǒng)中只考慮防雷和安全已遠遠不能滿足要求了，在通信系統(tǒng)中，大量設(shè)備之間信號的互連要求各設(shè)備都要有一個基準地，高速信號的信號回流技術(shù)中也引入了4.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-09 01:16
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發(fā)布了文章 2021-10-01 00:54
普通ESD和回掃ESD特性對比
點擊藍字關(guān)注我們普通ESD和回掃ESD對比如今是5G時代，相比4G線路程控設(shè)備等，5G信號的傳輸速度更快，IC的敏感度更高，在電磁兼容的靜電防護需求就提升到了一個更高的高度。可回掃ESD以往在普通IC中發(fā)揮不了很大的應(yīng)用區(qū)別，但目前在華為等電信設(shè)備商的測試需求中，專門強調(diào)了防靜電ESD的回掃特性(snapback)。那什么是靜電器件的回掃特性呢?可以對比下以4.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-09-30 00:51
防靜電ESD測試過程展示
點擊上方藍字關(guān)注我們防靜電ESD測試過程展示本期內(nèi)容為ESD的測試過程，先來看一下規(guī)格書中有哪些參數(shù)VRWM和IT是固定的，可用作設(shè)置參考，所以我們要測試的就是VBIPPVCIRC和VESD。測試前需用示波器看器件曲線，檢查器件好壞1.C：LCR測試儀調(diào)至電容模式，導針直接接觸器件引腳，得到電容測試數(shù)據(jù)。2.VB、IR：輸入相應(yīng)參數(shù)，夾子兩端按正接負，負接正2.2k瀏覽量
