動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2021-10-16 02:34
電磁兼容問題百問百答：浪涌的風(fēng)險(xiǎn)是什么？
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們電磁兼容問題百問百答：浪涌的風(fēng)險(xiǎn)是什么?浪涌或電壓瞬變可能損壞、降級(jí)或毀壞辦公室或企業(yè)中的敏感電子設(shè)備，從而導(dǎo)致：1.設(shè)備損壞2.設(shè)備停機(jī)時(shí)間3.由此產(chǎn)生的收入損失4.停機(jī)造成的生產(chǎn)力損失瞬變對(duì)電子設(shè)備的影響主要有以下三種類型：破壞性影響：當(dāng)瞬變通過電感耦合進(jìn)入設(shè)備時(shí)，通常會(huì)遇到這些影響。這種電感耦合的能源可以作用于集成電子裝置的數(shù)據(jù)輸出917瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-15 02:16
為什么要用可回掃ESD?
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們?yōu)槭裁匆每苫貟逧SD?將ESD做到回掃功能，在設(shè)計(jì)上是需要增加很多工作和芯片面積的，功能的需求來自于目前應(yīng)用更廣的智能設(shè)備(Smartdevices)。眾所周知，ESD器件的保護(hù)功能是產(chǎn)品在ESD或EOS發(fā)生時(shí)，瞬間導(dǎo)通本體，電流流過倒到GND，然后同時(shí)降Vc鉗位，保證Vc小于后端IC的安全電壓閾值。那么問題來了，目前IC的開發(fā)精度越來越高1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-14 03:00
ESD選型的幾個(gè)誤區(qū)
點(diǎn)擊關(guān)注不迷路ESD選型的幾個(gè)誤區(qū)1.電容越小越好嗎?適合的才是最好的，每種IC都有通信速率，不要追求最低電容，電容大產(chǎn)品功率難做大，而且成本價(jià)格會(huì)高很多，批量產(chǎn)品一定根據(jù)通信速率選擇合適的，雷卯有通信接口推薦ESD表格，可以根據(jù)通信協(xié)議選擇最適合的，保證了性能和成本。2.功率越大越好嗎?普通ESD可以說功率越大越好，但現(xiàn)在回掃ESD批量出貨后，可以發(fā)現(xiàn)回掃1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-13 02:00
ESD器件如何接地？
點(diǎn)擊原文關(guān)注我們ESD器件如何接地?首先我們來了解一下接地的種類，接地分為數(shù)字地、模擬地、信號(hào)地、交流地、直流地、屏蔽地與浮地ESD器件應(yīng)用于各類通信接口靜電保護(hù)，為什么要接地呢?隨著電子通信和其它數(shù)字領(lǐng)域的發(fā)展，在接地系統(tǒng)中只考慮防雷和安全已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足要求了，在通信系統(tǒng)中，大量設(shè)備之間信號(hào)的互連要求各設(shè)備都要有一個(gè)基準(zhǔn)地，高速信號(hào)的信號(hào)回流技術(shù)中也引入了4.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-10-09 01:16
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發(fā)布了文章 2021-10-01 00:54
普通ESD和回掃ESD特性對(duì)比
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們普通ESD和回掃ESD對(duì)比如今是5G時(shí)代，相比4G線路程控設(shè)備等，5G信號(hào)的傳輸速度更快，IC的敏感度更高，在電磁兼容的靜電防護(hù)需求就提升到了一個(gè)更高的高度?？苫貟逧SD以往在普通IC中發(fā)揮不了很大的應(yīng)用區(qū)別，但目前在華為等電信設(shè)備商的測(cè)試需求中，專門強(qiáng)調(diào)了防靜電ESD的回掃特性(snapback)。那什么是靜電器件的回掃特性呢?可以對(duì)比下以3.7k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-09-30 00:51
防靜電ESD測(cè)試過程展示
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們防靜電ESD測(cè)試過程展示本期內(nèi)容為ESD的測(cè)試過程，先來看一下規(guī)格書中有哪些參數(shù)VRWM和IT是固定的，可用作設(shè)置參考，所以我們要測(cè)試的就是VBIPPVCIRC和VESD。測(cè)試前需用示波器看器件曲線，檢查器件好壞1.C：LCR測(cè)試儀調(diào)至電容模式，導(dǎo)針直接接觸器件引腳，得到電容測(cè)試數(shù)據(jù)。2.VB、IR：輸入相應(yīng)參數(shù)，夾子兩端按正接負(fù)，負(fù)接正1.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-09-29 00:44
超小封裝，超低漏流IR，抗靜電能力30KV，超小電壓防靜電ESD推薦
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們~超小封裝，超低漏流IR，抗靜電能力30KV，超小電壓防靜電ESD推薦參數(shù)表雷卯這三顆ESD具有超小封裝DFN0603尺寸封裝抗靜電能力(空氣/接觸)30KV，超低漏流納安級(jí)的特點(diǎn)，電壓低至2.5V，適合用于便攜消費(fèi)類產(chǎn)品上，如手機(jī)及配件、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、音頻播放器等消費(fèi)類電子產(chǎn)品往期內(nèi)容小體積大能量浪涌TVS來了德州儀器TI型號(hào)T753瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-09-27 00:17
雙向ESD保護(hù)器件是兩個(gè)同參數(shù)二極管反向串接而成的嗎
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們但不一定是同參數(shù)，比如ESD防靜電元件SM712它就是由不同參數(shù)二極管反向串接而成。雙向ESD保護(hù)器件應(yīng)用廣泛如：RS485浪涌濾波保護(hù)方案?jìng)鞲衅?4-20mA)靜電保護(hù)方案USB3.0靜電濾波保護(hù)方案，等等掃碼關(guān)注我們獲取更多教學(xué)知識(shí)汽車、醫(yī)療、工業(yè)等EMC標(biāo)準(zhǔn)免費(fèi)獲取方式！為什么高速信號(hào)ESD設(shè)置要flow-through小體積大能量1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2021-09-24 12:37
國(guó)產(chǎn)化替代被動(dòng)器件——雷卯專業(yè)解析
點(diǎn)擊關(guān)注不迷路國(guó)產(chǎn)化替代，雷卯對(duì)應(yīng)ESD篇國(guó)產(chǎn)化替代，主要是對(duì)應(yīng)產(chǎn)品的大小，封裝焊盤，電性參數(shù)。雷卯多年積累，替代了很多國(guó)外品牌型號(hào)，供參考選擇。舉例一：品牌TI、SEMTECH、ON的型號(hào)，可以用雷卯的一個(gè)型號(hào)替代，參數(shù)完全一致從表格中可以看出，1.額定工作電壓VRWM相同5V，2.擊穿電壓VBR接近VRWM為佳6V，3.鉗位電壓VC接近VRWM為佳15V1.3k瀏覽量
