動態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-03-31 00:13
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發(fā)布了文章 2022-03-22 00:12
RS-422/RS-485 與 RS-232相比有哪些優(yōu)勢?
RS-422/RS-485與RS-232相比有哪些優(yōu)勢?由于RS-422/RS-485使用差分信號,它對噪聲的抵抗力更強(qiáng),可以使用更長的電纜和/或高數(shù)據(jù)速率,尤其是在嘈雜的環(huán)境中。此外,RS-485允許多點(diǎn)操作,最多32個單位負(fù)載。收發(fā)器可能會使用單位負(fù)載的一小部分,從而增加總線上的設(shè)備數(shù)量。雷卯電子推出基于各種速率的RS485RS422國產(chǎn)芯片LEIDIT1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-17 01:13
直流繼電器觸點(diǎn)保護(hù)方案
繼電器觸點(diǎn)保護(hù)方案雷卯電子leiditech高功率TVS二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET或繼電器觸點(diǎn)開關(guān),而MOSFET或繼電器觸點(diǎn)開關(guān)可能在短路斷開時發(fā)生。我們知道其實繼電器的觸點(diǎn)保護(hù)要比Mosfet更加殘酷,一般繼電器的負(fù)載要比Mosfet大很多。常見的直流大的負(fù)荷直流電動機(jī),直流離合器和直流電磁閥,這些感性負(fù)載開關(guān)關(guān)閉,數(shù)百甚至幾千伏的反電動勢造成773瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-16 00:14
高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC的特點(diǎn)及其應(yīng)用
高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC的特點(diǎn)及其應(yīng)用1特性在電子鎮(zhèn)流器中廣泛采用的雙向觸發(fā)器件是DB3,其觸發(fā)開通電壓在30V左右,觸發(fā)電流較小(mA級),導(dǎo)通后的殘余電壓在20V左右,這些特點(diǎn)決定了只能用于小電流的觸發(fā)電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC(SiliconDiodeforAlternatingCurrent),它比普通的DIAC(DB32.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-11 00:13
汽車拋負(fù)載測試ISO7637 -5A 和ISO16750有何不同?
汽車拋負(fù)載測試ISO7637-5A和ISO16750有何不同?多年來,汽車拋負(fù)載浪涌條件測試一直使用ISO-7637-5a標(biāo)準(zhǔn)中的定義,并得到全球各大汽車零部件制造商采用。2010年,該標(biāo)準(zhǔn)被新的汽車拋負(fù)載測試標(biāo)準(zhǔn)ISO-16750-2取代。本文介紹了雷卯電子整理的拋負(fù)載測試條件的變動,并在這些條件下用一個示例拋負(fù)載TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)定義了最大浪涌抑制3.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-02-22 00:13
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發(fā)布了文章 2022-02-22 00:12
繼電器觸點(diǎn)保護(hù)方案
繼電器觸點(diǎn)保護(hù)方案雷卯電子leiditech高功率TVS二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET或繼電器觸點(diǎn)開關(guān),而MOSFET或繼電器觸點(diǎn)開關(guān)可能在短路斷開時發(fā)生。我們知道其實繼電器的觸點(diǎn)保護(hù)要比Mosfet更加殘酷,一般繼電器的負(fù)載要比Mosfet大很多。常見的直流大的負(fù)荷直流電動機(jī),直流離合器和直流電磁閥,這些感性負(fù)載開關(guān)關(guān)閉,數(shù)百甚至幾千伏的反電動勢造成1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-02-20 00:14
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發(fā)布了文章 2022-02-20 00:12
VHF/UHF 同軸接口ESD保護(hù)方案
VHF/UHF同軸接口ESD保護(hù)方案本方案用于保護(hù)射頻端口的ESD事件,保護(hù)頻率(30MHz–3000MHz)根據(jù)信號電壓不同,雷卯電子提供5V12V24V等不同等級的ESD器件,PESD0542U005/PESD1242U005/PESD2442U005供設(shè)計選擇。本方案選擇超低電容0.05pfESD器件,確保信號完整性??蛻舾鶕?jù)電路匹配選擇合適的電容電感1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-21 00:25