存儲(chǔ)市場(chǎng)惡化 美光同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

受到美國商務(wù)部 5 月中祭出的華為禁令影響，第一時(shí)間宣布對(duì)華為停止供貨的美系存儲(chǔ)大廠美光（ Micron ）日前表示，經(jīng)過嚴(yán)格審查，部分產(chǎn)品可以繞過出口管制條例和實(shí)體清單的限制，在過去兩周已經(jīng)開始恢復(fù)對(duì)華為供貨，美光在投資人說明會(huì)中表示，如果沒有華為禁令的影響，美光財(cái)報(bào)表現(xiàn)可以更好。

不過，業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)階段的華為，以及整體產(chǎn)業(yè)局勢(shì)仍存在很大的不確定性，且美光只是小部分重啟對(duì)華為供貨，整個(gè)后續(xù)狀況仍需觀察，要保持審慎態(tài)度視之。

美國實(shí)體清單重挫美企，大家紛紛找對(duì)策應(yīng)對(duì)

美國的實(shí)體清單和禁售令一出，幾乎所有美商都開始禁售華為，后續(xù)引發(fā)相當(dāng)大的波瀾，多數(shù)外商都開始針對(duì)禁售一事與美國方面做溝通，希望對(duì)于商業(yè)影響降至最低。

外媒報(bào)道，近期微軟、英特爾等大廠都紛紛發(fā)聲，希望釋出誠意能和善解決此事件。其中，微軟做出的第一步，是表示將繼續(xù)對(duì)華為設(shè)備的客戶提供軟件更新，英特爾則表示持續(xù)對(duì)華為的終端用戶提供安全更新和驅(qū)動(dòng)程序。

在 6 月 25 日的投資人說明會(huì)上，美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示，過去兩周已經(jīng)部分恢復(fù)對(duì)華為的芯片供貨，主要是這些芯片產(chǎn)品并不在出口管制條例的范圍之內(nèi)，也不受實(shí)體清單限制的影響。

不過，美光也強(qiáng)調(diào)，因?yàn)檎麄€(gè)華為的狀況不確定性仍相當(dāng)大，美光無法對(duì)供給華為的芯片數(shù)量作出保證，或是承諾能夠持續(xù)供貨多久。

日前日本軟銀集團(tuán)創(chuàng)始人孫正義也表示，Arm 沒有停止與華為的合作關(guān)系，關(guān)鍵是貿(mào)易法的改變，讓 Arm 要花點(diǎn)時(shí)間調(diào)查一些相關(guān)限制和細(xì)節(jié)，如果符合低于 25% 技術(shù)含量的限制，仍是可以繼續(xù)供貨，不會(huì)受到影響。

從美光、 Arm 、微軟、英特爾等外企的態(tài)度可以看出，，以中國龐大的消費(fèi)市場(chǎng)來看，

以美光為例， 2019 年上半年，華為占其整體營收的份額高達(dá) 13% ，這只是單一中國公司對(duì)美光營收的占比，若以整個(gè)國內(nèi)市場(chǎng)的營收份額來看，對(duì)美光的占比將高達(dá)近 50% 。

存儲(chǔ)市場(chǎng)惡化，同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

在 25 日的投資人會(huì)議中，另一個(gè)更值得憂心的是存儲(chǔ)市場(chǎng)狀況，美光對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景透露悲觀氣氛，同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash 兩大存儲(chǔ)芯片。

其中，美光對(duì)于 DRAM 投片量維持減少 5% 的幅度，而 NAND Flash 投片量的減少幅度進(jìn)一步擴(kuò)大，從減產(chǎn) 5% 擴(kuò)大至減產(chǎn) 10% ，更且計(jì)劃大砍 2020 年（ 2019 年Q4～2020 年Q3 ）的資本支出，極力將產(chǎn)業(yè)供需導(dǎo)向平衡。

美光旗下兩大業(yè)務(wù)為 DRAM 和 NAND Flash，在2019年第三季會(huì)計(jì)年度中， DRAM 營收份額約 64% ，環(huán)比下降 19% ，同比下降 45%，平均售價(jià)（ASP）環(huán)比減少高達(dá) 20% ，出貨環(huán)比持平。

在 NAND Flash 業(yè)務(wù)上，營收份額約 31% ，環(huán)比下降 18% ，同比下降 25% ， ASP 環(huán)比下滑減少 15% ，出貨環(huán)比則是下降 5%。

根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) TrendForce 統(tǒng)計(jì)，2019年智能手機(jī)和服務(wù)器的需求減緩，加上 CPU 缺貨仍對(duì)筆記本電腦的整體出貨略有影響， NAND Flash 應(yīng)用如 eMMC 、 UFS 、 SSD 等產(chǎn)品第三季旺季出貨量恐不如預(yù)期，預(yù)計(jì)第三季 NAND Flash 合約價(jià)雖然跌幅將縮小，但基于庫存調(diào)整時(shí)間拉長，仍視為持續(xù)下跌格局，合約價(jià)不易反彈。

目前 NAND Flash 市場(chǎng)仍處于高端工藝技術(shù)迭代期，以移動(dòng)設(shè)備為主流的 eMMC 和 UFS 芯片仍將以既有的 64 層和 72 層的 3D NAND 技術(shù)為主力工藝，而在 Client SSD 端則開始導(dǎo)入 92 層和 96 層的 3D NAND 芯片，協(xié)助成本持續(xù)下降。

根據(jù)美光的財(cái)報(bào)，公司認(rèn)為兩大存儲(chǔ)芯片 DRAM 和 NAND Flash 都處于庫存調(diào)整期。其中，DRAM 客戶的庫存調(diào)整符合預(yù)期，加上公司一直在執(zhí)行技術(shù)迭代前進(jìn)，驅(qū)動(dòng)成本降低，美光目前持續(xù)提升 1y nm 的技術(shù)，預(yù)計(jì)在年底進(jìn)入 1z nm 工藝技術(shù)世代，讓 DRAM 成本持續(xù)下降。

再者，美光預(yù)期 2019 年的 DRAM 位元成長率會(huì)增加 15% 左右，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的成長率會(huì)高于 15% ，美光將繼續(xù)執(zhí)行 5% 的 DRAM 減產(chǎn)計(jì)劃，希望產(chǎn)業(yè)盡速恢復(fù)供需平衡。

在 NAND Flash 產(chǎn)品方面，美光已經(jīng)進(jìn)入 96 層 3D NAND 技術(shù)，有助于成本的下降，未來也將如期導(dǎo)入 128 層 3D NAND 技術(shù)。

NAND Flash 產(chǎn)業(yè)上一波高峰是由服務(wù)器的商機(jī)帶起，之前數(shù)據(jù)中心等云客戶一直處于庫存消化階段，美光也預(yù)期 2019 年 NAND Flash 需求將增長 35% ，而整個(gè)產(chǎn)業(yè)的位元成長率將超過 35% 。因此，未來追求更好的產(chǎn)業(yè)供需狀況，美光擴(kuò)大 NAND Flash 減產(chǎn)幅度，從減產(chǎn) 5% 擴(kuò)大減產(chǎn)至 10% 。

日前存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)一個(gè)插曲，日系存儲(chǔ)大廠東芝與西部數(shù)據(jù)在日本四日市合資的 12 寸 NAND Flash 產(chǎn)線，發(fā)生停電導(dǎo)致生產(chǎn)線停擺，并且出現(xiàn)晶圓報(bào)廢事件，市場(chǎng)一度解讀是否會(huì)因會(huì)該意外事故讓 NAND Flash 市場(chǎng)供需由供過于求轉(zhuǎn)為供給緊張。

東芝的重要合作伙伴群聯(lián)在第一時(shí)間表示，雖然無法評(píng)論東芝的狀況，但以群聯(lián)本身來看，庫存十分充足，可以支應(yīng) 2 ~ 3 個(gè)月的接單需求，同時(shí)公司也與威騰、 SK 海力士、英特爾等存儲(chǔ)大廠有合作關(guān)系，不擔(dān)心后續(xù)供應(yīng)問題。業(yè)界則認(rèn)為，東芝該意外事件對(duì)于全球 NAND Flash 市場(chǎng)的供需影響不大。

根據(jù)過去經(jīng)驗(yàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)每一個(gè)波段的景氣循環(huán)，演變至產(chǎn)業(yè)谷底都會(huì)遇到砍支出、減產(chǎn)、清庫存等過程，以期待之后的供需回暖和價(jià)格回升。

這一波的景氣谷底起因是全球經(jīng)濟(jì)因素、美國對(duì)華為實(shí)施的禁令等，美光等國際大廠已經(jīng)在資本支出上做出保守動(dòng)作，加上 DRAM 和 NAND Flash 同步減產(chǎn)，都是下猛藥救市場(chǎng)的動(dòng)作。

美光已經(jīng)表明，對(duì)華為實(shí)施禁售的政策，已經(jīng)對(duì)公司營收造成減少，目前已經(jīng)啟動(dòng)恢復(fù)部分的出貨，但是之后的狀況仍不明朗，且變數(shù)很大?？梢灶A(yù)見，這一波景氣的谷底狀況其實(shí)更為復(fù)雜，經(jīng)濟(jì)、政治等因素?fù)诫s，全球科技業(yè)都等待著中美僵局能順利解決，恢復(fù)正常商業(yè)運(yùn)作。