0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

長江存儲(chǔ)今年年底量產(chǎn)64層3D NAND,進(jìn)一步縮短于國外廠商技術(shù)差距

電子工程師 ? 來源:YXQ ? 2019-05-17 09:43 ? 次閱讀

對(duì)國內(nèi)NAND閃存來說,最有希望的還是長江存儲(chǔ)公司,日前該公司聯(lián)席CTO程衛(wèi)華表示今年底量產(chǎn)64寸堆棧的3D NAND閃存,市場(chǎng)分析稱這樣一來國內(nèi)的NAND閃存與國外的技術(shù)差距就從之前的三四年縮小到了兩年左右。

前不久紫光公司推出的純國產(chǎn)SSD的消息刷遍了網(wǎng)絡(luò),爆料稱該系列SSD容量128GB到1TB,使用的是國產(chǎn)聯(lián)蕓科技的主控以及紫光自產(chǎn)的64層堆棧TLC閃存,P/E壽命可達(dá)1500次,這已經(jīng)是相當(dāng)高的水準(zhǔn)了。不過爆料的紫光SSD也有很多蹊蹺之處,紫光公司隨后找媒體刪除了相關(guān)報(bào)道,并不愿意聲張此事。對(duì)國內(nèi)NAND閃存來說,最有希望的還是長江存儲(chǔ)公司,日前該公司聯(lián)席CTO程衛(wèi)華表示今年底量產(chǎn)64寸堆棧的3D NAND閃存,市場(chǎng)分析稱這樣一來國內(nèi)的NAND閃存與國外的技術(shù)差距就從之前的三四年縮小到了兩年左右。

這里要說一點(diǎn),雖然都是紫光集團(tuán)旗下,但是紫光存儲(chǔ)跟長江存儲(chǔ)并不是一回事,紫光存儲(chǔ)就是那個(gè)做U盤、SSD及磁盤陣列的公司,主要做終端產(chǎn)品,長江存儲(chǔ)雖然也算是紫光旗下的,不過這是紫光收購武漢新芯科技之后的公司,紫光控股,但公司還是獨(dú)立運(yùn)營的,他們主要是做NAND研發(fā)、生產(chǎn),未來他們可能是紫光存儲(chǔ)產(chǎn)品的NAND供應(yīng)商,但紫光存儲(chǔ)并不是只有長江存儲(chǔ)的閃存可用,去年紫光存儲(chǔ)跟英特爾達(dá)成了戰(zhàn)略合作,推出的很多存儲(chǔ)產(chǎn)品使用的其實(shí)是英特爾的閃存。

長江存儲(chǔ)這邊去年就已經(jīng)研發(fā)成功了32層堆棧64Gb核心容量的的NAND閃存,并且少量生產(chǎn)用于U盤等產(chǎn)品,但32層64Gb容量的NAND閃存已經(jīng)沒有競爭力了,長江存儲(chǔ)此前公布的目標(biāo)是今年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存。

日經(jīng)新聞報(bào)道稱,長江存儲(chǔ)聯(lián)席CTO程衛(wèi)華日前在中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)表示該公司的生產(chǎn)正如期進(jìn)行,與全球供應(yīng)商的合作關(guān)系照舊。他說這番話的背景是因?yàn)榱硪患掖鎯?chǔ)芯片廠商福建晉華因?yàn)楹献骰鸨?lián)電在***挖人而與美光公司交惡,惹上了侵權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的麻煩,而晉華公司也被美國政府制裁,美國的半導(dǎo)體設(shè)備廠商不能再給福建晉華公司供應(yīng)生產(chǎn)設(shè)備,導(dǎo)致公司運(yùn)轉(zhuǎn)停止。

程衛(wèi)華表示該公司決不允許員工侵犯知識(shí)產(chǎn)權(quán)或者竊取其他公司機(jī)密,已要求公司員工簽署承諾書,不能把非法資料帶入公司。

此外,對(duì)于擔(dān)心長江存儲(chǔ)入局NAND閃存會(huì)帶來產(chǎn)能過剩、低價(jià)競爭等問題,程衛(wèi)華還表示公司不會(huì)大舉擴(kuò)產(chǎn)讓市場(chǎng)供過于求。

長江存儲(chǔ)今年的目標(biāo)是量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,Bernstein Research半導(dǎo)體分析師Mark Li表示如果64層堆棧NAND閃存量產(chǎn),長江存儲(chǔ)與國外廠商的技術(shù)差距可望從3、4年縮短到2年左右。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1683

    瀏覽量

    136211
  • 長江存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    324

    瀏覽量

    37918

原文標(biāo)題:[技工招聘]現(xiàn)誠聘電工一名,歡迎您的加入!

文章出處:【微信號(hào):Johnsonelectric-BH,微信公眾號(hào):北海德昌電機(jī)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000

    2030年實(shí)現(xiàn)1000堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大
    的頭像 發(fā)表于 06-29 00:03 ?4547次閱讀

    【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的些小知識(shí)

    密度,制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù),該技術(shù)將Z平面中的
    發(fā)表于 12-17 17:34

    3D打印技術(shù)應(yīng)用的未來

    進(jìn)一步拓寬 生物醫(yī)療 : 3D打印技術(shù)能夠根據(jù)患者的具體需要定制化生產(chǎn)義肢、植入物等,極大地提高了醫(yī)療效果和患者的生活質(zhì)量。 未來,3D打印技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-25 09:28 ?635次閱讀

    通過展頻進(jìn)一步優(yōu)化EMI

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過展頻進(jìn)一步優(yōu)化EMI.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-04 09:32 ?1次下載
    通過展頻<b class='flag-5'>進(jìn)一步</b>優(yōu)化EMI

    三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)

    三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這舉措
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:19 ?665次閱讀

    至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級(jí)NAND閃存芯片

    近日,國內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新科技(無錫)有限公司宣布了項(xiàng)重要突破,成功量產(chǎn)了512Mb高可靠性工業(yè)級(jí)2D NAND閃存芯片。這款芯
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:35 ?520次閱讀

    昕感科技6英寸硅基半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底全面通線

    江蘇昕感科技在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域又邁出了重要的一步。由該公司投資建設(shè)的6英寸硅基半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目,預(yù)計(jì)將在今年年底全面通線,年產(chǎn)能將達(dá)到100萬片6英寸硅基半導(dǎo)體芯片。這項(xiàng)目的成功實(shí)施,將進(jìn)一
    的頭像 發(fā)表于 06-26 10:49 ?1932次閱讀

    三星加強(qiáng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)聯(lián)盟,以縮小與臺(tái)積電差距

    據(jù)最新報(bào)道,三星電子正積極加強(qiáng)其在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域的聯(lián)盟建設(shè),旨在縮小與全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電之間的技術(shù)差距。為實(shí)現(xiàn)這目標(biāo),三星預(yù)計(jì)將在今年
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:32 ?548次閱讀

    3D NAND閃存來到290,400+不遠(yuǎn)了

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+ 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第
    的頭像 發(fā)表于 05-25 00:55 ?3856次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>閃存來到290<b class='flag-5'>層</b>,400<b class='flag-5'>層</b>+不遠(yuǎn)了

    美光232QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

    美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進(jìn)的232QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(SSD)中。此外,美光還推出了2500 NVMeTM S
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:59 ?664次閱讀

    三星即將量產(chǎn)290V-NAND閃存

    據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND)閃存芯片。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:06 ?623次閱讀

    鎧俠計(jì)劃2030-2031年推出千級(jí)3D NAND閃存,并開發(fā)存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)

    目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218堆疊的BICS8 3D閃存,這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
    的頭像 發(fā)表于 04-07 15:21 ?680次閱讀

    臺(tái)積電和英特爾有望在今年年底前建成2納米晶圓廠

    SEMI進(jìn)一步觀察指出,盡管臺(tái)積電今年的二納米月產(chǎn)能相對(duì)較低,但旦蘋果等大客戶選擇采用2納米工藝,其產(chǎn)能預(yù)計(jì)將得到顯著提高。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 11:17 ?395次閱讀

    有了2D NAND,為什么要升級(jí)到3D呢?

    2D NAND3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory
    的頭像 發(fā)表于 03-17 15:31 ?1039次閱讀
    有了2<b class='flag-5'>D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>,為什么要升級(jí)到<b class='flag-5'>3D</b>呢?

    三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

    三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:35 ?801次閱讀