電信和國防應(yīng)用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭全面開啟

電信和國防應(yīng)用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復(fù)合增長率達(dá)到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。

目前國防仍是RF GaN的主要市場，因為其專業(yè)化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低，因而為以GaN為基底的產(chǎn)品提供了許多機(jī)會。2017~2018年，國防部門占了RF GaN市場總量的35％以上，完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術(shù)與市場分析師Hong Lin表示，我們相信這個重要的GaN市場將持續(xù)與GaN的整體滲透力一起成長。

RF GaN已經(jīng)被工業(yè)公司認(rèn)可，并明顯地成為主流。領(lǐng)先的參與者正快速地增加收入，這種趨勢在未來的幾年內(nèi)將保持不變。從知識產(chǎn)權(quán)的角度來看，美國和日本主導(dǎo)著整個RF GaN知識產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。

Knowmade執(zhí)行長兼聯(lián)合創(chuàng)始人Nicolas Baron評論，科銳(Cree)毫無疑問地?fù)碛凶顝?qiáng)的知識產(chǎn)權(quán)地位，尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron- mobility transistor, HEMT) 。住友電氣工業(yè)雖是RF GaN設(shè)備的市場領(lǐng)導(dǎo)者，仍落后于Cree。此外，住友電氣工業(yè)的專利活動放慢了腳步，然而富士通()、東芝()和三菱電機(jī)()等其他日本公司正在加快他們的專利申請，因此現(xiàn)在也擁有強(qiáng)大的專利組合。

Baron進(jìn)一步說明， Cree也在RF GaN HEMT知識產(chǎn)權(quán)的競賽中處于領(lǐng)先地位。針對Cree的RF GaN專利組合分析顯示，它可以有效地限制該領(lǐng)域的專利活動并控制大部分關(guān)鍵國家其他企業(yè)的FTO(Freedom to Operate, FTO)。

另一方面，英特爾和全科科技目前也十分積極進(jìn)行RF GaN專利申請，尤其是在GaN-on-Silicon技術(shù)方面，如今已成為RF GaN專利領(lǐng)域的主要知識產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)者。參與RF GaN市場的其他公司，如Qorvo、雷神、諾格(Northrop Grumman)、恩智浦(NXP)和英飛凌(Infineon)，同樣擁有一些關(guān)鍵專利，但未必?fù)碛袕?qiáng)大的知識產(chǎn)權(quán)地位。

Yole Développement指出，剛進(jìn)入GaN HEMT專利領(lǐng)域的英特爾，目前是最活躍的專利申請人，且應(yīng)該會在未來幾年加強(qiáng)其知識產(chǎn)權(quán)地位，特別是對于GaN-on-Silicon技術(shù)。其余GaN RF HEMT相關(guān)專利領(lǐng)域的新進(jìn)入者，主要包含中國企業(yè)海威華、三安光電和北京華進(jìn)創(chuàng)維電子；而其他值得注意的新進(jìn)入者包括***的臺積電和聯(lián)穎光電，韓國的Wavice和Gigalane，日本的愛德萬測試，以及美國的全科科技和安森美半導(dǎo)體。

另外，中國電子科技集團(tuán)和西安電子科技大學(xué)針對RF GaN在微波和毫米波的應(yīng)用技術(shù)，領(lǐng)導(dǎo)了中國的專利領(lǐng)域。三年前進(jìn)入知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域的新興代工廠海威華是當(dāng)今中國知識產(chǎn)權(quán)的最強(qiáng)挑戰(zhàn)者；然而，美國和日本公司依舊在RF GaN 知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域中發(fā)揮關(guān)鍵作用。