碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

1.寬帶隙半導(dǎo)體

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙為3.2 eV，而碳化硅的帶隙為3.4 eV。雖然這些值看起來相似，但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1 eV，比氮化鎵和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許氮化鎵和碳化硅舒適地支持更高電壓的電路，但它們不能像硅那樣支持低壓電路。

2.擊穿場(chǎng)強(qiáng)度

氮化鎵和碳化硅的擊穿場(chǎng)相對(duì)相似，氮化鎵的擊穿場(chǎng)為3.3 MV/cm，而碳化硅的擊穿場(chǎng)為3.5 MV/cm。與普通硅相比，這些擊穿場(chǎng)使化合物明顯更好地處理更高的電壓。硅的擊穿場(chǎng)為0.3 MV/cm，這意味著氮化鎵和碳化硅保持更高電壓的能力幾乎高出十倍。它們還能夠使用明顯更小的器件支持較低的電壓。

3.高電子遷移率晶體管（HEMT）

氮化鎵和碳化硅之間最顯著的區(qū)別在于它們的電子遷移率，這表明電子在半導(dǎo)體材料中的移動(dòng)速度。首先，硅的電子遷移率為1500 cm^2/Vs.氮化鎵的電子遷移率為2000 cm^2/Vs，這意味著電子的移動(dòng)速度比硅的電子快30%以上。然而，碳化硅的電子遷移率為650 cm^2/Vs，這意味著碳化硅的電子比GaN和硅的電子移動(dòng)得慢。憑借如此高的電子遷移率，GaN幾乎是高頻應(yīng)用的三倍。電子可以通過氮化鎵半導(dǎo)體比SiC快得多。

4.氮化鎵和碳化硅導(dǎo)熱系數(shù)

材料的導(dǎo)熱性是其通過自身傳遞熱量的能力?？紤]到材料的使用環(huán)境，導(dǎo)熱系數(shù)直接影響材料的溫度。在大功率應(yīng)用中，材料的低效率會(huì)產(chǎn)生熱量，從而提高材料的溫度，并隨后改變其電氣特性。氮化鎵的導(dǎo)熱系數(shù)為1.3 W/cmK，實(shí)際上比硅的導(dǎo)熱系數(shù)差，硅的導(dǎo)率為1.5 W/cmK。然而，碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為5 W/cmK，使其在傳遞熱負(fù)荷方面提高了近三倍。這一特性使碳化硅在高功率、高溫應(yīng)用中具有很高的優(yōu)勢(shì)。

5.半導(dǎo)體晶圓制造工藝

目前的制造工藝是氮化鎵和碳化硅的限制因素，因?yàn)檫@些工藝比廣泛采用的硅制造工藝更昂貴、精度更低或能源密集。例如，氮化鎵在小面積上含有大量的晶體缺陷。另一方面，硅每平方厘米只能包含100個(gè)缺陷。顯然，這種巨大的缺陷率使得GaN效率低下。雖然制造商近年來取得了長足的進(jìn)步，但GaN仍在努力滿足嚴(yán)格的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)要求。

6.功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

與硅相比，目前的制造技術(shù)限制了氮化鎵和碳化硅的成本效益，使這兩種高功率材料在短期內(nèi)更加昂貴。然而，這兩種材料在特定半導(dǎo)體應(yīng)用中都具有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)。碳化硅在短期內(nèi)可能是一種更有效的產(chǎn)品，因?yàn)樗鹊壐菀字圃旄?、更均勻的SiC晶片。隨著時(shí)間的推移，鑒于其更高的電子遷移率，氮化鎵將在小型高頻產(chǎn)品中找到自己的位置。碳化硅在較大的功率產(chǎn)品中將更可取，因?yàn)樗墓β誓芰Ρ鹊壐叩膶?dǎo)熱性。

氮化鎵和碳化硅器件，與硅半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差異。

圖1.高壓、大電流，開關(guān)頻率的關(guān)系，以及主要應(yīng)用領(lǐng)域。

寬禁帶半導(dǎo)體

WBG化合物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率和較高的帶隙能量，轉(zhuǎn)化為優(yōu)于硅的特性。由WBG化合物半導(dǎo)體制成的晶體管具有更高的擊穿電壓和對(duì)高溫的耐受性。這些器件在高壓和高功率應(yīng)用中比硅更有優(yōu)勢(shì)。圖2. 雙裸片雙場(chǎng)效應(yīng)管(FET)級(jí)聯(lián)電路將GaN晶體管轉(zhuǎn)換為常關(guān)斷器件，實(shí)現(xiàn)了大功率開關(guān)電路中的標(biāo)準(zhǔn)增強(qiáng)型工作模式與硅相比，WBG晶體管的開關(guān)速度也更快，可在更高的頻率下工作。更低的“導(dǎo)通”電阻意味著它們耗散的功率更小，從而提升能效。這種獨(dú)特的特性組合使這些器件對(duì)汽車應(yīng)用中一些最嚴(yán)苛要求的電路具有吸引力，特別是混合動(dòng)力和電動(dòng)車。

GaN和SiC晶體管以應(yīng)對(duì)汽車電氣設(shè)備的挑戰(zhàn)GaN和SiC器件的主要優(yōu)勢(shì)：高電壓能力，有650 V、900 V和1200 V的器件，碳化硅：更高的1700V.3300V和6500V。更快的開關(guān)速度，更高的工作溫度。更低導(dǎo)通電阻，功率耗散最小，能效更高。

GaN器件

在開關(guān)應(yīng)用中，通?！瓣P(guān)斷”的增強(qiáng)型(或E型)器件是首選，這導(dǎo)致了E型GaN器件的發(fā)展。首先是兩個(gè)FET器件的級(jí)聯(lián)(圖2)?，F(xiàn)在，標(biāo)準(zhǔn)的e型GaN器件已問世。它們可以在高達(dá)10兆赫頻率下進(jìn)行開關(guān)，功率達(dá)幾十千瓦。

GaN器件被廣泛用于無線設(shè)備中，作為頻率高達(dá)100 GHz的功率放大器。一些主要的用例是蜂窩基站功率放大器、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大。然而，由于高壓(高達(dá)1,000 V)、高溫和快速開關(guān)，它們也被納入各種開關(guān)電源應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和電池充電器。

SiC器

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。最大漏源電壓高達(dá)約1,800 V，電流能力為100安培。此外，SiC器件的導(dǎo)通電阻比硅MOSFET低得多，因而在所有開關(guān)電源應(yīng)用(SMPS設(shè)計(jì))中的能效更高。

SiC器件需要18至20伏的門極電壓驅(qū)動(dòng)，導(dǎo)通具有低導(dǎo)通電阻的器件。標(biāo)準(zhǔn)的Si MOSFET只需要不到10伏的門極就能完全導(dǎo)通。此外，SiC器件需要一個(gè)-3至-5 V的門極驅(qū)動(dòng)來切換到關(guān)斷狀態(tài)。SiC MOSFET在高壓、高電流的能力使它們很適合用于汽車電源電路。在許多應(yīng)用中，IGBT正在被SiC器件取代。SiC器件可在更高的頻率下開關(guān)，從而減少電感或變壓器的尺寸和成本，同時(shí)提高能效。此外，SiC可以比GaN處理更大的電流。GaN和SiC器件存在競(jìng)爭，特別是硅LDMOS MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET和IGBT。在許多應(yīng)用中，正逐漸被GaN和SiC晶體管所取代。

總結(jié)GaN與SiC的比較，以下是重點(diǎn)：GaN的開關(guān)速度比Si快。SiC工作電壓比GaN更高。SiC需要高的門極驅(qū)動(dòng)電壓。許多功率電路和器件可用GaN和SiC進(jìn)行設(shè)計(jì)而得到改善。最大的受益者之一是汽車電氣系統(tǒng)。現(xiàn)代混合動(dòng)力車和純電動(dòng)車含有可使用這些器件的設(shè)備。其中一些流行的應(yīng)用是OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和激光雷達(dá)(LiDAR)。圖3指出了電動(dòng)車中需要高功率開關(guān)晶體管的主要子系統(tǒng)。圖3. 用于混合動(dòng)力車和電動(dòng)車的WBG車載充電器(OBC)。交流輸入經(jīng)過整流、功率因數(shù)校正(PFC)，然后進(jìn)行DC-DC轉(zhuǎn)換(一個(gè)輸出用于給高壓電池充電，另一個(gè)用于給低壓電池充電)。DC-DC轉(zhuǎn)換器。這是個(gè)電源電路，將高的電池電壓轉(zhuǎn)換為較低的電壓，以運(yùn)行其他電氣設(shè)備?，F(xiàn)在電池的電壓范圍高達(dá)600伏或900伏。DC-DC轉(zhuǎn)換器將其降至48伏或12伏，或同時(shí)降至48伏和12伏，用于其他電子元件的運(yùn)行(圖3)。在混合動(dòng)力電動(dòng)車和電動(dòng)車(HEVEVs)中，DC-DC也可用于電池組和逆變器之間的高壓總線。車載充電器(OBCs)。插電式HEVEV和EVs包含一個(gè)內(nèi)部電池充電器，可以連接到交流電源上。這樣就可以在家里充電，而不需要外部的AC? DC充電器(圖4)。主驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。主驅(qū)電機(jī)是高輸出的交流電機(jī)，驅(qū)動(dòng)車輛的車輪。驅(qū)動(dòng)器是個(gè)逆變器，將電池電壓轉(zhuǎn)換為三相交流電，使電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。圖4. 一個(gè)典型的DC-DC轉(zhuǎn)換器用于將高電池電壓轉(zhuǎn)換為12伏和/或48伏。高壓電橋中使用的IGBT正逐漸被SiC MOSFET所取代。由于GaN和SiC晶體管具有高電壓、大電流和快速開關(guān)的特點(diǎn)，為汽車電氣設(shè)計(jì)人員提供了靈活和更簡單的設(shè)計(jì)以及卓越的性能。

晟鵬技術(shù)（晟鵬科技）研發(fā)的耐高溫200C高導(dǎo)熱絕緣片具有絕緣耐電壓、抗撕裂壓力、韌性強(qiáng)、超薄等特性，垂直導(dǎo)熱系數(shù)3.5W和5W，耐擊穿電壓達(dá)到4KV以上，UL-V0阻燃等級(jí)使用壽命周期長，滿足變頻家電（空調(diào)冰箱）、汽車電子、新能源電池、電力、交通等行業(yè)的需求,低熱阻高導(dǎo)熱氮化硼絕緣片可以快速地把功率器件產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱器上。