先前反壟斷局針對DRAM三大業(yè)者,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查,據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落,調(diào)查與開罰的理由,也從原先的DRAM價格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
據(jù)了解,國內(nèi)相關單位對三大DRAM業(yè)者并非以壟斷DRAM價格,而是以NAND Flash捆綁銷售嫌疑進行調(diào)查,認定三大業(yè)者向華為等國內(nèi)手機業(yè)者出貨DRAM的同時,強迫其購買一定數(shù)量的NAND Flash。國內(nèi)傳將對業(yè)者課征數(shù)十億美元罰金,但可提出協(xié)商。
2018年5月起,反壟斷局針對三星、SK海力士及美光等三家業(yè)者展開反壟斷行為調(diào)查,主因在于國內(nèi)手機業(yè)者不滿DRAM供給不足,且價格持續(xù)上升。11月中旬,反壟斷局對外表示,針對三星、SK海力士及美光的反壟斷調(diào)查取得重大進展,掌握大量證據(jù)。
其實早在2017年底——2018年初,相關單位亦傳出曾找三星高層,表達應對DRAM價格上升自制、優(yōu)先供貨DRAM予國內(nèi)業(yè)者,以及中斷對國內(nèi)半導體企業(yè)的專利訴訟。
業(yè)界多認為,調(diào)查與開罰的理由,從原先的DRAM價格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售,其實也可能與當前市場情勢有關。
2000年之后逐漸確立三星、SK海力士及美光三巨頭寡占局面,如以2018年第3季為基準,三家業(yè)者合計市占率高達95%,兩大韓國業(yè)者三星、SK海力士,合計市占率更是超過70%以上。
反觀NAND Flash市場,目前由三星、東芝(Toshiba)、威騰(WD)、英特爾(Intel)、美光及SK海力士等眾業(yè)者占據(jù),主要業(yè)者皆積極增設3D NAND產(chǎn)能,預料不出幾年后,將有1~2家業(yè)者退出市場,由于NAND Flash價格不斷下滑,為了在競爭激烈的市場中確保市占率,DRAM業(yè)者也因此祭出了捆綁銷售策略。
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原文標題:【IC制造】傳存儲器壟斷調(diào)查轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售
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