紫光宏茂微電子宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3DNAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

1月7日，紫光集團(tuán)官方微信公眾號(hào)發(fā)文，宣布旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。

資料顯示，紫光宏茂的前身宏茂微電子（上海）有限公司原為***南茂科技的全資子公司，2017年6月紫光集團(tuán)通過(guò)旗下全資子公司西藏紫光國(guó)微出資收購(gòu)其48%股權(quán)，成為其最大股東并實(shí)際主導(dǎo)經(jīng)營(yíng)。

2018年7月4日，宏茂微電子正式完成工商登記變更，公司名稱(chēng)由“宏茂微電子（上海）有限公司”變更為“紫光宏茂微電子（上海）有限公司”。經(jīng)過(guò)一系列戰(zhàn)略調(diào)整和轉(zhuǎn)型，紫光宏茂重點(diǎn)發(fā)展存儲(chǔ)器的封裝與測(cè)試。

根據(jù)紫光集團(tuán)存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略規(guī)劃，紫光宏茂自2018年4月起開(kāi)始建設(shè)全新3D NAND封裝測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)，組建團(tuán)隊(duì)、研發(fā)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)；2018年5月完成無(wú)塵室建置；2018年6月開(kāi)始投片實(shí)驗(yàn)；2018年9月完成產(chǎn)品初期驗(yàn)證；2018年11月產(chǎn)品通過(guò)客戶(hù)內(nèi)部驗(yàn)證；2019年1月順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，正式交付紫光存儲(chǔ)用于企業(yè)級(jí)SSD的3D NAND芯片顆粒。

至此，紫光宏茂成為全系列存儲(chǔ)器封測(cè)的一站式服務(wù)提供商，產(chǎn)品包括3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP，TF card）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存儲(chǔ)器產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。紫光集團(tuán)表示，紫光宏茂企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)成功量產(chǎn)，標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。

目前，紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域擁有長(zhǎng)江存儲(chǔ)、西安紫光國(guó)芯、紫光存儲(chǔ)等系列子公司，涵蓋NAND Flash、DRAM等存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、制造、封測(cè)及模組等產(chǎn)業(yè)鏈布局。

2018年8月6日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)XtackingTM，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度以及更短的產(chǎn)品上市周期，據(jù)悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

根據(jù)規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將于2019年大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，傳聞2020年將跳過(guò)96層堆棧的3D閃存，直接量產(chǎn)128層堆棧的3D閃存。業(yè)界認(rèn)為，紫光宏茂企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的成功量產(chǎn)為長(zhǎng)江存儲(chǔ)芯片規(guī)模上市做好最后的準(zhǔn)備。