臺(tái)積電7nm+工藝明年Q2量產(chǎn) 5納米可望在2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)

晶圓代工龍頭臺(tái)積電持續(xù)沖刺先進(jìn)制程，采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)的首款7＋納米芯片已經(jīng)完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），支援最多4層EUV光罩。臺(tái)積電亦加速5納米制程推進(jìn)，預(yù)計(jì)明年4月可開(kāi)始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，支援的EUV光罩層將上看14層，5納米可望如期在2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)。

設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電在晶圓先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn)，也推出可整合多種異質(zhì)芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)，最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手韓國(guó)三星短期內(nèi)恐難與之抗衡。由此來(lái)看，蘋(píng)果明后兩年將推出的7＋納米A13及5納米A14應(yīng)用處理器，可望持續(xù)由臺(tái)積電拿下獨(dú)家代工訂單。

隨著臺(tái)積電7納米持續(xù)提升產(chǎn)能且良率逐步改善，臺(tái)積電首款采用EUV技術(shù)的7＋納米制程已完成研發(fā)并進(jìn)入試產(chǎn)，與7納米相較擁有更低功耗表現(xiàn)及更高集積密度，第三季初順利完成客戶首款芯片的設(shè)計(jì)定案，預(yù)期年底前會(huì)有更多客戶芯片完成設(shè)計(jì)定案，明年第二季后將可順利進(jìn)入量產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電將成為全球首家采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的晶圓代工廠。

此外，創(chuàng)下***科技業(yè)界最高投資金額的臺(tái)積電新12吋晶圓廠Fab 18，第一期工程希望搶在年底前完工，明年開(kāi)始進(jìn)入裝機(jī)，第二期工程也已開(kāi)始動(dòng)工興建。臺(tái)積電5納米研發(fā)進(jìn)度略為超前，預(yù)期明年上半年可獲得客戶首款芯片的設(shè)計(jì)定案，明年4月可望進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。以進(jìn)度來(lái)看，2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)階段沒(méi)有太大問(wèn)題。

為了搭配先進(jìn)制程微縮及異質(zhì)芯片整合趨勢(shì)，臺(tái)積電持續(xù)加碼先進(jìn)封裝制程布局，除了整合10納米邏輯芯片及DRAM的整合扇出層疊封裝（InFO-PoP），以及整合12納米系統(tǒng)單芯片及8層HBM2記憶體的CoWoS封裝等均進(jìn)入量產(chǎn)，亦推出整合多顆單芯片的整合扇出暨基板封裝（InFO-oS）、整合扇出記憶體基板封裝（InFO-MS）、整合扇出天線封裝（InFO-AIP）等新技術(shù)，滿足未來(lái)在人工智慧及高效能運(yùn)算、5G通訊等不同市場(chǎng)需求。

面對(duì)三星及格芯在22納米全耗盡型絕緣層上覆矽（FD-SOI）制程上持續(xù)獲得訂單，臺(tái)積電優(yōu)化28納米推出的22納米超低功耗（ULP）制程已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段，已有超過(guò)40個(gè)客戶產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定案，明年將順利進(jìn)入量產(chǎn)，超低漏電（ULL）制程預(yù)期明年上半年獲得客戶芯片設(shè)計(jì)定案。