NAND存儲(chǔ)器跌破兩年前價(jià)位，國(guó)內(nèi)廠商能否決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)？

集微網(wǎng)消息，“NAND Flash存儲(chǔ)器的價(jià)格剛剛跌破了兩年前（2016年）的價(jià)格，現(xiàn)在NAND Flash價(jià)格下跌的還不是很離譜，僅僅跌破兩年前的價(jià)格而已?！?資深存儲(chǔ)行業(yè)人士日前向集微網(wǎng)記者表示，NAND Flash價(jià)格未來(lái)還有進(jìn)一步下探的空間，即使其價(jià)格再跌20%，也不足為奇。

來(lái)源：中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket

今年以來(lái)，NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑的趨勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示，截止至2018年8月27日，NAND Flash價(jià)格指數(shù)已累計(jì)下滑超過(guò)40%，NAND Flash每GB價(jià)格下探至0.13美金，基本已回到了2016年漲價(jià)時(shí)期的價(jià)格水平。

為什么會(huì)跌破兩年前價(jià)格？

自2016年開(kāi)始，全球各大閃存芯片廠商紛紛開(kāi)始技術(shù)升級(jí)，由2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)工藝；但3D NAND因?yàn)槭切录夹g(shù)，再加之生產(chǎn)設(shè)備緊缺，3D NAND實(shí)際量產(chǎn)的時(shí)間遲于預(yù)期時(shí)間。而在NAND技術(shù)轉(zhuǎn)換期，NAND Flash市場(chǎng)產(chǎn)能供不應(yīng)求，NAND Flash價(jià)格出現(xiàn)了有史以來(lái)最大且持續(xù)最長(zhǎng)的上漲周期。

據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示，2017年上半年，受NAND Flash缺貨影響，SSD價(jià)格自2016年Q2開(kāi)始漲價(jià)，主流120GB、240GB TLC SSD價(jià)格均累積年漲幅達(dá)46%，消費(fèi)類每GB銷售價(jià)格突破了0.3美金；2017下半年eMMC TLC 32GB價(jià)格由8.9美金上漲至11美金，累計(jì)上漲23.6%；64GB價(jià)格則從16.8美金上漲至19.4美金，累計(jì)上漲15.5%。eMCP 8+8價(jià)格則從8.8美金上漲至10美金，上漲13.6%。

在NAND Flash市場(chǎng)，2017年由于市場(chǎng)供貨緊缺的狀況未完全緩解，閃存價(jià)格一直上漲。但到2018年，隨著3D NAND技術(shù)發(fā)展，三星已開(kāi)始量產(chǎn)96層3D NAND，今年下半年東芝/西部數(shù)據(jù)將量產(chǎn)96層QLC，美光和英特爾也開(kāi)始量產(chǎn)64層3D QLC以及96層3D NAND，NAND Flash價(jià)格大幅回落。

“NAND Flash的市場(chǎng)需求是不斷在增長(zhǎng)，當(dāng)供給超過(guò)需求的時(shí)候，價(jià)格肯定就不一樣。”深圳市得一微電子有限責(zé)任公司市場(chǎng)總監(jiān)羅挺向集微網(wǎng)表示，剛開(kāi)始3D NAND良率只有20-30%，當(dāng)良率到80-90%時(shí)，供給不足的問(wèn)題就可以解決，當(dāng)然這還不包括大廠都在不斷的投建新產(chǎn)能。

再加之，3D NAND容量不斷的翻倍，原來(lái)是從24層到36層，現(xiàn)在是96層3D NAND都已經(jīng)量產(chǎn)了，每次技術(shù)升級(jí)層數(shù)增加后，容量也在擴(kuò)大，這幾方面因素結(jié)合起來(lái)的話，NAND Flash市場(chǎng)的供貨就很充足，甚至是超份額供給。

當(dāng)然，需要指出的是，在2020年之前，國(guó)產(chǎn)的3D NAND不會(huì)對(duì)市場(chǎng)價(jià)格產(chǎn)生影響?，F(xiàn)在NAND Flash降價(jià)是因?yàn)橹髁鞯拇鎯?chǔ)廠商充分供給，引發(fā)的主動(dòng)降價(jià)，這跟國(guó)內(nèi)廠商的3D NAND將要量產(chǎn)并無(wú)關(guān)聯(lián)，現(xiàn)在FLASH供給量正處于歷史高峰期。

羅挺表示，當(dāng)FLASH供給充足的時(shí)候，整個(gè)市場(chǎng)就想做不一樣的產(chǎn)品，現(xiàn)在FLASH降價(jià)，誰(shuí)也不敢把貨囤在手上，什么產(chǎn)品好賣就去做什么，如果只做一款產(chǎn)品，出貨量不大，風(fēng)險(xiǎn)就很大。

而為了降低風(fēng)險(xiǎn)，eMMC好賣存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)廠商就做eMMC，UFS在移動(dòng)終端市場(chǎng)發(fā)展快就去做UFS。所以在FLASH價(jià)格下滑的趨勢(shì)下，包括得一微電子在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)廠商都需要有差異化的商業(yè)模式。畢竟，光賣情懷是沒(méi)有用的，一定是要給客戶帶來(lái)實(shí)際的價(jià)值，才能長(zhǎng)久地活下去。

目前，NAND Flash的價(jià)格剛跌破兩年前的價(jià)格，如果把時(shí)間拉長(zhǎng)來(lái)看，未來(lái)閃存產(chǎn)品價(jià)格將會(huì)進(jìn)一步下跌，但全球整個(gè)閃存市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額還會(huì)不斷上漲，只是產(chǎn)品單價(jià)會(huì)持續(xù)往下降。

資深存儲(chǔ)行業(yè)人士表示，1GB內(nèi)存跌破1元人民幣是一個(gè)供給關(guān)鍵價(jià)位點(diǎn)。兩年前，1GB內(nèi)存售價(jià)預(yù)計(jì)在6毛錢左右，現(xiàn)在已經(jīng)跌破兩年前的價(jià)格，當(dāng)然這個(gè)價(jià)格只是一個(gè)參考價(jià)，不同型號(hào)、不同廠家的產(chǎn)品都是有差異。

羅挺表示，從宏觀來(lái)看，現(xiàn)在NAND Flash的價(jià)格已經(jīng)是歷史最低點(diǎn)，當(dāng)然后面更低。受閃存芯片降價(jià)影響，SSD也呈現(xiàn)出大幅下降，其中消費(fèi)類SATA SSD也跌回2年前價(jià)位，且創(chuàng)歷史新低。

決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)

NAND Flash的價(jià)格其實(shí)是像期貨一樣具有市場(chǎng)波動(dòng)性，這是一個(gè)周期性的行業(yè)，像DRAM過(guò)去十年的發(fā)展都是這樣，現(xiàn)在三星在存儲(chǔ)市場(chǎng)能有這么大的產(chǎn)能，最重要的原因就是當(dāng)存儲(chǔ)市場(chǎng)下跌非常大的時(shí)候，廠商一般會(huì)砍掉部分產(chǎn)線，三星正好恰恰相反，進(jìn)行投資擴(kuò)產(chǎn)，業(yè)界稱之為逆周期投資。

三星投資DRAM 內(nèi)存時(shí)，DRAM 價(jià)格從1984年初的4 美元/片一路下滑到1985 年的30 美分/片。此時(shí)，三星的生產(chǎn)成本是1.3 美元/片。到1986 年年底，三星半導(dǎo)體累計(jì)虧損達(dá)3 億美元，股權(quán)資本完全虧空。DRAM 市場(chǎng)不景氣，Intel 等美國(guó)公司退出該市場(chǎng)，日本公司縮減投資規(guī)模和生產(chǎn)能力。但三星逆周期投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并開(kāi)發(fā)更大容量的DRAM，數(shù)年后，行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折，DRAM價(jià)格開(kāi)始回升。

2017年，在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)缺貨漲價(jià)的行情中，三星一年就賺回了過(guò)去十年的投資；三星也在2017年首次從英特爾手中奪走行業(yè)第一寶座，成為全球最大芯片制造商。

如今，正逢存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)開(kāi)始大跌，DRAM價(jià)格已經(jīng)下跌20-30%，NAND Flash已經(jīng)下跌到一個(gè)新的價(jià)位，這對(duì)于國(guó)內(nèi)正加大投資以及即將迎來(lái)量產(chǎn)的存儲(chǔ)廠商來(lái)說(shuō)是不是一個(gè)不太好的信號(hào)？

羅挺表示，現(xiàn)在整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)開(kāi)始下跌，國(guó)內(nèi)廠商加大投資，未必是一件壞事。假如，海外廠商在存儲(chǔ)市場(chǎng)下跌時(shí)不愿去投資，國(guó)內(nèi)廠商加大投資，那么未來(lái)中國(guó)將有更多存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，真正存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)決勝的時(shí)間也將在下一個(gè)周期。

事實(shí)上，內(nèi)存市場(chǎng)和閃存市場(chǎng)有一定的關(guān)聯(lián)性，不管是存儲(chǔ)介質(zhì)或是存儲(chǔ)主控芯片也好，它的成敗不在一年兩年，而是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程，一個(gè)企業(yè)要好這個(gè)事情，不可能是做好一款爆品之后，就沒(méi)有后顧之憂。

這從行業(yè)轉(zhuǎn)移的過(guò)程中就能看出一些端倪。原本DRAM就不是三星發(fā)明的，最早是由英特爾發(fā)明的，英特爾做的也最早，但現(xiàn)在三星做的最大，三星之所以能做大，恰恰是因?yàn)槿窃谛袠I(yè)下跌是最敢去投資。

在行業(yè)逆周期時(shí)敢于投資，未來(lái)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商就有可能會(huì)像三星一樣，一年就賺回了過(guò)去十年的投資；如果在行情下跌的時(shí)候不愿投資，那么在存儲(chǔ)周期回轉(zhuǎn)的時(shí)候，又怎么能獲得產(chǎn)能，怎么有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)超越領(lǐng)跑。所以，在這一輪存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)周期調(diào)整時(shí)，正是國(guó)內(nèi)廠商投資布局的機(jī)會(huì)，下一個(gè)周期回轉(zhuǎn)，將是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商決勝的機(jī)會(huì)。