三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝

隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了，不過英特爾可以排除在代工廠之外，其他無晶圓公司可選的只有三星以及臺(tái)積電了，其中臺(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)可以說大獲全勝，流片的7nm芯片有50+多款。

三星近年來也把代工業(yè)務(wù)當(dāng)作重點(diǎn)，此前豪言要爭取25%的代工市場(chǎng)，今年三星公布了未來的制程工藝路線圖，現(xiàn)在日本的技術(shù)論壇上三星再次刷新了半導(dǎo)體工藝路線圖，今年會(huì)推出7nm EUV工藝，明年有5/4nm EUV工藝，2020年則會(huì)推出3nm EUV工藝，同時(shí)晶體管類型也會(huì)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA結(jié)構(gòu)。

三星電子4日在日本舉行“三星晶圓代工論壇2018日本會(huì)議”，簡稱SFF Japan 2018，這是三星第二次在日本舉行代工會(huì)議，日本PCwatch網(wǎng)站介紹了三星這次會(huì)議的主要內(nèi)容，三星的口號(hào)是“最受信任的代工廠”，并公布了三星在晶圓代工上的最新路線圖。

三星高管表示2018年晚些時(shí)候會(huì)推出7nm FinFET EUV工藝，而8nm LPU工藝也會(huì)開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2019年則會(huì)推出5/4nm FinFET EUV工藝，同時(shí)開始18nm FD-SOI工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。

2020年三星則會(huì)推出3nm EUV工藝，同時(shí)晶體管結(jié)構(gòu)也會(huì)大改，從目前的FinFET變成GAA（ Gate-All-Around）結(jié)構(gòu)，GAA公認(rèn)為7nm節(jié)點(diǎn)之后取代FinFET晶體管的新一代技術(shù)候選。

三星在這次的論壇會(huì)議上表示他們是第一家大規(guī)模量產(chǎn)EUV工藝的，這點(diǎn)上倒是沒錯(cuò)，臺(tái)積電要到第二代7nm工藝N7+上才會(huì)使用EUV工藝，但是三星比較激進(jìn)，7nm節(jié)點(diǎn)上會(huì)直接上7nm EUV工藝，未來的5/4/3nm節(jié)點(diǎn)也會(huì)全面使用EUV工藝。

根據(jù)三星的說法，他們?cè)陧n國華城的S3 Line生產(chǎn)線上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機(jī)，這條生產(chǎn)線原本是用于10nm工藝的，現(xiàn)在已經(jīng)被改造，據(jù)說現(xiàn)在的EUV產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。

此外，三星還在S3生產(chǎn)線之外建設(shè)全新的生產(chǎn)線，這是EUV工藝專用的，計(jì)劃在2019年底全面完成，EUV的全面量產(chǎn)計(jì)劃在2020年完成。

對(duì)三星來說，他們的7nm客戶都有誰至關(guān)重要，特別是在臺(tái)積電搶下絕大多數(shù)7nm訂單的情況下，原文作者認(rèn)為臺(tái)積電的7nm產(chǎn)能不可能包攬所有7nm訂單，三星依然有機(jī)會(huì)搶得客戶，因此他猜測(cè)某公司下一代的GPU有可能交由三星代工——不過他強(qiáng)調(diào)這是自己的推測(cè)。

在GPU代工上，三星使用14nm工藝給NVIDA的GTX 1050 Ti/1050顯卡的GP107核心代工過。

下面是三星在封裝測(cè)試方面的路線圖了，目前三星已經(jīng)可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝，明年則會(huì)推出3D SiP系統(tǒng)級(jí)封裝，其中I-Cube封裝已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)4路HBM 2顯存堆棧了。