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單片機學(xué)習(xí)匯總資料:FSMC的三個配置寄存器

lPCU_elecfans ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-21 09:42 ? 次閱讀

1、在STM32內(nèi)部,F(xiàn)SMC的一端通過內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex-M3,另一端則是面向擴展存儲器的外部總線。

內(nèi)核對外部存儲器的訪問信號發(fā)送到AHB總線后,經(jīng)過FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲器通信規(guī)約的信號,送到外部存儲器的相應(yīng)引腳,實現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲器之間的數(shù)據(jù)交互。

2、FSMC中的DATASET和ADDSET的設(shè)置需要參看外部存儲器的時序圖來確定。

一般而言,DATASET指的是數(shù)據(jù)建立時間,也就是讀/寫信號開始到讀/寫信號停止(上升沿存儲數(shù)據(jù))的持續(xù)時間。(一般來說寫比讀快?。?。

而ADDSET指的是地址建立時間,指的是片選之后到讀/寫操作之前的時間,這是針對SRAM來說的,如果操縱的是TFT,不存在地址線,所以此時的ADDSET就是讀/寫信號結(jié)束到RS電平的轉(zhuǎn)換時間。

3、

4、

5、FSMC的三個配置寄存器:FSMC_BCRx(片選控制配置)、FSMC_BTRx(片選時序)、FSMC_BWTRx(片選寫時序)。

6、RTC時鐘配置必須要用到BKP寄存器,BKP寄存器在單片機復(fù)位、電源復(fù)位、待機喚醒模式下是不會更改值的,他的供電由VDD供電,VDD被切斷后自動切換至外部的VBAT供電。

7、要修改BKP寄存器的值,必須取消其寫保護的標(biāo)志。BKP寄存器在上電時自動寫保護。

8、Stm32有三種省電模式:

三種省電模式中,耗電量從上到下依次降低,待機模式的電流僅為2uA。

9、從待機模式中喚醒單片機等效于讓單片機復(fù)位,但是電源寄存器的值會有一個標(biāo)志位指示單片機是被喚醒的,不是被復(fù)位的。

10、ADC的時鐘不要超過14MHz,否則轉(zhuǎn)換精度會下降。最大轉(zhuǎn)換速率為1MHz,即轉(zhuǎn)換周期為1us(14MHz,采樣周期為1.5個ADC時鐘)

11、Tcovn=采樣時間+12.5個周期。采樣時間盡量選長一點,這樣精度高一些,但是轉(zhuǎn)換速率下降,這也是有利必有弊。

12、

13、拿ARM7TDMI來說,T代表Thumb指令集,D是說支持JTAG調(diào)試(Debugging),M意指快速乘法器,I則對應(yīng)一個嵌入式ICE模塊。

14、MMU作為嵌入式處理器與應(yīng)用處理器的分水嶺標(biāo)志à具有內(nèi)存管理單元的嵌入式處理器可以定位為應(yīng)用處理器。

這么說M系列和A系列的處理器的區(qū)別在于A系列的處理器具有MMU單元可以進行內(nèi)存模塊的管理。

15、ARM處理器有兩種狀態(tài):ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)。

16、這張圖說明了一切:Thumb2指令集做了一件很偉大的事情:將16位和32位的指令集融為一體,兼容性非常強?。ㄟ@么說CM3不支持某些32位ARM指令集??)

17、

18、MSP是系統(tǒng)復(fù)位后使用的堆棧指針,PSP由用戶的代碼使用。兩個堆棧指針為4字節(jié)對齊??!

19、在ARM編程領(lǐng)域中,凡是打斷程序運行的事件,統(tǒng)稱為異常(exception)。

20、因為存在LR(鏈接寄存器),所以可支持1級的子程序調(diào)用而不用壓棧到內(nèi)存,大大提高了運行速度。---à這就是說,我們在編程的時候,一級調(diào)用是不會耗費太多時間的,除非是二級調(diào)用!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:STM32大神筆記,超詳細(xì)單片機學(xué)習(xí)匯總資料(干貨分享2)

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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