紫光國芯13億元公司債券獲批_長江存儲暫不具備合作的條件

據(jù)Wind資訊數(shù)據(jù)統(tǒng)計，截至5月3日，4月份以來，芯片國產(chǎn)化指數(shù)上漲1.55%，同期內，紫光國芯上漲3.52%。

近期，紫光國芯不超過13億元的公司債券獲批，紫光國芯董秘杜林虎表示，此次募集資金將用于成都研發(fā)中心項目、高性能第四代DRAM存儲器項目、以及償還公司債務和補充運營資金。

作為國產(chǎn)芯片的龍頭企業(yè)，投資者一直對紫光國芯保持較高的關注。自去年7月份公司終止收購國內存儲芯片三大企業(yè)之一的長江存儲之后，投資者不斷在投資者互動平臺上詢問，公司未來是否會還會收購長江存儲或進行合作。

長江存儲與公司的合作還不具備條件。

13億元公司債券獲批

4月27日晚，紫光國芯發(fā)布公告稱，證監(jiān)會已經(jīng)核準公司向合格投資者公開發(fā)行面值總額不超過13億元的公司債券。

記者查閱紫光國芯去年年報得知，公司募集13億元資金主要用于項目投資、償還公司債務和補充運營資金。其中，成都研發(fā)中心項目投資5.97億元，公司擬以募集資金投入4.4億元，建成后用于公司成都研發(fā)中心辦公寫字樓及研發(fā)配套；高性能第四代DRAM存儲器項目投資2.82億元，公司擬以募集資金投入1.9億元；另外償還公司債務和補充運營資金分別2億元和4.7億元。

去年紫光國芯存儲器芯片業(yè)務實現(xiàn)營業(yè)收入3.35億元，同比增72.96%。目前，公司的DRAM存儲器芯片已形成了較完整的系列，產(chǎn)品接口覆蓋 SDR、DDR、DDR2 和 DDR3 DRAM，并開發(fā)相關的模組產(chǎn)品，此外公司開發(fā)完成的NAND Flash新產(chǎn)品也已開始了市場推廣。公司新開發(fā)的DDR4及LPDDR4等產(chǎn)品正在驗證優(yōu)化中，今年將逐步推向市場。

對于成都研發(fā)中心，查閱紫光國芯公告得知，為滿足公司未來持續(xù)發(fā)展的需要，公司充分利用成都高新區(qū)的資源優(yōu)勢，建設成都研發(fā)中心項目，形成集研發(fā)、測試等于一體的研發(fā)平臺，吸引更多的專業(yè)科技人才加入公司團隊，進一步增強公司研發(fā)實力、科技創(chuàng)新能力。

紫光國芯稱，該項目的實施，能夠有效解決公司因業(yè)務增長帶來的研發(fā)及辦公場地不足問題，有利于提高公司經(jīng)濟效益，為公司持續(xù)快速發(fā)展提供有力保證。

一直以來，紫光國芯的研發(fā)投入占比較高。年報顯示，去年紫光國芯研發(fā)費用為5.03億元，同比增長13.28%，占營業(yè)收入比例為27.49%。據(jù)Wind資訊數(shù)據(jù)統(tǒng)計，過去5年，紫光國芯研發(fā)費用持續(xù)增長，研發(fā)投入占營收比例均值為27.67%。近3年，紫光國芯平均年研發(fā)投入都在3億元以上。

投資者心念收購長江存儲

去年3月份，紫光國芯發(fā)布重大資產(chǎn)重組停牌公告，去年7月份，公司宣布終止籌劃重大資產(chǎn)重組，終止收購長江存儲。原因是長江存儲目前尚處于建設初期，短期內無法產(chǎn)生銷售收入，公司審慎論證后與紫光國器等交易對方經(jīng)友好協(xié)商達成一致意見，認為收購長江存儲股權的條件尚不夠成熟，同意終止本次股權收購。

紫光國芯和長江存儲同屬紫光集團下屬公司，后者是目前國內存儲芯片產(chǎn)業(yè)三大企業(yè)之一，側重NAND Flash的研發(fā)和生產(chǎn)，另外兩家是合肥長鑫和晉華集成，分別致力于行動式內存和利基型內存的研發(fā)和生產(chǎn)。紫光國芯表示，長江存儲設立時，由于公司當時已公告籌劃存儲器芯片制造工廠建設的募投項目，存在形成潛在同業(yè)競爭的情形，紫光集團對避免形成同業(yè)競爭做出了承諾，紫光國芯可以對長江存儲進行產(chǎn)業(yè)整合。
終止收購之后的半年多里，投資者對收購長江存儲事件依舊念念不忘。在投資者互動平臺上，不時有投資者詢問公司未來是否會收購長江存儲。

去年11月份，紫光國芯曾在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器芯片的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器芯片的制造能力，公司會考慮與其合作。

而在近期的回復中，紫光國芯稱，目前公司還沒有涉足存儲器芯片制造領域的明確計劃，公司會積極尋求芯片設計相關領域的拓展機會。未來6個月至一年內，都不會對長江存儲整合。

據(jù)媒體報道，4月份長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計1.08萬顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。集邦咨詢半導體研究中心（DRAMexchange）指出，從長江存儲、合肥長鑫以及晉華集成的進度來看，三大廠商試產(chǎn)時間將落在 2018 年下半年，量產(chǎn)時間將落在 2019 年上半年。

杜林虎表示，長江存儲目前在建的生產(chǎn)線是3D NAND產(chǎn)品生產(chǎn)線，暫時沒有規(guī)劃DRAM存儲器芯片的生產(chǎn)線，所以短期內無法形成DRAM存儲器芯片的生產(chǎn)能力，與公司的合作還不具備條件。