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中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片有希望在合肥誕生

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師1 ? 2018-04-18 13:50 ? 次閱讀

近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動”中,長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃:2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成,并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國表示,希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

長鑫睿力起源于“506項(xiàng)目”。“506項(xiàng)目”起源于2016年5月6日兆易創(chuàng)新朱一明董事長和合肥市及經(jīng)開區(qū)主要領(lǐng)導(dǎo)研討合肥的存儲器項(xiàng)目發(fā)展戰(zhàn)略,因而得名。“506”項(xiàng)目包含合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成三個運(yùn)營主體。項(xiàng)目的目標(biāo)為自主發(fā)展主流 DRAM 存儲器 IDM。

中國 DRAM 存儲器的發(fā)展離不開“天時地利人和”

王寧國表示,存儲器尤其是 DRAM 存儲器是非常難的技術(shù),項(xiàng)目的成功離不開“天時地利人和”,首先在“天時”方面:存儲器的應(yīng)用非常多樣化,從最早的臺式電腦、個人電腦、智能手機(jī)、平板電腦、大數(shù)據(jù),再到將來的人工智能應(yīng)用都離不開存儲器,而 DRAM 更是無所不在。因?yàn)檫@個原因,DRAM 的市場蓬勃發(fā)展,去年 2017 年已經(jīng)達(dá)到 700 億美元,今年有可能突破 1000 億美元,中國在這個市場消耗的量至少占1/2到1/3,也就是將近 300 億-500 億美元,但是我們現(xiàn)在自主生產(chǎn)的 DRAM 芯片為零。

除此之外,由于技術(shù)轉(zhuǎn)換比較困難,DRAM 提升的速度也逐步放緩,九十年代的時候,存儲密度每 3 年增加 4 倍,而現(xiàn)在是每 4 年增加 1.5-2 倍。技術(shù)更新速度的降低,事實(shí)上對后進(jìn)者來說是好事,有機(jī)會實(shí)現(xiàn)彎道超車,因此技術(shù)的推遲對我們是有意義的。

其次在“地利”方面,王寧國表示,合肥是一個非常有趣的地方。一個大規(guī)模的芯片制造企業(yè),如果沒有完整的產(chǎn)業(yè)鏈(設(shè)備、配件、維修、材料、和服務(wù))的話,這個企業(yè)是不可能有效的生產(chǎn)低成本、高質(zhì)量的芯片,因此合肥變成了一個幾何的中心

同時,王寧國呼吁更多的設(shè)備、配件和材料公司下決心在合肥落地生根,只要跟合肥的產(chǎn)業(yè)合作,那么一定會快速發(fā)展,只有在合肥建立起完整的產(chǎn)業(yè)鏈,中國集成電路產(chǎn)業(yè)才能壯大起來,否則沒有辦法成長。

最后在“人和”方面,王寧國表示,睿力集成于 2016 7 月 13 日成立,當(dāng)時只有 1 個人,經(jīng)過 21 個月 630 天之后,目前員工已達(dá)到 1539 人,相當(dāng)于每一天有 2.5 個人報道,在不到兩年的時間里這是一個非??斓某砷L。目前公司員工中,***同胞有 447 位,中國大陸員工有 1013 人,占比達(dá)三分之二,而安徽省員工又占大陸員工的三分之二。

長鑫睿力專注于自主研發(fā),已與北方華創(chuàng)簽約

據(jù)王寧國介紹,實(shí)際上長鑫睿力的研發(fā)工作已經(jīng)有 1 年半的時間,在元件方面,自主開發(fā)了元件模組規(guī)格;在設(shè)計方面,設(shè)計了新的修補(bǔ)線路(E-Fuse),產(chǎn)生自有專利;在光罩方面,自主開發(fā)了光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(OPC);在制造方面,有 450 位平均 15 年 DRAM 工作經(jīng)驗(yàn)的工程師做制程最佳化以快速提升良率,并自主開發(fā)最有效率的 IT 系統(tǒng)(大數(shù)據(jù)分析);在測試方面,跟幾家公司合作自主開發(fā)了測試程式(low cost RDBI wafer flow),幫助他們制造最廉價的測試設(shè)備,降低成本。

值得一提的是,長鑫睿力自主開發(fā)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(OPC)項(xiàng)目由公司 7 位資深工程師和 12 位 ASML 資深工程師,經(jīng)過 3 個月的時間一起工作完成的。

同時,長鑫睿力還自主研發(fā)了智能制造系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)良率、產(chǎn)能和質(zhì)量的提升,目前有 70 多位員工服務(wù)于該系統(tǒng)。此外,長鑫睿力已經(jīng)跟中科大簽訂協(xié)議,將與 15 位中科大學(xué)生一起合作,將智能制造系統(tǒng)做的更好。

截止 2017 年底,長鑫睿力已申請 354 件專利,2018 年計劃申請 1155 件,因此截止 2018 年底,預(yù)計申請專利總數(shù)將達(dá) 1509 件。

最后,王寧國透露,長鑫睿力已經(jīng)與北方華創(chuàng)簽約,未來還會與更多的國內(nèi)設(shè)備和材料廠商簽約合作。希望用長鑫睿力 DRAM IDM 平臺大力扶持國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

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